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利用TiCl4+O2体系,在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的TiO2粒子。考察了工艺条件对TiO2粒子物性的影响;探讨了TiO2粒子晶型控制的方法,金红石型质量分数可通过工艺条件控制;探讨了TiO2粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制,减少TiO2单体浓度可提高金红石型质量分数;也可通过在原料TiCl4中添加AlCl3等晶型转化剂,使可转化为单一金红石型Ti 相似文献
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在垂直冷壁CVD反应器中进行了文题的探索性研究。以二乙胺基钛(Ti(NEt_2)_4)为源,在不锈钢或硬质合金基体上完成了氮化钛(TiN)和碳氮化钛(Ti(C,N))硬质薄膜低温下的淀积。发现(TiN)和(Ti(C,N))分别在773K和973K下形成;在操作范围内整个反应器流场由自由对流控制;反应过程由表面过程控制;反应活化能为235 kJ/mol;二乙胺基钛反应级数为1级。进行了热力学计算,提出了反应历程假设。结果表明:用二乙胺基钛进行MOCVD淀积含钛硬质薄膜可以降低温度,以扩大基体的选用范围,为获得硬质薄膜提供了一条新的途径。 相似文献
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在立式冷壁CVD反应器中,用TiCl_4-H_2N_2和TiCl_4-H_2N_2-Ar为反应物源,在YT15硬质合金刀片上淀积TiN涂层。研究了淀积参数对淀积薄膜质量和淀积速率的影响。得到的TiN_x涂层外观光洁,呈金黄色,x为0.8~1.6,淀积速率15~60m~(-6)/h,显微硬度1800~2200HV,淀积反应为扩散过程控制;表观活化能为46.5kJ/mol。实验表明,TiN在冷壁反应器中的淀积速率远大于在热壁反应器中的淀积速率。 相似文献
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基于化学气相(CVD)合成超细粒子过程的反应、成核、生长和凝并,考虑CVD反应器中的轴向温度分布,建立了CVD反应器中描述超细粒子粒度及分布的一维过程模型。针对AlCl_3-NH_3-N_2体系化学气相合成AlN超细粒子的过程,研究了AlN粒子形成过程特征和操作参数对其粒度及分布的影响。CVD反应器中的轴向温度分布严重影响AlN粒子合成过程中的化学反应速率、成核速率和生长速率;AlN超细粒子的粒度随AlCl_3浓度的减小和总流量的增加而减小,其粒度分布宽度则随总流量的增加而增大。 相似文献
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研究了化学气相合成制备TiO2粉末反应器管壁结疤问题,提出了冷壁凝结抑制产物粉末产生硬疤的方法和作用机制。采用TEM,SEM,光学显微镜和XRD分析了不同条件下TiO2产物粉末,热壁硬疤和冷壁凝结软疤的形态和结构。 相似文献
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用化学气相沉积(CVD)聚合法制备的聚氯代对亚苯基二亚甲基(PPX-C)膜,除了具有聚对亚苯基二亚甲基(PPX)膜的保形涂覆和物理性能外,还具有更好的粘附能力。研究表明:PPX-C膜具有优异的耐溶剂性和抗化学氧化性能;氯的引入使膜的玻璃化转变温度降低,室温柔性增强,动态力学阻尼性能增大,热降解起始温度比PPX膜低,主链降解温度与PPX膜相近。此外,氯的引入对膜的亲水性能影响不大,但膜的水汽渗透率却因此明显降低,与PPX膜相比PPX-C膜具有更好的防潮性能。 相似文献
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基于流态化CVD制备超细复合粒子过程中的反应、成核、包敷、气流夹带,建立了流态化CVD反应器中描述超细粒子的粒度、分布及成核包敷、成膜包敷的一维过程模型。针对SnCl_4-H_2O-N_2体系包敷超细Al_2O_3粒子的过程,研究了反应器中SnO_2粒子的形成过程及操作参数对其在Al_2O_3粒子表面的淀积速率及形态的影响。结果表明,反应温度和SnCl_4浓度升高,包敷速率加快,包敷形态变差;背景气氛粘度增大,包敷形态变优,包敷速率减小;操作气速增大,包敷速率加快,包敷形态变优。 相似文献
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探讨了文题的方法,研究了反应物与催化剂浓度对凝胶化速度、颗粒大小及分布的影响。结果表明,烷氧基钛在醋酸催化作用下水解和缩聚可制备均匀透明的块状凝胶,经干燥、焙烧得到金红石型的TiO_2超细颗粒。颗粒平均粒度随水含量增加而下降;随水解底物浓度的增加而下降,然后略有上升;随醋酸浓度增加而降低。醋酸根离子浓度不仅作为催化剂,而且作力能形成Ti(OC_4H_9)_x(Ac)_y络合物的配位体而起作用,改善了颗粒粒度的均匀性。凝胶透明度与颗粒的粒度及其分布有关,而与凝胶化时间无关。本法制备的TiO_2颗粒粒度细(20~200nm)、单分散性好且纯度高。 相似文献
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利用流态化化学气相淀积(CVD)制备Al_2O_3-SnO_2复合粒子。探讨了SnO_2在Al_2O_3超细颗粒上的包敷状态,考察了反应温度、反应物进料浓度比、反应时间等对反应结果的影响。结果表明,SnO_2在复合粒子团聚体体相中呈均匀分布,形成Al_2O_3-SnO_2复合粒子,SnO_2均匀淀积在Al_2O_3超细颗粒原生粒子表面,流态化CVD包敷效果优于非流化过程;随反应时间的延长,产物中SnO_2含量线性递增;而当反应温度高于300℃,反应物H_2O和SnCl_4配比大于4:1时,SnO_2含量基本保持不变。 相似文献