电针百会穴对APP/PS1双转基因小鼠学习记忆及脑源性神经营养因子表达的影响

目的观察电针百会穴对APP/PS1双转基因小鼠学习记忆功能及脑源性神经营养因子(BDNF)表达的影响,探讨电针治疗阿尔茨海默病的作用机制。方法将30只4月龄雌性APP/PS1双转基因小鼠随机分为模型组、百会组和非穴组,每组10只,另取10只同窝阴性野生小鼠为野生组。百会组电针百会穴,非穴组电针非穴,干预28 d,野生组和模型组不干预。采用Morris水迷宫实验观察小鼠学习记忆能力;免疫组化技术观察小鼠大脑皮质β-淀粉样蛋白的沉积;Western blotting和RT-PCR法检测小鼠皮质脑源性神经营养因子(BDNF)蛋白和基因的表达情况。结果与模型组相比,百会组小鼠逃避潜伏期缩短(P0.05),跨越平台次数明显增加(P0.01);β-淀粉样蛋白的沉积减少(P0.05);BDNF蛋白和基因的表达明显增多(P0.01)。非穴组与模型组相比无显著性差异(P0.05)。结论电针百会穴可改善APP/PS1双转基因小鼠的学习记忆功能,其作用机制可能与增加大脑皮质BDNF蛋白和基因的表达,降低β-淀粉样蛋白的沉积有关。     

电针百会穴对APP/PS1双转基因痴呆模型小鼠18F-FDGPET/CT成像及学习记忆的影响

目的:观察电针百会穴对APP/PS1双转基因小鼠葡萄糖代谢水平以及学习记忆的影响,探讨电针治疗阿尔茨海默病的作用机制。方法:将30只雌性12月龄APP/PS1双转基因小鼠随机分为模型组、百会组和非穴组,每组10只,另取10只同窝阴性野生小鼠为野生组。百会组电针百会穴,非穴组电针非穴,每次30min,每天1次,每周5天,共治疗4周,野生组和模型组不干预。采用正电子发射断层扫描技术(PET)观察各组小鼠大脑18F-FDG摄取率的水平;Morris水迷宫实验观察小鼠学习记忆。结果:与模型组相比,百会组小鼠逃避潜伏期缩短(P0.05),跨越平台次数增加(P0.01);非穴组小鼠逃避潜伏期与模型组相比无显著性差异(P0.05);百会组小鼠18F-FDG摄取率高于野生组、模型组以及非穴组。结论:电针百会穴可改善APP/PS1双转基因小鼠的学习记忆功能,其作用机制可能是通过改善小鼠脑内葡萄糖代谢从而发挥神经保护作用。     

电针百会对APP/PS1转基因小鼠学习记忆能力及Tau蛋白磷酸化的影响

目的:基于Tau蛋白磷酸化探讨电针百会对APP/PS1转基因痴呆模型小鼠学习记忆能力的影响及其可能机制。方法:30只4月龄雌性APP/PS1转基因小鼠随机分为模型组、百会组和非穴组,10只同窝阴性野生小鼠为野生组;百会组电针百会穴,非穴组电针非穴,干预28d。采用Morris水迷宫实验观察小鼠学习记忆能力;尼氏染色观察小鼠海马神经元形态结构变化;蛋白免疫印记杂交技术(Western blot)检测小鼠海马组织在Ser-396位点上Tau蛋白磷酸化水平。结果:与模型组相比,百会组可改善小鼠的学习记忆能力(P0.05),减轻海马神经元形态结构的损伤,降低海马组织中Ser-396位点上Tau蛋白磷酸化水平(P0.05),非穴组与模型组相比无显著性差异(P0.05)。结论:电针百会能够改善APP/PS1转基因痴呆模型小鼠的学习记忆能力,其机制可能与抑制Tau蛋白磷酸化有关。     

