电针神庭、百会对脑缺血再灌注大鼠认知功能及Beclin-1表达的影响

目的观察电针神庭、百会对脑缺血再灌注大鼠认知功能的影响,并探讨其可能机制。方法雄性Sprague-Dawley大鼠45只随机分为假手术组(n=15)、模型组(n=15)和电针组(n=15)。模型组和电针组采用线栓法制备脑缺血2 h再灌注模型。电针组术后2 h起电针百会、神庭共7 d。各组术后1 d、3 d、5d、7 d行Longa评分;干预后4 d起,行Morris水迷宫测试,共4 d。干预后7 d,TTC染色检测脑梗死体积,Western blotting检测缺血侧Beclin-1蛋白表达。结果干预后3 d起,与模型组相比,电针组大鼠Longa评分降低(P0.05)。各时间点,与模型组相比,电针组逃避潜伏期缩短(P0.05),穿越平台次数提高(P0.05)。与模型组相比,电针组脑梗死体积显著减小(F=7.651,P0.001),Beclin-1表达增强(P0.05)。结论电针百会、神庭穴可以改善脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力,可能与调控自噬网络有关。     

电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及海马CA1区突触超微结构的影响

目的观察电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及损伤大鼠海马CA1区突触超微结构的影响。方法雄性Sprague-Dawley大鼠25只随机分为假手术组(n=6)和手术组(n=19)。手术组线栓法建立左侧大脑中动脉栓塞90 min后再灌注模型,筛选符合纳入标准的12只大鼠随机分为模型组和电针组各6只。电针组电针百会、神庭穴7 d。采用Longa评分检测大鼠神经功能;小动物磁共振成像分析系统T2加权成像观察脑梗死体积;Barnes迷宫测试检测大鼠学习记忆能力;透射电镜观察海马CA1区突触超微结构。结果与模型组相比,电针组Longa评分降低(P0.05),脑梗死体积明显减少(P0.01);Barnes迷宫测试逃避潜伏期明显缩短(P0.01),平均进入错误洞口次数显著减少(P0.001)。透射电镜显示,模型组突触结构溶解,数量减少,囊泡稀疏、破坏;与模型组相比,电针组突触结构较清晰,突触数量较多,突触囊泡较多。结论电针百会、神庭能有效改善脑缺血再灌注大鼠的学习记忆能力,其机制可能与改善海马CA1区突触的超微结构,提高突触可塑性有关。     

电针百会、神庭穴对缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力及海马CA1区嘌呤受体P2X7表达的影响

目的观察电针百会、神庭穴对缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能的影响,并探究其可能机制。方法雄性Sprague-Dawley大鼠42只随机分为假手术组(n=12)和手术组(n=30)。手术组线栓法制备左侧大脑中动脉栓塞90 min再灌注模型,符合纳入标准的24只分为模型组(n=12)和电针组(n=12)。电针组电针百会、神庭共7 d。造模后2 h和干预后1 d、3 d、7 d,采用Longa神经行为学评分进行评定;干预后3 d起行Barnes迷宫实验检测,共5 d;干预7 d后,免疫荧光标记法检测缺血侧海马CA1区嘌呤受体P2X7的表达,酶联免疫吸附法检测海马CA1区白细胞介素-1β(IL-1β)、肿瘤坏死因子-α(TNF-α)。结果干预后7 d,与模型组相比,电针组Longa评分降低(P0.05);与假手术组相比,模型组Barnes迷宫逃避潜伏期显著延长(P0.001),进入错误洞口次数显著增多(P0.001);与模型组相比,电针组逃避潜伏期显著缩短(P0.001),进入错误洞口次数显著减少(P0.001);与假手术组比较,模型组P2X7受体平均光密度,IL-1β、TNF-α水平均显著提高(P0.001);与模型组相比,电针组P2X7受体表达,IL-1β、TNF-α水平减少(P0.05)。结论电针百会、神庭穴能有效改善缺血再灌注损伤大鼠的学习记忆能力,可能与抑制海马CA1区嘌呤受体P2X7表达,改善缺血再灌注损伤大鼠海马CA1区神经炎症反应有关。     

