针刺预处理抗脑缺血再灌注损伤作用及其分子机制

目的：研究针刺预处理对脑缺血再灌注神经元损伤的“治未病”作用及其神经生物学分子机制。方法：以肾俞、百会穴为针刺用穴；颈动脉引流法全脑缺血7min再灌注造模；病理学石蜡包埋切片，HE染色，进行顶皮质Ⅰ区Ⅴ层幸存神经元记数，观察脑片缺血性病理变化；基因芯片技术进行针刺诱导的大鼠脑组织基因表达差异分析。结果：不同再灌时间段，E0．5h组幸存神经元密度显著均高于D组、E1．5h组和E3h组（P〈0．05），E3h组与D组无差异（P〉0．05）。针刺预处理后0．5h，大鼠脑组织表达变化大于2倍的基因共265个，20个基因表达差异具有显著意义，其中8个基因表达上调，12个基因表达下调。结论：针刺预处理具有抗脑缺血再灌注损伤作用，该作用具有明显的时间依赖性；一些针刺诱导基因表达产物在这一过程中发挥了重要作用；本研究结果为针灸“治未病”提供了形态学及分子生物学实验证据。     

针刺预处理脑组织提取液抗大鼠脑缺血再灌注损伤作用探讨

目的:证实针刺预处理脑组织提取液的抗脑缺血再灌注损伤作用,为针刺效应物质的探讨提供初步的实验依据.方法:先以"肾俞""百会"穴针刺预处理大鼠脑组织提取液行大鼠腹腔注射,再采用颈动脉引流法脑缺血再灌注造模,脑组织石蜡包埋切片,HE染色,观察脑片缺血性病理变化,进行顶皮质Ⅰ区Ⅴ层幸存神经元计数.结果:在3个时间段F组幸存神经元密度均显著高于C、D、E 3组(P<0.05).结论:针刺预处理脑组织提取液具有明显的抗脑缺血再灌注损伤作用.     

针刺对大鼠脑组织神经生物学基因表达的研究

目的:采用基因芯片技术,分析探讨针刺预处理抗脑缺血再灌注损伤作用的分子机制.方法:取雄性Wistar大鼠6只,3只为正常对照组,另3只为针刺预处理组.针刺组先行"肾俞""百会"针刺预处理,出针后0.5 h断头取脑.基因芯片技术进行基因表达差异分析.结果:针刺预处理后0.5 h,大鼠脑组织表达变化大于2倍的基因共265个,20个基因表达差异具有显著性意义(P＜0.05).其中8个基因表达上调,12个基因表达下调;涉及神经元信号传递类(离子通道、递质、受体、第二信使)基因11个,涉及转录调控类基因5个,涉及代谢酶类基因2个,涉及热休克反应类基因1个,涉及细胞骨架类基因1个.结论:一些针刺诱导的基因表达产物在针刺预处理抗脑缺血再灌注损伤过程中发挥了重要作用;针刺预处理后神经细胞功能状态的改变可能是其随后发挥抗脑缺血再灌注损伤作用的重要基础.     

大鼠穴位针刺预处理抗脑缺血再灌注损伤作用探讨

目的 :探讨穴位针刺预处理抗脑缺血再灌注损伤的作用。方法 :先进行“肾俞”、“百会”穴针刺预处理 ,再采用颈动脉引流法脑缺血再灌注造模 ,石蜡包埋切片 ,HE染色 ,观察脑片缺血性病理变化 ,进行顶皮质Ⅰ区Ⅴ层幸存神经元记数。结果 :在不同再灌时间段 ,E0 .5hr组幸存神经密度显著高于D组、E1 .5hr组和E3hr组 (P <0 0 5) ,E3hr组与D组无差异 (P >0 0 5)。结论 :穴位针刺预处理具有抗脑缺血再灌注损伤作用 ,该作用以穴位针刺预处理后 0 5hr效果最佳     

电针督脉穴对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑基因表达谱的影响

目的:应用基因芯片技术研究电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织基因表达谱的影响。在分子水平探讨电针治疗脑缺血再灌注损伤的作用机制。方法:大脑中动脉埋线法制备大鼠脑缺血再灌注模型,缺血2h再灌注24h后取受损脑组织提取总RNA。用大鼠全基因组寡核苷酸微阵列芯片检测电针"水沟"、"百会"穴对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑基因表达谱的影响。结果:局灶性脑缺血再灌注大鼠与假手术组大鼠脑组织基因表达谱相比,有175个差异表达基因,其中115个基因表达增高,60个基因表达下调;电针组与局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织基因表达谱相比,有74个差异表达基因,其中26个基因表达增高,48个基因表达下调。结论:本研究筛选出大量的差异表达基因,这些基因可能参与脑缺血再灌后脑损伤的发生发展过程,并参与了针灸抗损伤的机制。     