电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及海马5-羟色胺1A受体表达的影响

目的探讨电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注(MCAO/R)大鼠学习记忆的影响及其可能的作用机制。方法将90只健康雄性Sprague-Dawley大鼠随机分为假手术组(n=18)和手术组(n=72)。手术组参照线栓法制备MCAO/R大鼠模型。将符合纳入标准的54只手术组大鼠随机分为模型组(n=18)、电针组(n=18)和非穴组(n=18)。电针组电针百会、神庭穴共14 d。小动物磁共振扫描检测脑梗死体积;Morris水迷宫测试检测学习记忆能力;免疫组化检测5-羟色胺1A(5-HT_(1A))受体的定位和表达。结果干预前各组大鼠脑梗死体积无显著性差异(F=1.678,P0.05)。干预后,与模型组和非穴组相比,电针组脑梗死体积显著减小(P0.001)。Morris水迷宫测试中,电针组较模型组和非穴组逃避潜伏期显著缩短(P0.001),穿越平台次数增加(P0.05)。5-HT_(1A)受体在缺血侧海马CA1、CA3和DG区均出现表达,电针组表达量较模型组和非穴组均降低(P0.05)。非穴组各项指标与模型组比较均无显著性差异(P0.05)。结论电针百会、神庭穴可有效改善MCAO/R大鼠的学习记忆能力,其机制可能与调节海马区5-HT_(1A)受体表达有关。     

APP/PS1转基因小鼠学习记忆能力下降与胼胝体脱髓鞘损伤的关系

目的探讨12月龄APP/PS1转基因小鼠学习记忆能力下降与胼胝体脱髓鞘损伤之间的关系。方法 12只12月龄APP/PS1转基因小鼠为AD组,12只同窝阴性小鼠为野生组。Morris水迷宫检测两组学习记忆能力;卢卡斯快蓝染色观察胼胝体神经纤维形态;免疫组化检测胼胝体髓鞘碱性蛋白(MBP)含量;硫黄素S染色观察淀粉样斑块在胼胝体的沉积情况。结果与野生组相比,AD组逃避潜伏期明显延长(Z2.873,P0.01),穿越平台次数显著减少(t=-7.339,P0.001)。AD组胼胝体神经纤维髓鞘稀疏,排列紊乱,出现较多空洞;MBP含量较野生组显著降低(t=-4.481,P0.001);胼胝体区出现淀粉样斑块沉积。结论 12月龄APP/PS1转基因小鼠学习记忆能力下降,可能与淀粉样斑块在胼胝体的沉积引起胼胝体神经纤维脱髓鞘损伤有关。     