电针对脑缺血再灌注大鼠学习记忆功能及海马组织Nogo-A/NgR表达的影响

目的:观察电针对脑缺血再灌注大鼠学习记忆功能及海马组织Nogo-A/Ng R表达的影响,探讨电针治疗脑卒中后认知功能障碍的作用机制。方法:将45只雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组和电针组,每组均15只。模型组和电针组参照Longa线栓法建立大鼠局灶性脑缺血再灌注模型。电针组针刺"百会穴"和"神庭穴",共干预7天;假手术组和模型组在同等条件下饲养和抓取。利用Morris水迷宫实验评估大鼠的学习记忆功能;TTC染色法观察脑梗死体积;免疫印迹法检测脑梗死侧海马组织Nogo-A及其受体Ng R的表达。结果:与模型组相比,电针组大鼠逃避潜伏期和找到平台所经过的路程缩短,跨越平台次数增加(P<0.05);电针组大鼠脑梗死体积减小(P<0.05);电针组大鼠海马区Nogo-A及其受体Ng R的表达量降低(P<0.05)。结论:电针可改善脑缺血再灌注大鼠的学习记忆功能,其作用机制可能与抑制脑梗死侧海马组织中Nogo-A及其受体Ng R的表达有关。     

电针对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及RhoA蛋白表达的影响

目的探讨电针神庭、百会穴对脑缺血再灌注模型大鼠学习记忆能力的影响及其可能机制。方法 45只雄性Sprague-Dawley大鼠随机分为假手术组(n=15)、模型组(n=15)和电针组(n=15)。模型组和电针组均采用左侧大脑中动脉缺血(MCAO)再灌注模型。电针组电针神庭、百会穴共7 d。采用Morris水迷宫测试观察大鼠学习记忆能力;尼氏染色观察大鼠海马神经元形态结构变化;Western blotting法检测大鼠左侧海马Rho A蛋白的表达。结果与模型组相比,电针组学习记忆能力改善(P0.05),海马神经元损伤减少(P0.05),海马组织中Rho A蛋白表达降低(P0.05)。结论电针能够改善脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力,其机制可能与抑制Rho A蛋白表达有关。     

电针对脑缺血再灌注模型大鼠脑组织Beclin-1蛋白及基因表达的影响

目的:观察电针(EA)对脑缺血再灌注认知障碍模型大鼠脑组织中Beclin-1的影响,探讨脑卒中后认知障碍的康复机制。方法:健康SD雄性大鼠105只,随机分为3组:电针组、模型组和假手术组,每组35只;大鼠缺血再灌注模型采用改良线栓法栓塞左侧大脑中动脉制备。电针"神庭穴"、"百会穴"各30min,1次/日,从术后第1天至第10天动物处死。采用Morris水迷宫实验观测模型大鼠的学习、记忆能力;采用Western blot和荧光定量PCR法检测大鼠脑组织Beclin-1蛋白和基因的表达。结果:造模后的第4到第8天,模型组大鼠的逃避潜伏期较假手术组长(P0.05),EA组大鼠的逃避潜伏期较模型组缩短(P0.05)。电针组大鼠海马及左侧大脑皮质中Beclin-1蛋白的电泳条带与假手术组相比,电针组条带灰度值较假手术组高(P0.05),与模型组相比,电针组Beclin-1蛋白电泳条带灰度较模型组高(P0.05)。模型组和电针组的Beclin-1基因表达的2~(-△△)Ct与假手术组相比差异明显,均升高(P0.05)。但电针组Beclin-1基因表达的2~(-△△)Ct明显较模型组高(P0.05)结论:(1)电针神庭、百会可以促进脑缺血再灌注后认知障碍模型大鼠的认知功能的恢复;(2)电针可以提高缺血再灌注模型大鼠脑组织中的Beclin-1表达。Beclin-1是一种自噬相关蛋白,直接执行自噬的过程,被作为自噬发生的标志物。对自噬网络系统的调控可能是电针能够改善脑卒中后认知障碍的生物学机制之一。     

