首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
正畸种植支抗稳定性相关因素的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
正畸支抗的重要性已为正畸医生广泛认识,只有正确的支抗设计和良好的支抗控制才能取得高质量的的矫治效果.而传统支抗控制方法很难提供绝对稳定的支抗作用,对稳定有效且不依赖患者合作的新支抗手段的需求促进了正畸种植支抗的研究和发展,同时对种植支抗稳定性的影响因素也作了大量的研究和探讨.本文就这方面进行分析并探讨其临床应用前景.  相似文献   

2.
种植支抗的稳定性研究进展   总被引:3,自引:2,他引:1  
王珊  王林  赵春洋 《口腔医学》2006,26(3):229-231
种植支抗是近年来迅速发展的一项新技术,它克服了传统支抗的一些缺陷,简化了治疗过程。该文就种植支抗的稳定性问题作一综述。  相似文献   

3.
目的:使用扭矩分析和共振频率分析比较一种转矩拮抗型微种植支抗钉与商用微种植支抗钉的初期稳定性差异。方法以猪肋骨为骨组织模型预成长为4.0 mm,直径为1.0 mm的植入孔,植入两种不同的微种植支抗钉。分别测量最大植入扭矩( maximum insertion torque,MIT)、最大旋出扭矩( maximum removal torque,MRT)、种植体稳定系数(implant stability quotient,ISQ)。使用SPSS 13.0软件对数据进行统计分析。结果转矩拮抗型微种植支抗钉的MIT、MRT、ISQ值分别为(11.86±1.58) N·cm、(8.45±2.24) N·cm、61.80±2.93,商用微种植支抗钉的MIT、MRT、ISQ值分别为(10.36±1.42) N·cm、(6.76±1.78) N·cm、58.15±2.98,转矩拮抗型微种植支抗钉的测量结果均大于商用微种植支抗钉,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论转矩拮抗型微种植支抗钉的初期稳定性优于商用微种植支抗钉。  相似文献   

4.
目的 临床使用种植支抗牵引全牙弓后移,治疗前牙拥挤或面型前突,探讨其可行性.方法 选择19例应用种植支抗牵引全牙弓后移的病例,上颌种植支抗钉植入颧牙槽嵴区,下颌植入下颌骨外斜线,常规排齐整平后应用镍钛拉簧牵引全牙弓后移.结果 16例病例成功完成矫治,3例因种植体支抗松动而失败.结论 使用种植支抗牵引全牙弓后移是正畸临床...  相似文献   

5.
种植支抗辅助内收前牙的头影测量研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
目的:通过X线头影测量,探讨种植支抗与传统强支抗内收前牙的量,以及牙槽骨改建的程度.方法:26例正畸治疗患者,上牙槽骨前突,UD-SN角、Ul-SN角大于正常一个标准差,轻度拥挤,正畸需拔除第一前磨牙.分为实验组(种植支抗)14例,其中男3例,女11例,年龄20~54岁(平均25岁);对照组(传统强支抗)12例,男1例,女11例,年龄18~30岁(平均21岁).正畸前后分别拍摄头颅定位侧位片,分析测量前后牙及牙槽骨的变化,采用SPSS11.0软件包对数据进行统计学处理.结果:前牙内收量2组比较.种植支抗组显著大于传统强支抗组,牙槽骨改建的变化2组间无统计学差异;前牙内收时垂直方向的变化,种植支抗组无变化,传统支抗组上颌切牙伸长,差异具有统计学意义;磨牙近中移动,种植支抗组治疗前后无显著变化,移动量无统计学意义.而传统支抗组上颌第一磨牙在近中移动的差异具有统计学意义.结论:正畸治疗中种植支抗辅助治疗牙槽骨前突和内收前牙,可获得最大程度的前牙内收;支抗牙近中移动量微小;相应的牙槽骨改建变化在种植支抗组与传统支抗组间无显著差异.  相似文献   