APP/PS1小鼠不同时期灰质体积变化与Aβ沉积和学习记忆功能的相关性分析

目的:分析阿尔兹海默病(AD)双转基因APP/PS1模型小鼠大脑灰质体积变化与其学习记忆能力和相关脑区β-淀粉样蛋白(Aβ)沉积的相关性,以期为探明AD动物模型的病理特征提供可靠的行为学和影像学依据。方法:共纳入野生组(WT)和APP/PS1组2组小鼠,每组36只。WT组小鼠选用C57-BL/6小鼠,APP/PS1组选用APP/PS1双转基因小鼠,2组均分别由2、6、12不同月龄小鼠组成,每组每个月龄小鼠12只。通过Morris水迷宫测试(定位航行实验和空间探索实验)检测2组小鼠空间记忆学习能力和空间记忆提取能力;采用磁共振T2加权成像(MRI T2WI)扫描检测小鼠大脑双侧内嗅皮质和海马的灰质体积变化情况;分离和制备2组不同月龄小鼠大脑石蜡切片,采用Thioflavine-s(Th-s)荧光染色检测2组小鼠大脑双侧内嗅皮质和海马的Aβ沉积情况;采用Pearson相关分析法分析2组小鼠不同时期的灰质体积变化与其学习记忆能力和对应脑区Aβ沉积的相关性。结果:①Morris水迷宫测试结果:与WT组比较,APP/PS1组2月龄小鼠行为学结果无明显区别,差异无统计学意义(P0.05);APP/PS1组6、12月龄小鼠逃避潜伏期明显增加、穿越平台次数明显减少,差异具有统计学意义(P0.05)。②MRI T2WI扫描结果:与WT组比较,APP/PS1组2月龄小鼠灰质体积无明显变化,差异无统计学意义(P0.05);APP/PS1组6月龄小鼠内嗅皮质体积明显缩小,APP/PS1组12月龄小鼠内嗅皮质和海马体积均明显缩小,差异具有统计学意义(P0.05)。③Th-s荧光染色检测结果:WT组、APP/PS1组2月龄小鼠均未检测出Aβ沉积;与WT组比较,APP/PS1组小鼠6月龄内嗅皮质和海马可检测到少量Aβ沉积,而12月龄时内嗅皮质和海马则可检测出大量致密Aβ斑块,差异具有统计学意义(P0.05)。④相关性分析结果:APP/PS1组小鼠内嗅皮质和海马体积变化与逃避潜伏期呈明显负相关关系(r=-0.729,P0.001;r=-0.643,P0.001);APP/PS1组小鼠内嗅皮质和海马体积变化与穿越平台次数呈明显正相关关系(r=0.705,P0.001;r=0.719,P0.001);APP/PS1组小鼠内嗅皮质和海马体积变化与Aβ沉积呈明显负相关关系(r=-0.865,P0.001;r=-0.885,P0.001)。结论:APP/PS1转基因小鼠可能于6月龄时就发生学习记忆功能障碍,且随时间渐进性加重;这种学习记忆功能障碍可能与大脑内嗅皮质和海马体积萎缩有关;而Aβ过度沉积可能是导致大脑灰质体积萎缩的因素之一。     

电针刺激对APP/PS1双转基因阿尔兹海默病模型小鼠皮质老年斑形成的影响及机制研究

目的:研究电针刺激对APP/PS1双转基因阿尔兹海默病(AD)模型小鼠学习记忆和空间探索能力、皮质内老年斑(SP)的变化及形成机制的影响。方法:将3月龄雄性小鼠随机分为4组:对照组、模型组、电针两疗程组和三疗程组,每组6只;对照组为野生型小鼠,其余三组为APP/PS1双转基因小鼠。通过电针刺激小鼠百会穴和肾俞穴,频率为2Hz,电流2m A,持续15min,每天1次,7天1疗程。应用水迷宫实验观察学习记忆和空间探索能力,Western Blot分析各组皮质区的顶叶和颞叶APP、IDE和BACE1蛋白的表达水平,免疫组化检测皮质区SP的表达。结果:行为学实验结果发现,与对照组相比,模型组小鼠的逃避潜伏期和搜索路径均明显增加(P0.05),穿越平台的次数明显减少(P0.0001);而与模型组相比,治疗组小鼠的逃避潜伏期和搜索路径均明显缩短(P0.05),穿越平台的次数明显增加(P0.01);与电针两疗程组相比,电针三疗程组的逃避潜伏期和搜索路径也明显缩短(P0.05),穿越平台的次数明显增加(P0.05)。免疫组化结果显示:对照组小鼠皮质区的顶叶和颞叶没有SP;与模型组相比,电针三疗程组的SP数目明显降低(P0.01)。Western Blot检测结果显示,模型组小鼠皮质区的顶叶和颞叶APP、BACE1的水平明显高于对照组(P0.0001),IDE的水平明显低于对照组(P0.0001);而与模型组相比,两个治疗组APP、BACE1的表达明显下调(P0.05;P0.001),IDE的表达明显上调(P0.05;P0.01);电针三疗程组APP、BACE1的水平明显低于电针两疗程组(P0.01)。结论:电针刺激能够改善APP/PS1双转基因AD模型小鼠的学习记忆和空间探索能力;另外,电针刺激可能通过影响皮质区APP、BACE1以及IDE等蛋白表达来调节Aβ的浓度,从而减少SP的形成和沉积。     