电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆影响的小动物磁共振波谱研究

目的:观察脑缺血再灌注损伤大鼠海马区神经细胞代谢,探讨电针改善脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力的机制。方法:将SD大鼠按照随机数字表分为假手术组、模型组、电针组;利用Koizumi线栓法制备左侧大脑中动脉缺血再灌注大鼠模型,电针百会、神庭穴,每天1次,每次30 min,持续7 d;采用Morris水迷宫评估大鼠学习记忆能力,小动物核磁共振T2WI成像观察大鼠脑梗死,小动物磁共振波谱(MRS)观察大鼠海马区神经细胞代谢。结果:电针干预7 d后,大鼠在Morris水迷宫中穿越平台的次数显著增加(P0.01);大鼠脑梗死体积减少(P0.01),大鼠海马区N-乙酰天门冬氨酸(NAA)、胆碱复合物(Cho)左侧/右侧含量的比值均升高(P0.05)。结论:电针刺激百会、神庭穴可改善脑缺血再灌注损伤大鼠海马区NAA和Cho的代谢,起到神经保护作用,从而改善学习记忆能力。     

电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及海马5-羟色胺1A受体表达的影响

目的探讨电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注(MCAO/R)大鼠学习记忆的影响及其可能的作用机制。方法将90只健康雄性Sprague-Dawley大鼠随机分为假手术组(n=18)和手术组(n=72)。手术组参照线栓法制备MCAO/R大鼠模型。将符合纳入标准的54只手术组大鼠随机分为模型组(n=18)、电针组(n=18)和非穴组(n=18)。电针组电针百会、神庭穴共14 d。小动物磁共振扫描检测脑梗死体积;Morris水迷宫测试检测学习记忆能力;免疫组化检测5-羟色胺1A(5-HT_(1A))受体的定位和表达。结果干预前各组大鼠脑梗死体积无显著性差异(F=1.678,P0.05)。干预后,与模型组和非穴组相比,电针组脑梗死体积显著减小(P0.001)。Morris水迷宫测试中,电针组较模型组和非穴组逃避潜伏期显著缩短(P0.001),穿越平台次数增加(P0.05)。5-HT_(1A)受体在缺血侧海马CA1、CA3和DG区均出现表达,电针组表达量较模型组和非穴组均降低(P0.05)。非穴组各项指标与模型组比较均无显著性差异(P0.05)。结论电针百会、神庭穴可有效改善MCAO/R大鼠的学习记忆能力,其机制可能与调节海马区5-HT_(1A)受体表达有关。     

电针神庭、百会对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力和海马CA1区环磷酸腺苷效应元件结合蛋白及其磷酸化水平的影响

目的探讨电针神庭、百会治疗脑卒中后认知功能障碍的机制。方法 45只Sprague-Dawley大鼠随机分为假手术组、模型组和电针组,每组15只。后两组线栓法复制大鼠大脑中动脉缺血2 h再灌注模型。电针组于造模后24 h开始电针神庭和百会,共7 d。每天电针后行Morris水迷宫测试。治疗后,取大鼠脑组织TTC染色测量脑梗死体积,免疫组化检测海马CA1区环磷酸腺苷效应元件结合蛋白(CREB)及其磷酸化水平(p-CREB)的表达。结果从第4天开始,与模型组相比,电针组大鼠逃避潜伏期及游泳路程缩短(P0.05);穿越平台次数增多(P0.05)。电针组大鼠脑梗死体积小于模型组(P0.05);海马CA1区CREB、p-CREB表达量较模型组增加(P0.05)。结论电针神庭、百会后,脑缺血再灌注大鼠海马CA1区CREB、p-CREB表达量增加,从而保护神经元,改善学习记忆功能。     

电针对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能的影响

目的探讨电针神庭、百会对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能的影响及其机制。方法雄性Sprague-Dawley大鼠45 只,随机分为假手术组(n=15)、模型组(n=15)和电针组(n=15)。模型组、电针组用线栓法制备局灶性脑缺血2 h 再灌注损伤模型。电针组行电针干预7 d。各组在造模后3 d 开始行Morris 水迷宫测试。7 d 后尼氏染色观察海马神经细胞变化,逆转录PCR检测Bcl-2、Bax mRNA表达。结果电针组逃避潜伏期显著低于模型组(P<0.001),穿过平台次数显著低于模型组(P=0.001)。电针组海马区细胞损伤及Bax mRNA水平降低、Bcl-2 mRNA水平提高(P<0.05)。结论电针能改善局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力,保护神经细胞,其机制可能与调节凋亡相关基因Bax、Bcl-2 的表达有关。     

