电针对脑缺血再灌注大鼠大脑皮层超微结构的影响

目的:探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层组织的神经保护作用。方法:将SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组,每组各5只。采用改良Longa线栓大脑中动脉法复制局灶性脑缺血再灌注模型。电针组取穴"百会"及"大椎",采用疏密波刺激30 min,电流强度1~3 mA,频率20 Hz/80 Hz,疏、密波交替时间各为1.5 s。用透射电子显微镜观察受损局灶大脑皮层锥体细胞、星形胶质细胞及血脑屏障等超微结构。结果:假手术组大鼠大脑皮层超微结构未见病理改变;而模型组大鼠脑组织神经元细胞结构严重破坏,线粒体肿胀,嵴断裂,毛细血管内皮肿胀,管腔挛缩,甚至闭塞,胶质细胞足突肿胀;经电针处理后脑组织超微结构损伤变小或基本正常,受损局灶神经元病理结构得到改善。结论:电针通过影响缺血再灌注局灶的神经元超微结构从而改善了缺血病灶区域的能量供应及代谢功能,发挥了对神经功能的保护作用。     

电针对脑缺血再灌注大鼠海马Fas蛋白表达的影响

目的观察针刺对脑缺血再灌注损伤后细胞凋亡的抑制作用。方法采用改良线栓法制备局灶型脑缺血(MCAO)再灌注大鼠模型,电针大椎、双侧内关穴;用免疫组化学法观察假手术24h组、假手术48h组、假手术48h组、模型24h组、模型48h组、模型72h组、电针治疗24h组、电针治疗48h组、电针治疗72h组海马CA1区Fas蛋白的表达水平。结果模型各组大鼠缺血侧海马CA1区Fas蛋白表达显著高于针刺相应各组,且于再灌注后48h达高峰,与假手术组相比差异显著。结论电针可通过下调局灶性脑缺血再灌注海马CA1区促凋亡基因Fas水平,抑制细胞凋亡,减轻缺血半暗区神经元损害。     

针刺对脑缺血再灌注大鼠海马组织STAT3表达及含量的影响

目的：探讨信号转导与转录激活子-3（STAT3）在脑缺血再灌注大鼠海马的表达及电针对其影响。方法：将SD大鼠随机分为正常组、假手术组、模型组、电针治疗组。采用改良线栓法制备局灶型脑缺血（MCAO）再灌模型，电针“大椎”、双侧“内关”穴。运用免疫组化检测法和蛋白免疫印迹法，观察海马组织STAT3蛋白的表达与含量。结果：电针治疗各组大鼠缺血侧海马CA1区STAT3蛋白表达和海马组织STAT3含量显著高于同时相模型各组（P〈0．05；P〈0．01）；且随再灌注时间而发生变化，72h其含量达高峰，同时STAT3明显移位于核；模型组大鼠缺血侧海马CA1区STAT3蛋白表达显著高于正常组，假手术组（P〈0．01）。结论：电针能上调局灶性脑缺血再灌注海马组织STAT3蛋白含量水平并激活其表达，促进STAT3核转位，发挥神经保护作用。     

针刺疗法对局灶性脑缺血大鼠神经功能、大脑皮层蛋白激酶A表达及细胞凋亡率的影响

目的:观察针刺疗法对局灶性脑缺血大鼠大脑皮层蛋白激酶A(protein kinase A,PKA)表达的影响,探讨针刺疗法对局灶性脑缺血大鼠的神经保护机制。方法:选取雄性SD大鼠,随机分为假手术组、模型组、针刺组,每组30只,每组大鼠再随机等分为3d、7d、14d组,共计9个亚组。采用线栓法制备左侧大脑中动脉阻塞2h再灌注模型。针刺组大鼠行针刺"百会"水沟"及右侧"曲池"合谷"内关"足三里"三阴交"太冲"穴,每日1次,每次30min。采用神经行为评分法评价大鼠神经功能缺损情况,采用流式细胞仪测定缺血侧皮层细胞凋亡率,采用免疫组织化学法测定缺血侧大脑皮层PKA阳性细胞表达率。结果:与假手术组各时相点比较,模型组大鼠神经功能严重受限,缺血侧皮层细胞凋亡率及PKA阳性细胞表达率明显升高(均P<0.05);针刺组各时相点的神经行为缺陷评分均低于模型组(P<0.05),缺血侧皮层细胞凋亡率明显低于模型组,PKA阳性细胞表达率明显高于模型组(均P<0.05)。结论:针刺能够降低局灶性脑缺血大鼠缺血侧大脑皮层的细胞凋亡率,提高大脑皮层PKA阳性细胞表达率,促进神经修复与再生,从而降低神经行为缺损评分,改善受损神经功能。     