电针百会穴改善APP/PS1转基因小鼠空间学习记忆能力及对磁共振波谱的影响

目的:探讨电针百会穴对APP/PS1转基因小鼠空间学习记忆能力及氢质子磁共振波谱(1H-MRS)的影响。方法:雄性APP/PS1转基因小鼠及雌性阴性小鼠育种后代,经PCR鉴定后将育种后代中15只转基因小鼠根据随机数字表分为模型组7只和电针组8只,8只同窝阴性小鼠作为正常组。电针百会穴干预4周,正常组及模型组同等条件抓取。Morris水迷宫观察小鼠空间学习记忆能力,1H-MRS检测小鼠脑内海马区N-乙酰天门冬氨酸(NAA)、谷氨酸(Glu)水平。结果:Morris水迷宫试验显示,电针组小鼠逃避潜伏期较模型组显著缩短(P0.05),穿越平台次数增加(P0.05);与模型组小鼠比较,电针组小鼠海马区NAA、Glu水平均较高,差异具有统计学意义(P0.05)。结论:电针百会穴可改善APP/PS1转基因小鼠空间学习记忆能力,其作用机制可能与脑内海马区NAA、Glu含量增加有关。     

电针神庭、百会对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力和LIM激酶1磷酸化的影响

目的探讨电针神庭、百会穴对脑缺血再灌注大鼠海马突触可塑性和学习记忆能力的影响,及其可能的机制。方法雄性Sprague-Dawley大鼠32只,随机分为假手术组、模型组、电针组、非穴组,每组8只。模型组、电针组、非穴组采用线栓法制备大鼠脑缺血120 min再灌注模型。电针组电针神庭、百会14 d,非穴组电针大鼠双侧胁下非经非穴14 d。采用Morris水迷宫检测学习记忆能力;电镜观察海马区突触形态;Western blotting检测海马LIM激酶1及其磷酸化水平。结果与假手术组比较,模型组大鼠逃避潜伏期明显增加(t6.789,P0.01),穿越平台次数显著减少(t=8.695,P0.001),突触数减少,LIM激酶1总蛋白(t=7.568,P0.01)及磷酸化水平下降(t=8.874,P0.001);与模型组比较,电针组大鼠平均逃避潜伏期明显减少(t4.938,P0.01),穿越平台次数显著增多(t=-7.891,P0.001),突触数量增多,LIM激酶1总蛋白(t=-6.473,P0.01)及磷酸化水平上升(t=-6.579,P0.01)。非穴组各项指标与模型组比较无显著性差异(P0.05)。结论电针神庭、百会穴可以改善脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力,可能与LIM激酶1磷酸化水平升高进而改善突触可塑性有关。     

电针调控L1CAM表达在阿尔茨海默病神经保护中的作用

目的 观察电针干预对阿尔茨海默病小鼠学习记忆能力及神经细胞粘附分子L1（L1CAM）表达的影响。 方法 采用随机数字表法将30只雄性APP/PS1小鼠分为模型组、电针组及非穴组,每组10只小鼠,另取10只C57BL/6小鼠纳入对照组。电针组小鼠给予电针刺激百会、肾俞穴,电刺激频率50 Hz,连续波,电流强度1 mA,每天刺激1次,连续干预14 d;非穴组小鼠在百会、肾俞穴附近给予电针刺激,其它操作均与电针组相同;模型组、对照组小鼠均继续常规饲养,未给予电针等特殊处理。于干预后采用Morris水迷宫实验检测各组小鼠行为学改变,选用Western blot技术检测各组小鼠海马组织中L1CAM、PTEN及p53蛋白表达水平。 结果 与对照组Morris水迷宫定位航行实验结果比较,模型组在第1,2,3,4,5天时的逃避潜伏期均显著延长（P＜0.05）。与模型组结果比较,电针组在第2,3,4,5天时逃避潜伏期均显著缩短（P＜0.05）。与模型组比较,电针组L1CAM蛋白表达量明显上调（P＜0.05）,PTEN及p53蛋白表达量均显著下调（P＜0.05）。与电针组比较,非穴组在第2,3,4,5天时逃避潜伏期均明显延长（P＜0.05）,L1CAM蛋白表达量下调（P＜0.05）,PTEN及p53蛋白表达量均显著上调（P＜0.05）。通过相关性分析发现,实验小鼠逃避潜伏期与L1CAM表达水平呈负相关性（P＜0.05）,与p53、PTEN表达水平呈正相关性（P＜0.05）。 结论 L1CAM参与实验小鼠学习记忆过程,电针穴位可改善AD小鼠学习记忆功能,其作用机制可能与促进海马组织中L1CAM蛋白表达、抑制PTEN及p53蛋白表达有关。     