6.
目的探讨应用口外弓或微种植体支抗矫治成年女性安氏Ⅱ类1分错畸形的临床效果。方法20例成年女性安氏Ⅱ类1分类错畸形患者,采用微种植体支抗(种植支抗组)或口外弓支抗(口外支抗组)结合直丝弓技术矫治,每组10例,采用Pancherz分析法进行治疗前后头影测量指标分析。结果矫治后2组上颌基骨位置没有明显变化,下颌均略微前调,差异没有统计学意义;种植支抗组上颌磨牙前移(1.91±0.69)mm,口外支抗组为(2.38±1.08)mm,差异无统计学意义(P>0.05);种植支抗组上颌磨牙压低(0.70±0.71)mm,口外支抗组上颌磨牙伸长(0.88±0.74)mm,差异有统计学意义(P<0.001);种植支抗组下面高减少(1.13±0.93)mm,口外支抗组增加(0.37±1.93)mm(P<0.05);口外支抗组下颌平面角增加(2.18±1.74)°,种植支抗组减小(1.51±2.76)°(P<0.01),种植支抗组上颌磨牙压低后带来了下颌向前向上旋转的改变。两组上颌中切牙都得到内收,并均有压低,差异无统计学意义(P>0.05)。结论种植支抗或传统口外弓支抗均可取得良好的支抗效果,内收上颌前牙,改善磨牙咬合关系,种植支抗在磨牙垂直向控制上更有优势。  相似文献   

7.
目的比较微螺钉种植体支抗与口外弓增强磨牙支抗的效果。方法选择上颌前突的患者30名,随机分为两组,分别采用种植体支抗和口外弓支抗,对两组治疗前后的X线头颅侧位片测量并通过Pancherz分析法进行对比分析,同时记录并比较两组的正畸疗程。结果种植支抗组较口外弓组在覆盖、磨牙关系以及上中切牙位置方面改善明显,其差异有显著性(P〈0.05);种植支抗组较口外弓组上磨牙位置更为稳定(P〈0.05),正畸疗程更短(P〈0.05)。结论种植支抗比传统口外弓支抗增强上颌支抗的效果更为理想。  相似文献   

8.
微型种植支抗钉增强后牙支抗的临床观察   总被引:1,自引:0,他引:1  
目的探讨影响微型种植支抗成功的主要因素。方法对18例须加强支抗的正畸治疗患者,植入微型支抗钉共60枚,术后1周使用弹力橡皮圈牵引加载150-200 g力,远中牵引尖牙及两步法关闭间隙,观察种植钉产生的牵引效果和临床的不适症状。结果60枚种植钉中,1枚术中折断,取出重新种植后获得成功;3枚龈黏膜轻度肿胀,2枚颊黏膜溃疡,对症处理后均自愈;2枚支抗轻度松动,旋紧后继续使用;1枚植入后局部疼痛,2枚加力末期松动明显,都给予拔除;1枚后期支抗钉头移位后去除重新植入。3-6个月内双尖牙间隙关闭速度为每月0.8-1.8 mm。结论种植支抗钉的临床不良反应主要是初期稳定性不足,以及局部软组织反应;稳定的种植支抗可以有效地快速关闭拔牙间隙,增强后牙支抗。  相似文献   

9.
张敏  张立亚  刘佳 《口腔正畸学》2011,18(4):209-210
目的 初步分析运用种植支抗牵引埋伏牙的临床效果,探讨正畸治疗中选择种植支抗牵引埋伏牙的适应证及该项治疗的特点.方法 对6例埋伏牙患者的8颗埋伏牙运用种植支抗进行牵引治疗,牵引后对牙齿的松动度、牙髓活力等各项临床指标进行检查,并摄术前术后曲面断层片对牵引效果进行观察.结果 6例患者经3~5个月的牵引后埋伏牙萌出,牙髓活力正常,未发现牙根吸收.与以往的方法相比,运用种植支抗牵引埋伏牙支抗充足,患者不适感降低.结论 运用种植支抗牵引埋伏牙为埋伏牙牵引治疗提供了一种方法选择.  相似文献   