基因芯片分析补阳还五汤对局灶性脑缺血再灌注大鼠的保护作用机制

目的 :用基因芯片分析补阳还五汤 (BYHWT)对脑缺血再灌注损伤大鼠的基因表达影响 ,探讨其保护作用机制。方法 :以博星公司定制的包含 512条大鼠的cDNA基因表达谱芯片 ,研究脑缺血 2h再灌注 2 4h的大鼠脑组织基因表达谱 ,并观察补阳还五汤对大鼠脑缺血再灌注损伤的基因表达影响。结果 :脑缺血 2h再灌注 2 4h的大鼠脑组织共筛选出差异表达基因 149条 ,其中 69条基因表达上调 ,80条表达下调 ;脑缺血同时灌胃BYHWT大鼠脑组织共筛选出差异表达基因 31条 ,其中 2 5条基因表达上调 ,6条表达下调。结论 :补阳还五汤对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后的许多基因表达变化都有调节作用 ,是其保护脑缺血再灌注损伤的机制。     

针刺预处理对大鼠脑缺血再灌注损伤的保护作用

目的:观察针刺预处理对大鼠脑缺血再灌注损伤的保护作用。方法:采用4-血管阻断法对实验鼠分组进行全脑缺血及缺血后再灌注模型制作。神经元尼氏体亚甲兰特殊染色法观察大鼠脑缺血后海马CA1区神经元尼氏体变化;原位细胞凋亡检测法(TUNEL染色)及电镜观察脑缺血后大脑皮质、海马CA1区神经元凋亡情况。结果:针刺预处理组大脑皮质、海马CA1区可见棕色TUNEL染色阳性细胞核,较脑缺血组明显减少,尼氏体染色阳性细胞数针刺预处理组较脑缺血组明显增多。结论:针刺预处理可以减轻缺血后神经元损伤,抑制神经元凋亡。     

针刺预处理对脑缺血再灌注损伤的保护作用

目的:观察针刺预处理对脑缺血-再灌注损伤的保护作用。方法:采用四血管阻断法对实验鼠分组进行全脑缺血及缺血后再灌注模型。神经元尼氏体亚甲蓝特殊染色法观察大鼠脑缺血后海马CA1区神经元尼氏体变化;原位细胞凋亡检测法(TUNEL染色)及电镜观察脑缺血后大脑皮质、海马CA1区神经元凋亡情况。结果:针刺预处理组大脑皮质、海马CA1区可见棕色TUNEL染色阳性细胞核,较脑缺血组明显减少,尼氏体染色阳性细胞数针刺预处理组较脑缺血组明显增多。结论:针刺预处理可以减轻缺血后神经元损伤,抑制神经元凋亡。     

电针预处理对局灶性脑缺血再灌注大鼠pSTAT3蛋白表达的影响

目的:探讨电针预处理对大鼠脑缺血再灌注损伤后脑组织磷酸化STAT3( pSTAT3)蛋白表达的影响.方法:大鼠随机分为假手术组、模型组和电针预处理组,其中电针预处理组在造模前7天给予治疗,1次/天.局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠模型的制备应用大脑中动脉线栓法,Western blotting检测缺血侧脑组织pSTAT3蛋白表达情况,TTC染色检测脑梗死体积.结果:缺血再灌注损伤24 h,电针预处理治疗组能明显缩小脑梗死体积,减少脑缺血大鼠pSTAT3蛋白的表达,与模型组比较均有显著性差异(P＜0.05).结论:电针预处理能下调大鼠脑缺血再灌注损伤后pSTAT3的表达水平,明显缩小脑梗死体积,具有良好的神经保护作用.     