电针百会、神庭穴对缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力及海马CA1区嘌呤受体P2X7表达的影响

目的观察电针百会、神庭穴对缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能的影响,并探究其可能机制。方法雄性Sprague-Dawley大鼠42只随机分为假手术组(n=12)和手术组(n=30)。手术组线栓法制备左侧大脑中动脉栓塞90 min再灌注模型,符合纳入标准的24只分为模型组(n=12)和电针组(n=12)。电针组电针百会、神庭共7 d。造模后2 h和干预后1 d、3 d、7 d,采用Longa神经行为学评分进行评定;干预后3 d起行Barnes迷宫实验检测,共5 d;干预7 d后,免疫荧光标记法检测缺血侧海马CA1区嘌呤受体P2X7的表达,酶联免疫吸附法检测海马CA1区白细胞介素-1β(IL-1β)、肿瘤坏死因子-α(TNF-α)。结果干预后7 d,与模型组相比,电针组Longa评分降低(P0.05);与假手术组相比,模型组Barnes迷宫逃避潜伏期显著延长(P0.001),进入错误洞口次数显著增多(P0.001);与模型组相比,电针组逃避潜伏期显著缩短(P0.001),进入错误洞口次数显著减少(P0.001);与假手术组比较,模型组P2X7受体平均光密度,IL-1β、TNF-α水平均显著提高(P0.001);与模型组相比,电针组P2X7受体表达,IL-1β、TNF-α水平减少(P0.05)。结论电针百会、神庭穴能有效改善缺血再灌注损伤大鼠的学习记忆能力,可能与抑制海马CA1区嘌呤受体P2X7表达,改善缺血再灌注损伤大鼠海马CA1区神经炎症反应有关。     

电针百会、神庭对脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力及突触可塑性的影响

目的:探讨电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力及突触可塑性的影响。方法:将36只清洁级雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组和电针组,其中12只仅分离血管作为假手术组,其余24只运用线栓法制备左侧大脑中动脉局灶性脑缺血再灌注大鼠模型,缺血时间为2 h。造模成功后采用随机数字表法分为模型组和电针组各12只。电针组大鼠给予电针百会、神庭穴,1次/d,持续7 d;其余2组同等条件抓取,不予干预。各组大鼠在造模成功后第3天开始采用Morris水迷宫检测大鼠学习记忆能力,水迷宫试验共持续5 d;采用透射电镜观察海马区突触超微结构的变化;免疫组化法检测突触后致密蛋白95(PSD-95)和突触囊泡膜蛋白-突触素(SYN)的表达。结果:水迷宫测试中,模型组与假手术组相比逃避潜伏期明显增加(P0.001),穿越平台次数减少(P0.01);电针组与模型组比较逃避潜伏期缩短(P0.01),穿越平台次数增加(P0.05),第5天的穿越平台轨迹较集中于平台附近,而模型组则较分散和不规则。通过透射电镜观察,模型组与假手术组相比突触数量显著减少(P0.001);电针组比模型组海马CA1区突触的结构更加清晰和完整,数量显著增加(P0.01)。免疫组化发现假手术组比模型组海马区PSD-95及SYN表达显著增高(P0.001);与模型组相比,电针组海马区的PSD-95表达明显增高(P0.001),SYN表达也显著增高(P0.01)。结论:电针百会、神庭穴可以改善脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力,其机制可能与增强突触可塑性,包括促进突触结构的完整,增加PSD-95和SYN的表达有关。     