不同穴组电针对局灶性脑梗死大鼠神经行为学及Neurocan表达的影响

目的比较电针不同经络穴组对局灶性脑梗死大鼠神经行为学及neurocan表达的干预效果。方法将健康成年雄性Sprague-Dawley大鼠85只随机分为5组:假手术组(n=5)、模型组(n=20)、水沟-百会组(n=20)、肝俞-肾俞组(n=20)和足三里-曲池组(n=20);模型组和各电针组线栓法制作大鼠大脑中动脉闭塞模型,随机再分为脑缺血1 d、3 d、7 d、14 d和21 d共5个亚组。神经行为学采用Longa评分,RT-PCR及免疫组化测定缺血侧皮质neurocan mRNA和蛋白表达。结果假手术组无神经功能障碍;各电针组大鼠在缺血3 d后神经行为学评分逐渐恢复,7~21 d时较模型组明显改善(P<0.05)。模型组neurocan mRNA和蛋白表达在缺血1 d后逐渐增强,14 d达到峰值,21 d时有所下降,但仍维持高水平表达(P<0.01);各电针组在缺血3 d后neurocan mRNA和蛋白表达均较模型组低(P<0.05),其中水沟-百会和肝俞-肾俞组在缺血14 d时neurocan mRNA和蛋白表达较足三里-曲池组低(P<0.05)。结论局灶性脑梗死大鼠缺血侧皮质neurocan mRNA和蛋白表达明显上调。急性期给予电针刺激能下调其表达水平,改善神经行为学评分;其中电针水沟-百会穴和肝俞-肾俞穴较足三里-曲池穴治疗效果更好。     

电针神庭、百会穴对脑缺血再灌注后认知障碍大鼠学习记忆能力及自噬相关基因和蛋白表达的影响

目的:观察电针神庭、百会穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及海马部位自噬相关基因和蛋白表达的影响,探讨脑卒中后认知障碍康复的机制。方法:清洁级健康SD雄性大鼠48只,按照随机数字表分为电针组18只、模型组18只和假手术组12只;电针组和模型组采用改良Zea Longa线栓法建立大鼠脑缺血再灌注损伤模型。造模后第2天电针其神庭、百会穴,每次30 min,每天1次,造模后第10天处死动物。电针干预后第4~8天,采用Morris水迷宫实验观察大鼠学习记忆能力,TTC染色观察大鼠脑梗死面积,荧光定量PCR和Western Blot分别检测大鼠海马部位自噬相关基因和蛋白表达。结果:(1)Morris水迷宫实验:与模型组比较电针组大鼠的逃避潜伏期明显缩短,穿越平台期的次数增多,路程缩短(P0.05);(2)神经缺损评分:与模型组比较,电针组治疗后脑缺血再灌注损伤大鼠的神经缺损评分降低(P0.05);(3)TTC染色结果:电针组和模型组中大鼠梗死面积明显高于假手术组;与模型组比较,电针组大鼠梗死体积明显减小,差异有统计学意义(P0.05);(4)基因及蛋白表达:与模型组比较,电针组左侧海马部位的Beclin-1、LC3Ⅰ/Ⅱ、PI3K的基因及蛋白表达水平升高,差异有统计学意义(P0.05)。结论:电针神庭、百会穴可减少脑梗死体积,改善动物行为学,对神经细胞具有保护作用。对自噬的调控可能是电针能改善脑卒中后认知障碍的生物学机制之一。     