电针对脑缺血再灌注大鼠海马NGF表达的影响

目的 探讨针刺对脑缺血再灌注损伤大鼠神经生长因子(NGF)表达的影响及针刺抗局灶性脑缺血再灌注损伤的神经保护机制.方法 将90只SD大鼠随机分为假手术组24h、假手术组48h、假手术组72h、模型组24h、模型组48h、模型组72h、电针组24h、电针组48h、电针组72h.采用改良线栓法制备局灶型脑缺血再灌注大鼠模型(MCAO),电针大椎、双侧内关穴,应用免疫组化(SABC)法观察各组大鼠海马NGF的表达.结果 模型各组大鼠缺血侧海马NGF的表达显著低于电针相应时段组,且于再灌注后48h达高峰,与假手术组相比较差异显著.结论 电针可能通过提高局灶性脑缺血冉灌注海马NGF的表达发挥神经保护作用.     

电针对脑缺血再灌注模型大鼠海马IL-6表达影响的观察

背景:白细胞介素-6(interleukin-6,IL-6)在脑梗塞中的作用及与脑损伤的关系越来越多地受到关注。但多数为临床研究脑梗塞患者周围血清IL-6水平的观察,对中枢脑组织内IL-6的观察较少。目的:观察模型鼠海马组织IL-6表达的变化,观察电针对模型鼠海马组织IL-6表达变化的影响,探讨电针对脑神经元保护作用的可能途径。方法:将雄性SD大鼠15只随机分为假手术组、模型组、电针组,每组各5只。采用改良Longa线栓法复制大脑中动脉局灶性脑缺血再灌注模型;电针组取百会(DU20)及大椎(DU14)两穴,采用疏密波刺激30 min,电流强度1～3 mA,频率3Hz。评价大鼠神经行为学变化。用免疫组织化学方法观察受损侧海马IL-6的表达情况。结果与结论:(1)神经行为学评分:与假手术组比较,模型组和电针组的神经行为学评分显著降低(P<0.01);与模型组比较,电针组的神经行为学评分显著升高(P<0.01)。(2)IL-6免疫阳性表达:与假手术组比较,模型组受损侧海马IL-6平均光密度有统计学意义的下降(P<0.01),电针组海马IL-6平均光密度有统计学意义的升高(P<0.05)。与模型组比较,电针组受损侧海马IL-6平均光密度有显著升高(P<0.01)。结论:神经行为学评分结果提示电针有明确的脑保护作用。脑梗塞后大鼠海马IL-6的表达下降,而电针治疗可以促进脑梗塞侧海马IL-6的表达,提示IL-6在脑缺血再灌注后的损伤中可能是发挥保护作用,这可能是电针治疗保护脑缺血再灌注受损神经细胞的途径之一。     

电针对脑缺血再灌注大鼠海马GDNF表达的影响

目的 观察电针对脑缺血再灌注损伤大鼠胶质细胞源性神经营养因子(GDNF)表达的影响,探讨针刺抗局灶性脑缺血再灌注损伤的神经保护机制.方法 按随机数字表将SD大鼠分为正常组,假手术24h组、假手术48h组、假手术72h组,模型24h组、模型48h组、模型72h组,电针24h组、电针48h组、电针72h组.采用改良线栓法制备局灶型脑缺血再灌注大鼠模型(MCAO),电针,选用2Hz,ImA,连续波,穴取大椎、内关穴,运用免疫组化(SABC)法观察各组大鼠海马GDNF的表达.结果 模型各组大鼠缺血侧海马GDNF的表达显著低于电针相应各组( P<0.05,P<0.01).结论 电针可能通过提高局灶性脑缺血再灌注海马GDNF的表达发挥神经保护作用.     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层微血管超微结构及血管内皮生长因子表达的影响