电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及海马CA1区突触超微结构的影响

目的观察电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及损伤大鼠海马CA1区突触超微结构的影响。方法雄性Sprague-Dawley大鼠25只随机分为假手术组(n=6)和手术组(n=19)。手术组线栓法建立左侧大脑中动脉栓塞90 min后再灌注模型,筛选符合纳入标准的12只大鼠随机分为模型组和电针组各6只。电针组电针百会、神庭穴7 d。采用Longa评分检测大鼠神经功能;小动物磁共振成像分析系统T2加权成像观察脑梗死体积;Barnes迷宫测试检测大鼠学习记忆能力;透射电镜观察海马CA1区突触超微结构。结果与模型组相比,电针组Longa评分降低(P0.05),脑梗死体积明显减少(P0.01);Barnes迷宫测试逃避潜伏期明显缩短(P0.01),平均进入错误洞口次数显著减少(P0.001)。透射电镜显示,模型组突触结构溶解,数量减少,囊泡稀疏、破坏;与模型组相比,电针组突触结构较清晰,突触数量较多,突触囊泡较多。结论电针百会、神庭能有效改善脑缺血再灌注大鼠的学习记忆能力,其机制可能与改善海马CA1区突触的超微结构,提高突触可塑性有关。     

电针神庭、百会对脑缺血再灌注大鼠认知功能及Beclin-1表达的影响

目的观察电针神庭、百会对脑缺血再灌注大鼠认知功能的影响,并探讨其可能机制。方法雄性Sprague-Dawley大鼠45只随机分为假手术组(n=15)、模型组(n=15)和电针组(n=15)。模型组和电针组采用线栓法制备脑缺血2 h再灌注模型。电针组术后2 h起电针百会、神庭共7 d。各组术后1 d、3 d、5d、7 d行Longa评分;干预后4 d起,行Morris水迷宫测试,共4 d。干预后7 d,TTC染色检测脑梗死体积,Western blotting检测缺血侧Beclin-1蛋白表达。结果干预后3 d起,与模型组相比,电针组大鼠Longa评分降低(P0.05)。各时间点,与模型组相比,电针组逃避潜伏期缩短(P0.05),穿越平台次数提高(P0.05)。与模型组相比,电针组脑梗死体积显著减小(F=7.651,P0.001),Beclin-1表达增强(P0.05)。结论电针百会、神庭穴可以改善脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力,可能与调控自噬网络有关。     

电针对APP/PS1小鼠脑功能活动影响的功能性磁共振成像研究

目的探讨电针百会(DU20)、神庭(DU24)对APP/PS1小鼠的脑功能活动的影响。方法同窝4月龄APP/PS1双转基因小鼠16只随机分为模型组(n=8)和电针组(n=8);同窝转基因阴性小鼠(n=8)为对照组。电针组电针百会、神庭,共16周。干预前后进行新物体识别实验;小动物功能磁共振成像(fMRI)局部一致性(ReHo)分析法观察脑功能活动。结果干预后,与对照组相比,模型组新物体识别指数降低(P<0.05);与模型组相比,电针组新物体识别指数增高(P<0.05)。干预前,与对照组相比,模型组右侧基底前脑、左侧海马ReHo降低。干预后,与对照组相比,模型组双侧海马ReHo降低,压后皮质ReHo升高;与模型组相比,电针组双侧海马、运动皮质ReHo升高,前扣带回ReHo下降。结论电针百会、神庭可延缓APP/PS1小鼠学习记忆功能减退,可能与调节海马区的功能活动有关。     