黄芩苷和栀子苷配伍对大鼠脑缺血再灌注损伤的作用研究

目的:观察不同剂量黄芩苷和栀子苷配伍(7:3)对SD大鼠脑缺血再灌注脑组织中CysLTs含量及神经元损伤,探讨其对脑缺血再灌注保护作用的剂量和时间窗。方法:将150只大鼠随机分为假手术组、模型组、尼莫地平治疗组、栀子苷和黄芩苷配伍治疗组。采用线栓法复制大鼠急性脑缺血再灌注损伤模型(MCAO),分别于缺血2h后再灌注3h,6h,24h,72h。采用尼氏体染色法观察神经元的病变及特点、酶联免疫吸附法检测脑组织中CysLTs含量。结果:根据动物行为学评分结果,黄芩苷和栀子苷配伍20mg/kg能改善大鼠脑缺血2h再灌注6h、24h时神经损伤引起的行为学异常;40mg/kg时能改善大鼠脑缺血2h再灌注3h、6h、24h时神经损伤引起的行为学异常;根据脑组织中CysLTs结果,最佳治疗时间窗和剂量分别为脑缺血2h再灌注24h,20 mg/kg;脑缺血2h再灌注72h,40 mg/kg;根据脑组织病理损伤观察结果,最佳治疗时间窗和剂量分别为脑缺血2h再灌注24h,20 mg/kg;脑缺血2h再灌注72h,40 mg/kg。结论:根据用药剂量最小化和治疗时间窗最大化的原则综合评价,根据动物行为学评分、脑组织中CysL Ts和病理观察结果,黄芩苷和栀子苷配伍治疗大鼠脑缺血再灌注损伤的最佳治疗时间窗和剂量为脑缺血2h再灌注24~72h,20~40mg/kg。     

针刺对缺血再灌注脑组织形态结构和酶活性影响的实验研究

目的 :观察针刺对缺血再灌注脑组织形态结构和酶活性的影响。方法 :采用闭塞大鼠四条动脉的全脑缺血再灌注模型 ,以组织化学方法观察缺血再灌注脑组织形态结构的变化及针刺对其变化的影响 ,同时测定脑组织中丙二醛 (MDA)含量和谷胱甘肽过氧化物酶 (GSH px)、离子泵的活性及针刺对其活性的影响。结果 :缺血再灌注组出现明显的神经细胞变性、死亡和胶质细胞增生现象 ,针刺治疗组Ⅱ无明显的细胞受损后形态学变化 ;缺血组和缺血再灌注组MDA含量显著高于假手术组 ,经针刺治疗后MDA含量明显下降 ;GSH px活性在脑缺血过程中首先代偿性升高 ,在再灌注过程中明显下降 ,经针刺治疗后酶活性复又升高 ;离子泵的活性在缺血及再灌注过程均有不同程度的下降 ,经针刺治疗后各离子泵的活性均升高至与假手术组相近。结论 :在缺血和再灌注过程中神经元的变性乃至死亡与膜脂质过氧化作用加强、自由基清除能力下降及能量代谢异常密切相关 ,而针刺“百会”和“曲池”可有效改善缺血再灌注造成的神经元延迟性损伤。     

电针远近部位穴位对暂时性脑缺血大鼠脑组织、血清一氧化氮含量影响的比较研究

目的 :比较不同部位穴位对实验性脑缺血疗效的影响。方法 :采用大鼠大脑中动脉暂时性缺血模型 ,比较电针头部的“百会”、“水沟”穴和远离头部的“环跳”、“昆仑”穴 ,对脑组织、血清NO含量的影响。结果 :缺血模型组与假缺血组比脑组织、血清NO含量显著增加 (P <0 .0 5) ;与缺血模型组比较 ,头部穴位组明显降低 (P <0 .0 1 ) ,肢体部穴位组降低无显著性意义 (P >0 .0 5) ;两穴位组之间比较 ,脑组织NO含量无显著性差异 ,血清NO含量有显著性差异 (P <0 .0 1 )。结论 :尚不能认为远近部位穴位的作用有差别     

“调神通络”针法对脑缺血大鼠大脑皮层蛋白激酶Cγ、蛋白激酶Cδ表达的影响

目的:探讨局灶脑缺血再灌注大鼠蛋白激酶C(PKC)γ、PKCδ表达在缺血性脑损害中的动态变化规律以及针刺的干预机制。方法:Wistar大鼠随机分为针刺组、模型组和正常组。前两组再分为缺血再灌注4h、12h、24h、72h组。采用线栓法制备大鼠局灶脑缺血再灌注模型。电针针刺大鼠右侧顶中线和顶旁线,频率2Hz/15Hz,强度1mA。运用免疫组化方法观察缺血侧大脑皮层PKCγ、PKCδ吸光度值。结果:PKCγ、PKCδ在正常组呈基础水平表达,模型组与正常组相比PKCγ、PKCδ表达明显升高(P<0.01)。针刺组与模型组相比,相应时间点PKCγ、PKCδ吸光度值减弱(P<0.01,P<0.05)。结论:脑缺血再灌注损伤后PKCγ、PKCδ的异常表达与神经元坏死、凋亡有密切的联系。针刺能明显减少PKCγ、PKCδ蛋白表达及神经元凋亡,对脑缺血神经元起着保护作用。     