目的:探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层的保护作用。方法:SD大鼠随机分为正常组(n=8)、假手术组(n=8)、模型组(n=32)、电针组(n=32),后两组再各分为再灌注后1d、2d、4d、8d4个亚组,每组8只大鼠。采用线栓法制备大鼠大脑中动脉闭塞模型。电针组于脑缺血0.5h再灌注1h后每天行1次电针治疗,取"百会"水沟"足三里"穴。透射电子显微镜下观察各组大鼠右侧大脑皮层微血管内皮的超微结构,逆转录酶-聚合酶链反应法检测各组大鼠右侧大脑皮层血管内皮生长因子(VEGF)mRNA的表达。结果:模型组大鼠的大脑皮层微血管超微结构损害明显,缺血侧大脑皮层VEGF mRNA表达与正常组、假手术组比较明显升高(P<0.05,P<0.01);电针组大脑皮层微血管超微结构明显改善,大脑皮层VEGF mRNA表达水平与相应时相的模型组相比均明显增强(P<0.01)。结论:脑缺血再灌注促使缺血脑区微血管内皮细胞VEGF mRNA合成;电针对脑缺血再灌注大鼠大脑皮层微血管的超微结构形态学损伤具有明显的保护作用,电针治疗可进一步促进缺血脑区微血管内皮细胞VEGF mRNA的表达并调控血管新生,帮助脑内微血管的功能重建是针刺发挥脑保护作用的途径之一。     

电针对脑缺血再灌注损伤小鼠海马神经元凋亡及Bcl-2、Bax表达的影响

目的：观察电针对脑缺血再灌注损伤小鼠海马神经元凋亡及相关基因Bcl-2、Bax表达的影响。方法：复制脑缺血再灌注小鼠模型,电针肾俞、膈俞和百会穴,对照组灌胃喜得镇,分别于治疗第1天和第7天后,以流式细胞术（FCM）法检测小鼠海马细胞凋亡率、Bcl-2、Bax表达。结果：术后第1天,模型小鼠海马细胞凋亡率明显增高,术后第7天较术后第1天增高（P〈0.01）。说明海马细胞由于反复脑缺血再灌注而出现凋亡。模型组术后第1天,海马Bcl-2表达明显下降;术后第7天,则明显增高,并高于术后第1天（P〈0.01）。模型组术后第1天和第7天海马Bax表达均增高（P〈0.01）。电针在两个时点均可上调海马Bcl-2表达,下调Bax表达,降低凋亡率（P〈0.01）。结论：电针具有抑制细胞凋亡、保护神经元的作用。     

电针对脑缺血再灌注大鼠海马神经元BCL-2蛋白表达的影响

目的:探讨针刺对脑缺血再灌注损伤后抑制细胞凋亡作用。方法:采用改良线栓法建立大鼠局灶脑缺血再灌注模型(MCAO) ,用免疫组化方法观察凋亡相关蛋白BcL 2在各组MCAO大鼠海马区的表达水平,并用图像分析比较。结果:空白组海马区未见BcL 2蛋白表达;假手术组海马C1区BcL 2蛋白有少量表达;而缺血再灌注2 4小时后,BcL 2蛋白表达至高峰,在2 4小时～4 8小时呈下降趋势,到72小时时仅有少量表达;在相应时间点与缺血再灌注组相比较,电针组BcL 2蛋白阳性细胞数增加(P <0 0 1) ,其中以电针治疗A组最为明显。结论:电针“大椎”、“内关”两穴,对实验性局灶脑缺血再灌注损伤有明确的保护作用,通过上调海马区Bcl 2的蛋白表达,减轻缺血半暗区神经元损害     