小续命汤对APP/PS1转基因鼠海马区Aβ、GFAP蛋白的影响及其行为学分析

目的:观察小续命汤对APP/PS1转基因鼠海马区Aβ及GFAP蛋白的影响,探讨小续命汤改善认知功能障碍的作用机制。方法:采用APP/PS1双转基因小鼠建立阿尔茨海默病模型,将同月龄的同窝阴性鼠作为空白对照组,按照随机数字表将基因鼠分为模型组和小续命汤组,模型组和空白对照组不给药,小续命汤组按照13 g/kg连续灌胃90 d。Morris水迷宫法检测小鼠学习记忆能力,免疫组化染色观察3组小鼠大脑海马区Aβ、GFAP蛋白的表达。结果:与模型组比较,小续命汤组在水迷宫空间探索实验中,到达目标区域的时间及搜索距离明显缩短(P0.05),穿梭次数明显增多(P0.05);免疫组化结果显示:与空白对照组比较,模型组小鼠大脑海马区Aβ阳性蛋白及GFAP阳性细胞均明显增加(P0.01);与模型组比较,小续命汤组Aβ蛋白的沉积及GFAP阳性细胞均明显减少(P0.05)。结论:小续命汤改善APP/PS1基因鼠的认知功能可能与减少大脑海马区Aβ沉积、降低星形胶质细胞的活化有关。     

电针对血管性认知障碍大鼠脑功能局部一致性的效果北大核心CSCD

目的观察电针百会、神庭对血管性认知障碍(VCI)大鼠脑区功能活动和工作记忆的影响。方法18只Sprague-Dawley大鼠,其中12只结扎双侧颈总动脉造模,假手术组6只不结扎。造模大鼠随机分为模型组(n=6)和电针组(n=6),电针组电针百会和神庭,共4周。干预前后采用Y迷宫、Morris水迷宫进行评定;干预后行静息态功能磁共振成像扫描,计算局部一致性(ReHo)。结果干预前,与假手术组相比,模型组和电针组Y迷宫交替率显著降低(P<0.001),Morris水迷宫逃避潜伏期升高(P<0.05);干预后,电针组Y迷宫交替率较模型组增高(P<0.05),Morris水迷宫工作记忆逃避潜伏期降低(P<0.05)。与假手术组相比,模型组双侧海马、嗅觉皮质、感觉皮质、听觉皮质,左侧纹状体ReHo降低;与模型组相比,电针组双侧前额叶、海马、嗅觉皮质,左侧杏仁核ReHo升高。结论电针百会、神庭可改善VCI大鼠工作记忆,可能与调节前额叶、海马、杏仁核等脑区功能活动有关。     

电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆影响的小动物磁共振波谱研究

目的:观察脑缺血再灌注损伤大鼠海马区神经细胞代谢,探讨电针改善脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力的机制。方法:将SD大鼠按照随机数字表分为假手术组、模型组、电针组;利用Koizumi线栓法制备左侧大脑中动脉缺血再灌注大鼠模型,电针百会、神庭穴,每天1次,每次30 min,持续7 d;采用Morris水迷宫评估大鼠学习记忆能力,小动物核磁共振T2WI成像观察大鼠脑梗死,小动物磁共振波谱(MRS)观察大鼠海马区神经细胞代谢。结果:电针干预7 d后,大鼠在Morris水迷宫中穿越平台的次数显著增加(P0.01);大鼠脑梗死体积减少(P0.01),大鼠海马区N-乙酰天门冬氨酸(NAA)、胆碱复合物(Cho)左侧/右侧含量的比值均升高(P0.05)。结论:电针刺激百会、神庭穴可改善脑缺血再灌注损伤大鼠海马区NAA和Cho的代谢,起到神经保护作用,从而改善学习记忆能力。     