电针对缺血再灌注大鼠脑内神经干细胞分化的影响

目的观察电针对缺血再灌注大鼠神经干细胞分化的影响,探讨电针发挥脑保护作用的可能机制。方法 36只雄性Sprague-Dawley大鼠随机分为假手术组(n=12)、模型组(n=12)和电针组(n=12)。模型组与电针组均按照改良Longa法制备左侧大脑中动脉阻断90 min后再灌注模型。电针组行电针曲池、足三里干预21 d。电针后7 d、14 d、21 d行改良神经功能评分。电针后21d小动物磁共振扫描仪T2WI观察大鼠脑梗死体积;Brd U/Dcx、Brd U/Neu N免疫荧光观察缺血侧神经干细胞分化情况。结果电针后7 d、14 d、21 d,电针组神经功能评分差值高于同时间点模型组(P0.05)。电针后21 d,电针组脑梗死体积小于模型组(P0.05);室管膜下区Brd U~+/Dcx~+细胞数显著少于模型组(P0.001),缺血周围皮质区Brd U~+/Neu N~+细胞数显著多于模型组(P0.001)。结论电针曲池、足三里可以改善缺血再灌注大鼠神经功能缺损评分,减小脑梗死体积;可能与促进增殖的细胞向神经元分化有关。     

电针预处理对脑缺血再灌注大鼠缺血半暗区细胞凋亡及凋亡相关蛋白表达的影响

目的探讨电针预处理对脑缺血再灌注后细胞凋亡的保护作用。方法雄性Sprague-Dawley大鼠72只随机分成假手术组(n=24)、模型组(n=24)和电针预处理组(n=24)。后两组采用改良Longa法制备大鼠缺血2 h再灌注模型,电针预处理组造模前连续电针百会2周。再灌注24 h后,采用改良神经损害严重程度评分(m NSS)进行评估,TTC染色观测脑梗死体积,TUNEL法观察缺血半暗区细胞凋亡情况,Western blotting检测缺血半暗区p53、Bcl-2、Bax蛋白表达。结果与模型组比较,电针预处理组mNSS评分降低(P0.05),脑梗死体积缩小(P0.05),TUNEL阳性细胞数减少(P0.05),p53、Bax蛋白水平均降低(P0.05),Bcl-2蛋白水平升高(P0.05),Bax/Bcl-2比降低(P0.05)。结论电针预处理对脑缺血再灌注大鼠有保护作用,可能与其抑制缺血半暗区p53蛋白表达,下调Bax/Bcl-2比值,从而减轻细胞凋亡有关。     

电针改善局灶性脑缺血大鼠学习记忆障碍的脑影像结构和超微结构研究

目的:观察电针神庭、百会对局灶性脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力的影响,探讨其可能的作用机制。方法:将SPF级雄性大鼠45只随机分为假手术组、模型组和电针组,每组各15只;模型组和电针组均用改良的线栓法建立大鼠左侧大脑中动脉局灶性缺血(MCAO)再灌注模型;电针组大鼠予以电针神庭、百会,共7d。用Morris水迷宫检测大鼠的学习记忆能力,小动物MRI、TTC染色检测脑梗体积,透射电镜观察大鼠脑超微结构的变化。结果:与模型组比较,电针组可以明显改善MCAO大鼠找到平台的时间和减少错误率,并能减小大鼠脑梗死体积,差异具有显著性(P0.05);电针组大鼠脑线粒体、核膜等超微结构改善明显。结论:电针神庭、百会能够减小脑梗死体积,改善脑的超微结构,改善MCAO大鼠的学习记忆能力。     

电针对血管性认知障碍大鼠脑功能局部一致性的效果北大核心CSCD

目的观察电针百会、神庭对血管性认知障碍(VCI)大鼠脑区功能活动和工作记忆的影响。方法18只Sprague-Dawley大鼠,其中12只结扎双侧颈总动脉造模,假手术组6只不结扎。造模大鼠随机分为模型组(n=6)和电针组(n=6),电针组电针百会和神庭,共4周。干预前后采用Y迷宫、Morris水迷宫进行评定;干预后行静息态功能磁共振成像扫描,计算局部一致性(ReHo)。结果干预前,与假手术组相比,模型组和电针组Y迷宫交替率显著降低(P<0.001),Morris水迷宫逃避潜伏期升高(P<0.05);干预后,电针组Y迷宫交替率较模型组增高(P<0.05),Morris水迷宫工作记忆逃避潜伏期降低(P<0.05)。与假手术组相比,模型组双侧海马、嗅觉皮质、感觉皮质、听觉皮质,左侧纹状体ReHo降低;与模型组相比,电针组双侧前额叶、海马、嗅觉皮质,左侧杏仁核ReHo升高。结论电针百会、神庭可改善VCI大鼠工作记忆,可能与调节前额叶、海马、杏仁核等脑区功能活动有关。     