电针对大鼠脑缺血-再灌注损伤的防护

目的　观察电针治疗缺血性脑病的可能机制。方法　采用结扎大鼠双侧颈总动脉造成的脑缺血 -再灌注损伤模型 ,测定不同时间电针前后海马内 MDA含量和 SOD、GSH -Px活性并计数断头后大鼠喘息次数和持续时间。每日电针“百会”、“风池”、“大钟”及“足三里”穴 30 min共 14 d,取疏 -密波 ,频率 :2 -2 0 H z,强度 :2 .0 A。结果　电针能显著延长大鼠脑缺血 -再灌注后的存活时间 ;降低缺血 -再灌注后大鼠海马的 MDA含量 (d7:2 .5 7± 0 .62 nmol/mg,d14 :1.18± 0 .47nm ol/m g)及提高SOD(d7:5 .18± 1.82 u/m g,d14 :6.91± 2 .47u/mg)及 GSH-Px(d7:9.5 0± 1.0 9u/mg,d14 :11.65± 1.72 u/m g)的活性。结论　电针能提高大鼠抵抗脑缺血 -再灌注的损伤能力 ,其作用机制可能与电针提高动物体内氧化酶活性、抑制自由基生成有关     

电针“水沟”对脑梗死大鼠脑动脉血管细胞内三磷酸肌醇及二酰基甘油含量的影响

目的:探讨电针"水沟"穴对梗死脑动脉血管细胞内信息转导通路的影响。方法:Wistar大鼠56只,随机分为模型组24只、针刺组24只和空白对照组8只,前两组又分为大脑中动脉阻滞后1、3、6h3个时相组,每组8只。采用Longa腔内线栓法阻滞大鼠右侧大脑中动脉,复制脑梗死模型。电针"水沟"穴(15Hz,0.1mA),持续20min。镜下剥离脑表面动脉血管组织,应用蛋白质竞争结合分析法测定胞内三磷酸肌醇(IP3)含量;采用薄层定量分析法测定胞内二酰基甘油(DAG)含量。结果:①模型1、3、6h3个时相组胞内IP3及DAG含量均明显高于空白对照组(P<0.01),针刺1、3、6h3个时相组胞内IP3及DAG含量均明显低于相应模型组(P<0.01)。结论:电针"水沟"穴调节脑梗死大鼠脑血管舒缩运动从而促进侧支循环的效应可能与细胞内IP3及DAG等信使物质有关。     

电针对脑缺血再灌注大鼠脑红蛋白的影响

目的:观察脑缺血再灌注损伤大鼠脑红蛋白(neuroglobin,NgB)的表达以及电针预处理对NgB表达的影响,探索NgB在电针预处理诱导的脑保护效应中的作用。方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组及电针组,每组16只。电针组给予电针刺激"百会",每天30min,持续5d。预处理后采用右侧大脑中动脉阻闭法,缺血120min后行再灌注,制备大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤模型。脑缺血再灌后24h进行神经行为学评分,然后检测脑梗死容积,免疫荧光双标法检测NgB表达水平。另一批SD雄性大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注6、24、72h组,每组6只,分别通过免疫荧光双标法观察缺血半暗带NgB表达水平的变化。结果:电针预处理后电针组较模型组脑梗死容积百分比明显减低(P<0.01),神经行为学评分及NgB含量明显增加(P<0.01)。脑缺血再灌注后6hNgB表达开始上调,24h为表达高峰(P<0.01),并至少可以持续到72h。结论:电针预处理能显著提高脑缺血再灌注大鼠神经行为学评分,降低脑梗死容积,并可进一步上调缺血半暗带NgB表达,诱导脑缺血耐受,从而减轻脑缺血再灌注损伤。     