10.
正畸种植支抗稳定性相关因素的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
正畸支抗的重要性已为正畸医生广泛认识,只有正确的支抗设计和良好的支抗控制才能取得高质量的的矫治效果.而传统支抗控制方法很难提供绝对稳定的支抗作用,对稳定有效且不依赖患者合作的新支抗手段的需求促进了正畸种植支抗的研究和发展,同时对种植支抗稳定性的影响因素也作了大量的研究和探讨.本文就这方面进行分析并探讨其临床应用前案.  相似文献   

11.
目的评价钛酸钡(BaTiO3)压电陶瓷涂层对种植支抗稳定性及其周围骨改建情况的影响。方法本研究于2013年8月至2014年1月在兰州军区总医院进行。选择5只成年杂种犬,将机械处理表面支抗种植钉(对照组)植入犬左侧下颌骨,BaTiO3压电陶瓷涂层支抗种植钉(实验组)植入犬右侧下颌骨,每侧各2枚;术后2周,给予1.96 N交互牵引力持续1个月,测量2枚种植体位移并通过影像学检查、组织学染色分析、生物力学检测观察种植支抗稳定性及其与周围骨结合的效果。结果与对照组相比,实验组BaTiO3压电陶瓷涂层种植支抗移动距离明显减小,骨形成活跃,骨结合率及最大拔出力显著升高,组间差异具有统计学意义(P<0.05)。结论在种植支抗表面制备BaTiO3压电陶瓷涂层可有效增加种植支抗的稳定性。  相似文献   

12.
胡明华  米丛波 《口腔医学》2010,30(10):625-627
要保证种植体支抗的作用,首先要求种植体能够稳定于种植部位,本文就各种影响种植支抗稳定的因素做一综述。  相似文献   

13.
微螺钉种植体和口外弓增强支抗的临床对比研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
目的比较微螺钉种植体支抗和口外弓增强磨牙支抗的效果。方法选择上颌前突的患者32例,随机分为种植支抗组和口外弓组,每组16例。种植支抗组采用微螺钉种植体支抗,口外弓组采用口外弓支抗。记录并比较两组正畸疗程的差异。矫治前后均拍摄X线头颅定位侧位片,分析前牙覆盖、SNA角、U1-SN角、U1-NA距、U6-Ptm距5项头影测量参数的变化并比较两组间的差异。结果种植支抗组的正畸疗程平均为(20.06±2.02)个月,口外弓组平均为(22.17±1.76)个月,种植支抗组较口外弓组疗程缩短,疗程差异有统计学意义(t=3.158,P=0.004)。种植支抗组前牙覆盖的改善大于口外弓组(P=0.020),上颌中切牙倾斜度和突度的改善显著大于口外弓组(P〈0.01),磨牙近中移动的距离显著小于口外弓组(P=0.000),两组间上颌基骨的位置变化无统计学差异(P=0.085)。结论微螺钉种植体支抗比口外弓支抗能更好地保护磨牙支抗,缩短正畸疗程。  相似文献   

14.
目的    评价钛酸钡(BaTiO3)压电陶瓷涂层对种植支抗稳定性及其周围骨改建情况的影响。方法    本研究于2013年8月至2014年1月在兰州军区总医院进行。选择5只成年杂种犬,将机械处理表面支抗种植钉(对照组)植入犬左侧下颌骨,BaTiO3压电陶瓷涂层支抗种植钉(实验组)植入犬右侧下颌骨,每侧各2枚;术后2周,给予1.96 N交互牵引力持续1个月,测量2枚种植体位移并通过影像学检查、组织学染色分析、生物力学检测观察种植支抗稳定性及其与周围骨结合的效果。结果    与对照组相比,实验组BaTiO3压电陶瓷涂层种植支抗移动距离明显减小,骨形成活跃,骨结合率及最大拔出力显著升高,组间差异具有统计学意义(P < 0.05)。结论    在种植支抗表面制备BaTiO3压电陶瓷涂层可有效增加种植支抗的稳定性。  相似文献   