电针合谷穴对大鼠局灶性脑缺血再灌注后脑内毛细血管密度及CD34表达的影响

目的观测电针大鼠双侧合谷穴(LI04)对局灶性脑缺血再灌注后脑内CD34表达及血管新生的影响。方法90 只大鼠随机分为正常组(n=6)、模型组(n=42)和电针组(n=42)。模型组和电针组采用线栓法制备大鼠局灶性脑缺血再灌注模型,电针组采用电针治疗。局灶性脑缺血1 h 后再灌注,观察再灌注后2 h、12 h、24 h、3 d、7 d、14 d、21 d 共7 个时相点大鼠神经症状学评分,采用HE染色观察并计算梗死体积和毛细血管密度,免疫组织化学法检测CD34的表达。结果电针组与模型组比较,再灌注后各时间点神经症状学评分降低(P<0.05)。电针组梗死体积显著小于模型组(P<0.001)。与模型组相比,电针组毛细血管密度再灌注后2 h 开始增加(P<0.05),再灌注后24 h 到再灌注后14 d 均较模型组明显增加(P<0.01)。电针组再灌注后3 d CD34阳性细胞表达较模型组明显增加(P<0.01),7 d 增加达高峰(P<0.01),14 d 仍有显著性差异(P<0.05)。结论电针能促进局灶性脑缺血再灌注后CD34的表达,增加毛细血管密度,促进血管新生。     

川芎嗪对大鼠脑缺血再灌注损伤的作用

目的探讨中药川芎嗪对大鼠脑缺血再灌注损伤的作用机制。方法选用雄性Wistar大鼠25只,随机分为正常对照组(n=5)、脑缺血再灌注组(n=6)、尼莫地平组(n=7)及川芎嗪组(n=7)。正常对照组不做任何处理;余3组采用改良Zea Longa线栓法建立可再通脑缺血模型,模型成功建立后,各组大鼠腹腔分别注射0.9%氯化钠注射液、尼莫地平、川芎嗪;于脑缺血3 h和再灌注后48 h分别行神经功能评分。再灌注后48 h后测定各组大鼠脑血流。处死后对脑缺血再灌注组、尼莫地平组及川芎嗪组大鼠进行TTC染色计算脑梗死体积,并测定缺血区线粒体超氧化物歧化酶(SOD)活性。结果缺血再灌注48 h后4组脑血流值两两比较差异均有统计学意义(P<0.01);尼莫地平组与川芎嗪组脑梗死神经功能恢复评分均低于给药前和缺血再灌注组,差异均有统计学意义(P<0.01),且川芎嗪组改善情况优于尼莫地平组(P<0.01);缺血再灌注各组大鼠脑梗死区相对体积组间两两比较差异均有统计学意义(P<0.05,P<0.01)。川芎嗪组大鼠脑组织线粒体SOD活性与其他缺血再灌注组比较差异均有统计学意义(P<0.01)。结论川芎嗪具有抗氧自由基作用,可修复脑缺血再灌注损伤。     