针药结合对全脑缺血大鼠脑组织钙调素活性影响的实验研究

目的 :观察针药结合对脑缺血大鼠脑组织内活性钙调素 (CaM)含量变化的影响。方法 :采用大鼠全脑缺血再灌注模型 ,用磷酸二脂酶法测定正常对照组、模型对照组、电针四肢井穴加药组、电针四肢井穴组、假手术对照组脑组织活性CaM的含量。结果 :造模后CaM显著升高 (P <0 0 5～ 0 0 0 1 ) ,经电针治疗及针药结合治疗后CaM显著下降 (P <0 0 0 1 ) ,但针药结合治疗与单纯电针治疗组之间降低CaM的作用无显著差异 (P >0 0 5)。结论 :电针、针药结合均可明显降低脑缺血再灌注大鼠脑组织中活性CaM的含量。     

针刺对脑缺血再灌注损伤大鼠双侧脑组织白细胞介素-1β、肿瘤坏死因子-α表达的影响

目的:探讨脑缺血再灌注损伤大鼠双侧脑组织白细胞介素-1β(IL-1β)及肿瘤坏死因子-α(TNF-α)的表达变化及针刺的干预作用。方法:以右侧大脑中动脉线栓法制备脑缺血再灌注损伤大鼠模型,将大鼠随机分为模型组、假手术组和针刺组,每组再按照再灌注后时间分12、24、48、72、96、144h6个时间点,每个时间点6只大鼠,另设正常组6只。针刺组电针刺激"百会"和"足三里"穴,每日1次,每次20min。应用免疫组化法检测大鼠双侧脑组织IL-1β及TNF-α的表达量。结果:IL-1β在脑缺血大鼠患侧脑区呈双峰表达,模型组峰值时间为48h和96h,针刺组为72h,针刺组IL-1β表达量显著低于模型组,但高于假手术组和正常组(均P<0.05);IL-1β在脑缺血大鼠健侧脑区表达高于假手术组和正常组,除72h组外,针刺组各个时间点的表达低于模型组(均P<0.05)。TNF-α在患侧脑区呈单峰表达,模型组和针刺组峰值时间均为72h,针刺组表达量显著低于模型组,但高于假手术组和正常组(均P<0.05);TNF-α在脑缺血大鼠健侧脑区表达高于假手术组和正常组(均P<0.05)。结论:针刺可通过调节脑缺血大鼠双侧脑组织IL-1β及TNF-α的表达,干预脑缺血再灌注损伤大鼠的炎性反应。     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层微血管超微结构及血管内皮生长因子表达的影响

目的:探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层的保护作用。方法:SD大鼠随机分为正常组(n=8)、假手术组(n=8)、模型组(n=32)、电针组(n=32),后两组再各分为再灌注后1d、2d、4d、8d4个亚组,每组8只大鼠。采用线栓法制备大鼠大脑中动脉闭塞模型。电针组于脑缺血0.5h再灌注1h后每天行1次电针治疗,取"百会"水沟"足三里"穴。透射电子显微镜下观察各组大鼠右侧大脑皮层微血管内皮的超微结构,逆转录酶-聚合酶链反应法检测各组大鼠右侧大脑皮层血管内皮生长因子(VEGF)mRNA的表达。结果:模型组大鼠的大脑皮层微血管超微结构损害明显,缺血侧大脑皮层VEGF mRNA表达与正常组、假手术组比较明显升高(P<0.05,P<0.01);电针组大脑皮层微血管超微结构明显改善,大脑皮层VEGF mRNA表达水平与相应时相的模型组相比均明显增强(P<0.01)。结论:脑缺血再灌注促使缺血脑区微血管内皮细胞VEGF mRNA合成;电针对脑缺血再灌注大鼠大脑皮层微血管的超微结构形态学损伤具有明显的保护作用,电针治疗可进一步促进缺血脑区微血管内皮细胞VEGF mRNA的表达并调控血管新生,帮助脑内微血管的功能重建是针刺发挥脑保护作用的途径之一。     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠外周血中可溶性细胞间粘附分子-1和内皮素-1的影响