“嗅三针”电刺激对脑缺血再灌注大鼠神经元线粒体保护作用的观察

目的:探讨“嗅三针”电刺激对急性局灶性脑缺血再灌注大鼠神经元线粒体保护作用的机理。方法:SD大鼠30只,分为模型组、电针组和对照组。电针组给予“嗅三针”电刺激,疏密波,频率80-100 Hz,强度1-3 mA,持续60 min。进行线粒体体视学检测,Tietze还原酶法测定血清还原型谷胱甘肽(GSH),DT-NB直接法测定血清谷胱甘肽过氧化物酶(GSH-Px)。结果:模型组大脑皮层神经元线粒体体视学及血清GSH和GSH-Px检测结果与对照组相比较均有显著性差异(P<0.05);电针治疗后,大脑皮层神经元线粒体体视学及血清GSH和GSH-Px检测结果均有明显改善,与模型组相比较有显著性差异(P<0.05)。结论:“嗅三针”电刺激对急性局灶性脑缺血再灌注大鼠引发的大脑皮层神经元线粒体损伤具有确切的保护作用,其治疗作用可能是通过拮抗活性氧过氧化损伤来实现的。     

电针对暂时性脑缺血大鼠线粒体功能损伤的保护作用

目的:对电针抗氧化应激参与缺血再灌注脑功能损伤的保护机制作进一步探讨。方法:采用大脑中动脉栓塞法(middle cerebral artery occlusion,MCAO)建立大鼠脑缺血再灌注模型。Sprague-Dawley(SD)雄性大鼠分成4组:模型组(MCAO)、模型+电针组(MCAO+EA)、假手术组(Sham)和假手术+电针组(Sham+EA)。电针穴位取“水沟”和“百会”。以比色法测定线粒体细胞色素C氧化酶的活性,以凝胶电泳法检测线粒体DNA的损伤。结果:MCAO组线粒体细胞色素C氧化酶活性比Sham组显著性降低;MCAO+EA组给予电针处理后,酶活性虽然仍低于Sham组,但比MCAO组明显升高,而电针对Sham组没有明显的影响。凝胶电泳显示MCAO组核心区形成DNA梯形条带,半影区存在一定程度的DNA链断裂性损伤;电针可以减轻半影区DNA的损伤程度,而对核心区DNA损伤无明显改善。结论:缺血早期给予电针治疗对缺血再灌注脑损伤具有良好的保护作用,其可能通过减轻半影区线粒体DNA的氧化性损伤,调整线粒体呼吸链关键酶功能,缓解了脑细胞的氧化应激,从而保护脑梗塞区部分受损细胞的功能。     

督脉穴位电针对暂时性脑缺血所致神经细胞死亡的影响

目的 :观察电针对神经细胞死亡、DNA损伤及凋亡相关基因蛋白 (Bcl 2、Bax、P53 )表达的影响。方法 :采用短暂脑缺血再灌注 (MCAo)模型 ,应用HE、TUNEL、免疫组织化学等实验技术进行观察。结果 :大脑中动脉阻塞 2hr后 ,随着再灌时间的增加梗塞灶面积进行性发展 ,在不同再灌时间点 ,电针均能减小梗塞面积 ,而且电针可明显减少短暂脑缺血再灌注后细胞坏死和DNA损伤 ,并上调Bcl 2 /Bax比值 ,和减少P53的表达。结论 :电针具有神经保护作用 ,其部分作用可能通过调节凋亡相关基因蛋白的表达而实现     