电针百会、神庭调控BNIP3L介导的线粒体自噬和减轻脑缺血再灌注损伤的机制研究CSCD

目的:探讨电针百会、神庭调节线粒体自噬减轻脑缺血再灌注损伤的作用机制。方法:采用随机数字表法将60只SD大鼠随机分为假手术组15只和手术组45只。假手术组只分离、暴露血管,不结扎,不插入尼龙线。手术组大鼠采用大脑中动脉线栓阻塞法(MCAO)制备大鼠局灶性脑缺血-再灌注(I/R)模型,术后2 h采用Zea Longa法进行神经功能评分,最终纳入30只手术组大鼠。进一步将纳入的手术组大鼠随机分为模型组、电针组和电针+3-MA组,每组10只。造模分组成功后,各组给予电针等相应方式干预7 d,采用Zea Longa法于第1天、第3天、第5天、第7天再次进行神经功能评估。干预7 d后获取各组大鼠左侧大脑皮层组织,苏木精-伊红(HE)染色后观察脑组织病理学变化,Western blot法检测LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ蛋白表达水平,组织免疫荧光技术检测线粒体自噬相关蛋白表达共定位情况(BNIP3L和SQSTM1标记),TUNEL法检测各组大鼠神经细胞凋亡水平。结果:(1)造模2 h后手术组大鼠神经功能评分均显著升高,假手术组大鼠未表现出神经功能缺损症状,评分均为0分。干预后第7天模型组及电针+3-MA组大鼠神经功能评分仍显著升高,与假手术组比较,差异有统计学意义(P<0.05)。而电针组大鼠在电针干预后神经功能评分显著降低,与模型组及电针+3-MA组比较,差异均有统计学意义(P<0.05)。(2)HE染色结果可见,假手术组神经元胞体较大,多角形(多个突起),核着色浅,胞质可见特征性结构尼氏体;模型组神经元皱缩,胞质结构不清,胞浆嗜依红染色增强,尼氏体边聚或消失,核固缩,有的胞体变形缩小,呈三角形,细胞周围间隙增宽;电针组可以在一定程度上减轻缺血再灌注所致的病理损伤。(3)Western blot结果表明,MCAO后第7天模型组自噬水平(LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ)下降,与假手术组比较,差异有统计学意义(P<0.05);电针组可以激活自噬水平,与模型组比较,差异有统计学意义(P<0.05)。(4)模型组中皮质梗死区域线粒体自噬水平缺失,表现为红色荧光和绿色荧光强度减弱,而电针干预可以激活梗死区域神经细胞的线粒体自噬,表现为红色荧光和绿色荧光的表达增高及共定位增强(橘黄色)。(5)TUNEL检测结果表明,模型组大鼠凋亡率升高,与假手术组比较,差异有统计学意义(P<0.05);电针组的凋亡率降低,与模型组比较,差异有统计学意义(P<0.05)。电针+3-MA组结果表明,自噬抑制剂3-MA可以逆转电针对MCAO模型大鼠的神经保护作用。结论:电针百会、神庭可以减轻脑缺血再灌注模型大鼠神经功能损伤,其具体机制和调控BNIP3L介导的线粒体自噬、减轻脑缺血再灌注损伤和细胞凋亡有关。     

电针神庭、百会对大脑中动脉闭塞大鼠学习记忆的影响及机制研究

目的:研究磷酸化的环磷腺苷效应元件结合蛋白(p-c AMP-response element binding protein,p-CREB)、脑源性神经营养因子(brain-derived neurotrophic factor,BDNF)在大鼠脑缺血再灌注中的表达,探讨电针神庭、百会对脑缺血再灌注大鼠学习记忆功能的影响及其可能机制。方法:36只雄性SD大鼠,随机分为假手术组、模型组和电针组,每组分配12只。采用大脑中动脉闭塞(middle cerebral artery occlusion,MCAO)法建立局灶性脑缺血再灌注大鼠模型。电针组电针神庭、百会穴干预7d。各组采用Morris水迷宫实验评估大鼠的学习记忆功能;TTC染色观察缺血梗死体积;免疫组化染色检测海马CA1区pCREB,BDNF的表达。结果:与假手术组比较,模型组鼠到达水下平台的潜伏期长些(P0.01),通过平板的次数少些(P0.01)。电针组与模型组比较潜伏期显著短些(P0.05),通过平台的次数显著多些(P0.01)。与假手术组比较,模型组的p-CREB阳性细胞明显减少而BDNF光密度明显增加。与模型组比较,电针组的p-CREB阳性细胞明显增加(P0.01)而BDNF光密度也增加(P0.05),梗死的体积则小些。结论:电针神庭、百会可改善脑缺血再灌注大鼠的学习记忆功能,其作用机制可能与上调缺血侧海马CA1区pCREB,BDNF的表达有关。