目的:探讨电针对大脑中动脉缺血再灌注模型大鼠外周血中可溶性细胞间粘附分子-1(sICAM-1)、内皮素-1(ET-1)含量的影响。方法:SD大鼠40只,随机分为正常对照组、假手术组、模型组、电针组,采用大脑中动脉线栓法制备局灶性脑缺血再灌注模型,于缺血再灌注24 h后摘除眼球采血,分别应用酶联免疫吸附法、放射免疫法观察脑缺血再灌注及电针对大鼠外周血中sICAM-1、ET-1含量的影响。结果:脑缺血再灌注后大鼠外周血中sICAM-1、ET-1的含量增高(模型组与正常组、假手术组比较P<0.01);电针可降低大鼠外周血中sICAM-1、ET-1的含量(电针组与模型组比较P<0.05)。结论:早期针刺治疗对脑缺血损害有效防治作用是通过改善脑血管内皮细胞功能而实现的。     

侧脑室注射孤啡肽对电针抗脑缺血作用的影响

目的 :本工作试图阐明孤啡肽 (OFQ)在脑缺血中的作用 ,并观察它对针刺抗脑缺血的影响。方法 :采用大鼠大脑中动脉栓塞模型 ,应用侧脑室注射方法以体感诱发电位 (SEP)和脑梗塞体积为指标观察了不同剂量的孤啡肽对脑缺血的作用 ,以及对针刺抗脑缺血的影响。结果 :大鼠大脑中动脉栓塞后SEP波幅降低 ,侧脑室注射 1 0 μg和 1 μg孤啡肽均进一步降低SEP的波幅 ,对照组在再灌后 1hrSEP基本恢复 ,而侧脑室注射孤啡肽 1 0 μg直到再灌后 3hr仍不恢复。注射剂量与SEP反应呈一定的量 效关系 ,即剂量越大 ,SEP抑制越显著。同时增大了脑梗塞灶的体积。而相同条件下侧脑室注射 0 .1 μg孤啡肽SEP的波幅和脑梗塞灶的体积与对照组比较无显著性差异。电针能减小脑梗塞体积 ,增大SEP的波幅。侧脑室注射 1 μg孤啡肽后针刺效应减弱 ,表现为SEP的波幅降低 ,脑梗塞灶的体积增大。结论 :侧脑室注射孤啡肽可加重脑缺血 ,且减弱了针刺抗脑缺血的作用。     

电针对局灶性脑缺血大鼠海马神经细胞凋亡及Bcl-2 Bax caspase-3表达的影响

目的:研究电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠神经细胞凋亡和相关基因表达的影响。方法:SD雄性大鼠随机分为假手术组、模型对照组、尼莫地平组、电针治疗组(左侧肩禺、外关、髀关、足三里)、非穴位对照组(左侧天泉与曲泽连线中点、曲泽与郗门中点、五里与阴胞连线中点和膝关与中都连线中点)。采用线拴法造成大鼠局灶性脑缺血再灌注模型(MCAO),分别于缺血后即刻、再灌注后即刻和再灌注后2h电针,共3次。末端脱氧核糖核酸介导生物素化脱氧尿嘧啶缺口末端标记(TUNEL)法测定海马凋亡神经细胞,免疫组织化学方法研究海马神经细胞caspase-3、Bcl-2和Bax基因表达。结果:与假手术组比较,MCAO大鼠海马凋亡细胞明显增加,caspase-3和Bax基因表达增强,Bcl-2/Bax比值显著降低;电针能明显降低MCAO大鼠海马TUNEL、caspase、Bax和Bcl-2阳性细胞数,Bcl-2/Bax比值显著升高。结论:电针可通过抑制神经细胞凋亡途径实现对脑缺血及缺血再灌注损伤的保护作用。     

小脑皮质5种细胞在短暂性缺血时的组织化学改变

目的:探讨颗粒细胞等5种小脑皮质细胞在全脑短暂性缺血时的组织化学改变。方法:用组织化学方法对家兔全脑缺血5min(B组)、10min(C组)及缺血再灌(D、E组)后颗粒细胞等五种细胞的酶组织化学变化进行了观察。结果:显示缺血10min及缺血再灌后小脑皮质五种细胞的SDH、Mg2 -ATP活性及PAS反应均降低(P<0.01),LDH增高(P<0.01)。结论:家兔全脑缺血10min和缺血再灌可损害小脑皮质五种细胞的物质代谢和能量代谢酶的活性,并与超微结构的损害相印证。