不同电针法对APP/PS1小鼠海马高迁移率族蛋白B1和白细胞介素-10表达的影响

目的观察"通督启神"法脉冲电针与音乐电针对APP/PS1模型小鼠空间学习记忆能力及海马内炎症介质表达的影响。方法 APP/PS1双转基因雄性小鼠32只随机分为模型组(n=8)、药物组(n=8)、脉冲电针组(n=8)和音乐电针组(n=8),相同月龄C57BL/6雄性小鼠作为正常对照组(n=8)。脉冲电针组与音乐电针组以各自电针仪电针百会、印堂,留针20 min,取针后点刺人中。药物组予盐酸多奈哌齐0.92 mg/kg灌胃。正常对照组、模型组与药物组以相同方法抓取束缚20 min。治疗15 d后,行Morris水迷宫测试,免疫组化观察海马高迁移率族蛋白B1(HMGB1)与白细胞介素-10(IL-10)表达,Western blotting检测海马HMGB1与IL-10的表达。结果两个电针组从训练第4天起,逃避潜伏较模型组缩短(P0.05),音乐电针组最短;目标象限游泳比例升高(P0.05),两个电针组之间无显著性差异(P0.05);海马HMGB1的表达降低(P0.05),IL-10蛋白表达增加(P0.05),免疫组化法音乐电针组HMGB1的表达低于脉冲电针组(P0.05),IL-10表达高于脉冲电针组(P0.05),Western blotting检测两组无显著性差异(P0.05)。结论 "通督启神"法脉冲电针与音乐电针均能改善APP/PS1小鼠学习记忆功能,音乐电针在抑制炎性因子表达、促进抗炎因子表达方面可能优于脉冲电针。     

电针调控前额叶组蛋白乙酰化修饰改善血管性痴呆大鼠认知功能的实验研究

目的:探讨电针百会、神庭穴干预对血管性痴呆(vascular dementia,VD)大鼠认知行为学、前额叶组蛋白H3K9乙酰化修饰,以及突触可塑性相关蛋白表达的影响。方法:健康雄性Sprague-Dawley大鼠24只,随机分为假手术组、模型组、电针组,每组各8只。模型组和电针组采用2-VO(结扎双侧颈总动脉)方法制备血管性痴呆模型,假手术组仅分离颈总动脉但不结扎。电针组采用电针百会、神庭穴干预4周。采用Morris水迷宫测试工作记忆能力,新物体识别测试干预后物体识别记忆能力;免疫印迹法检测前额叶突触可塑性相关蛋白α-氨基-3-羟基-5-甲基-4-异恶唑丙酸受体1(α-amino-3-hydroxy-5-methyl-4-isoxazolepropionicacid receptor 1,AMPAR1)、N-甲基-D-天冬氨酸受体1(N-methyl-D-aspartic acid receptor 1,NMDAR1)、N-甲基-D-天冬氨酸受体2B(N-methyl-D-aspartic acid receptor 2B,NMDAR2B),以及组蛋白H3K9乙酰化修饰相关蛋白CBP(CREB-binding protein,CREB结合蛋白)、E1A结合蛋白P300(E1A binding protein P300,P300)、组蛋白去乙酰基转移酶1(histone deacetylase 1,HDAC1)的表达水平。结果:干预前,与假手术组相比,模型组、电针组Morris水迷宫工作记忆测试逃避潜伏期延长(P0.05),后两组间逃避潜伏期无显著性差异(P0.05)。干预后,与模型组相比,电针组Morris水迷宫工作记忆测试逃避潜伏期缩短(P0.05),电针组新物体识别指数升高(P0.05)。干预后,与模型组相比,电针组前额叶突触可塑性相关蛋白NMDAR1和NMDAR2B表达上升(P0.05),AMPAR1表达无显著性差异(P0.05);组蛋白H3K9乙酰化修饰水平升高(P0.05),组蛋白乙酰基转移酶CBP(P0.05)和P300(P0.05)表达上升,而组蛋白去乙酰基转移酶HDAC1表达无显著性差异(P0.05)。结论:电针百会、神庭穴干预可以改善血管性痴呆大鼠认知功能,可能与调控前额叶组蛋白H3K9乙酰化修饰,提高突触可塑性有关。