15.
目的:探讨不同骨皮质厚度和不同植入角度对支抗种植钉应力分布的影响及位移变化。方法:建立简单的颌骨及支抗种植钉的三维有限元模型,在不同的骨皮质厚度为0.5mm-3mm和不同的植入角度30°-90°下分别植入支抗种植钉(直径1.6mm、长8mm),在支抗种植钉的头部施加200g力,力的方向与骨面平行,得到模型中的应力和位移,并进行分析。结果:模型中颌骨最大应力均发生在支抗种植钉的颈部,集中分布在1mm的深度范围内。随着骨皮质厚度的增加骨皮质应力减小,当厚度为0.5mm时骨皮质应力较大,从21.00MPa(植入角度70°)到37.88MPa(植入角度30°);骨皮质厚度为1mm时(除外植入角度为≤50°)应力<28MPa。植入角度对骨皮质应力变化影响较大,植入角度为60°、70°时应力较小。颌骨最大位移发生在受支抗种植钉拉压的两侧,支抗种植钉最大位移在其顶部,当骨皮质厚度为0.5mm时,支抗种植钉的位移最大,当骨皮质厚度≥1mm时,骨皮质厚度的变化对位移的影响不显著,植入角度为70°时支抗种植钉位移最小。结论:骨皮质厚度会影响骨皮质和骨松质的应力,临床植入支抗种植钉时应该避开骨皮质较薄的区域,植入区域骨皮质厚度应≥...  相似文献   

16.
种植支抗   总被引:2,自引:0,他引:2  
种植支抗在近年来得到迅速发展,它解决了许多成年错铪畸形患者因缺牙而缺乏支抗,造成正畸治疗难的问题,本文就种植支抗的稳定性问题,临床应用现状及其优缺点作一综述。  相似文献   

17.
国产微型钛钉即刻负载正畸支抗临床应用初步研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
目的:评价国产微型钛钉支抗临床使用效果.方法:选取13例需拔除上颌双侧第一双尖牙并需使用最大支抗的患者为研究对象,在其双侧颧牙槽嵴第二双尖牙和第一磨牙间,植入国产微型钛钉各一枚,以其为支抗移动尖牙.利用尖牙到位前后的研究模、头侧位定位X片,计测尖牙移动速度及磨牙相对于参考平面的位移量.结果:移动尖牙的平均速度为1.05mm/月,与磨牙支抗无统计学差异;磨牙位移量平均为0.50mm,明显小于传统强支抗方式.结论:牙移动速度种植支抗与传统支抗无差别;种植支抗几为绝对支抗.  相似文献   

18.
种植支抗作为多学科交流融合产物,无疑对正畸临床的诊断与治疗理念产生了巨大影响。从目前国内外对于种植支抗的关注度以及临床应用情况来看,微螺钉种植支抗将成为口腔正畸种植支抗的主要趋势。微钛板种植支抗由于其优势,如脱落率极低、固位钉远离牙根、植入时或牙齿在较大范围内移动时也不会累及牙根、临床加力简单、不依赖于患者的配合程度等,可为多种复杂错矜畸形提供治疗选择。由于微钛板埋入手术的损伤较大,术后肿胀较明显,术后不良反应给患者带来的恐惧心理以及较高的费用均影响了微钛板支抗在正畸临床上的应用。而组织相容性好、稳定性强、简单、微创、舒适的微钛板种植支抗系统的进一步研究,必将对正畸临床诊断和治疗产生积极深远的影响。  相似文献   

19.
种植支抗稳定性的研究现状及临床应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
利用骨内种植体作为支抗来进行口腔正畸和矫形治疗是一种有效,理想的方法,种植体的支抗作用稳定,可靠.使临床可矫治的范围大大增加了.本文就影响种植支抗稳定性的种植因素,正畸和矫形因素进行了分析,并介绍了近几年出现的特殊类型的支抗  相似文献   

20.
种植体支抗是应用于口腔正畸的一种新的支抗方法。稳定、有效的支抗是正畸治疗成功的基础。种植体稳定的支抗效果扩大了生物力学的矫治范围,但同时也存在不足。本文就正畸种植支抗的优缺点,生物力学及组织学研究作综述。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号