电针对大鼠脑缺血灶周围区少突胶质细胞超微结构及蛋白表达的影响

目的:观察电针对脑缺血大鼠缺血灶周围区皮层不同时间段少突胶质细胞反应性变化的影响,进一步揭示针刺治疗脑缺血疾病的可能作用机制。方法:雄性SD大鼠90只,随机分为假手术组、模型组和电针组,各组又分为术后1h、1d、3d、7d及21d组5个时间段亚组,6只/亚组。采用改良线栓法阻塞大脑中动脉复制局灶性脑缺血模型。电针组电针"百会""大椎"穴,留针30min,1次/d。用透射电镜观察缺血灶周围区皮层的少突胶质细胞超微结构。用蛋白标记物A2B5、O4、CNPase分别标记前体少突胶质细胞、未成熟少突胶质细胞、成熟少突胶质细胞,免疫组化法观测各组大鼠蛋白表达变化。结果:模型组少突胶质细胞在缺血性脑损伤后肿胀、增多,电针组的少突胶质细胞肿胀程度较模型组减轻并促进少突胶质细胞的增生。模型组A2B5的表达在术后3d、7d时明显高于假手术组(P0.05),在7d时表达最强,而电针组A2B5的表达在术后1h、3d、7d、21d时均明显高于模型组(P0.01,P0.05);模型组O4的表达在术后1h、1d、3d、7d时均明显低于假手术组(P0.01),在3d时表达最少,而电针组O4的表达在1d、3d、7d、21d时均高于模型组(P0.05,P0.01);模型组CNPase的表达在术后3d、7d时明显高于假手术组(P0.05),而电针组CNPase的表达在术后1d、3d、7d、21d时均明显高于模型组(P0.01,P0.05)。结论:电针可能通过减轻脑缺血引起的少突胶质细胞结构性损伤及促进A2B5、O4、CNPase表达,发挥胶质细胞对神经元的保护效应。     

电针对局灶性脑缺血大鼠缺血灶周围区胶质纤维酸性蛋白表达的影响

目的:观察电针对不同时间段局灶性脑缺血大鼠缺血灶周围区胶质纤维酸性蛋白(GFAP)表达及星形胶质细胞超微结构的影响,探讨电针治疗脑缺血疾病的可能作用机制。方法:随机将90只W istar大鼠均分为假手术组、模型组和电针组,每组又分为1h、1天、3天、7天和21天5个时间段小组,每小组6只大鼠,采用热凝闭大脑中动脉建立局灶性脑缺血模型,电针组取"百会"、"大椎"穴,选用疏密波,5~10次/s,电压2~3V,留针30m in。每天1次,分别治疗1h、1天、3天、7天和21天后取材。采用透射电镜观察不同时段各组大鼠脑缺血灶周围区星形胶质细胞的超微结构,采用免疫组化法检测星形胶质细胞GFAP表达的变化。结果:电镜下可见星形胶质细胞在缺血性脑损伤后肿胀、增多,电针组的星形胶质细胞肿胀程度较模型组减轻。模型组和电针组GFAP表达在1h时与假手术组比较,差异无显著性意义(P>0.05),在1天、3天、7天及21天时,模型组和电针组GFAP表达都明显高于假手术组(均P<0.01),尤其是在7天时表达最强,而电针组GFAP表达在各时段均明显低于模型组(P<0.05,P<0.01)。结论:脑缺血后星形胶质细胞出现反应性增生活化,电针可减轻星形胶质细胞肿胀,抑制星形胶质细胞GFAP的过度表达,电针治疗脑缺血的机制可能与其干预星形胶质细胞的活化状态有关。     

电针对脑缺血再灌注大鼠脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡的影响

目的:探讨针刺对脑缺血再灌注大鼠神经元保护作用的机制。方法:雄性SD大鼠36只,随机分为假手术组(Sham)、脑缺血再灌注组(CI/R)及脑缺血再灌注+电针组(CI/R+EA),每组12只。采用改良线栓法制备局灶性脑缺血(MCAO)再灌注模型。于再灌流开始后,CI/R+EA组电针"水沟"百会"穴,电针参数:频率2~15 Hz,间断疏密波,电流强度1 mA,以局部肌肉轻微震颤为度,时间30 min。以罗丹明123和Annexin V-FITC进行荧光染色,通过流式细胞仪检测细胞内荧光强度,分析脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡发生率的变化。结果:CI/R组大鼠大脑皮层细胞线粒体膜电位明显低于假手术组(P<0.01),细胞凋亡率显著升高(P<0.01);电针治疗后,线粒体膜电位升高,细胞凋亡率受到抑制,与CI/R组比较差异有显著性意义(P<0.01)。结论:针刺治疗可明显减轻大鼠脑缺血再灌注损伤,上调神经细胞线粒体膜电位水平可能是针刺抑制大鼠脑缺血再灌注后神经细胞凋亡的机制之一。