电针督脉穴对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑基因表达谱的影响

目的:应用基因芯片技术研究电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织基因表达谱的影响。在分子水平探讨电针治疗脑缺血再灌注损伤的作用机制。方法:大脑中动脉埋线法制备大鼠脑缺血再灌注模型,缺血2h再灌注24h后取受损脑组织提取总RNA。用大鼠全基因组寡核苷酸微阵列芯片检测电针"水沟"、"百会"穴对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑基因表达谱的影响。结果:局灶性脑缺血再灌注大鼠与假手术组大鼠脑组织基因表达谱相比,有175个差异表达基因,其中115个基因表达增高,60个基因表达下调;电针组与局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织基因表达谱相比,有74个差异表达基因,其中26个基因表达增高,48个基因表达下调。结论:本研究筛选出大量的差异表达基因,这些基因可能参与脑缺血再灌后脑损伤的发生发展过程,并参与了针灸抗损伤的机制。     

电针对局灶性脑缺血/再灌注大鼠IL-1Ra mRNA表达的调节

目的 :观察电针 (EA)对局灶性脑缺血 /再灌注大鼠IL 1RamRNA表达的调节作用。方法 :采用线栓法制备SD大鼠局灶性大脑中动脉阻塞缺血 /再灌注 (MCAo)模型 ,并应用RT PCR的方法进行观察。结果 :MCAo大鼠缺血侧大脑皮层在再灌注后 1 2hr和 2 4hrIL 1RamRNA表达增加 ;在缺血侧纹状体缺血再灌注后 1 2hrIL 1RamRNA表达明显增加 ,但再灌注后 2 4hr表达明显降低 ,电针可使IL 1RamRNA的表达明显增加。结论 :EA可使内源性IL 1RamRNA表达增加 ,从而使IL 1Ra表达增加 ,对脑缺血起保护作用 ,这也可能是EA抗脑缺血损伤的机制之一。     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮生长因子及内皮抑素的影响

目的:观察电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠梗死灶周围血管内皮生长因子(VEGF)及内皮抑素(ES)的影响.方法:40只SD大鼠随机分为正常对照组、假手术组、模型组、电针组各10只,采用局灶性脑缺血再灌注模型,免疫组织化学(SABC)法观察电针对VEGF及ES的表达的影响.结果:电针组VEGF表达明显高于模型组(P＜0.01);ES的表达明显低于模型组(P＜0.01).结论:电针可增强脑缺血大鼠脑内VEGF的表达,降低ES的表达,可能为针刺促进脑梗塞大鼠缺血区血管新生的机制之一.     

电针对大鼠局灶脑缺血/再灌注时大脑皮质cPKCα蛋白表达的影响

目的 :探讨电针双侧“合谷”穴区对Wistar大鼠局灶脑缺血 /再灌注时大脑皮质cPKCα蛋白表达的影响。方法 :线栓法闭塞Wistar大鼠大脑中动脉 ,制备局灶脑缺血 /再灌注模型。运用免疫组化法检测电针大鼠双侧“合谷”穴区对局灶脑缺血 /再灌注时大脑皮质cPKCα蛋白表达的影响。结果 :假手术组部分动物大脑皮质cPKCα蛋白弱表达 ,局灶脑缺血 3hr时大脑皮质cPKCα蛋白表达增加 ,但未达显著水平 (P >0 .0 5) ,再灌注 3hr、6hr时大脑皮质cPKCα蛋白表达明显增加(P <0 .0 1 ) ,而电针可以明显减少再灌注 3hr、6hr时大脑皮质cPKCα蛋白表达 (P <0 .0 1 )。结论 :电针“合谷”穴区可下调大脑皮质cPKCα蛋白表达 ,这可能与电针抗局灶脑缺血 /再灌注时脑细胞凋亡有关     

电针预处理对局灶性脑缺血再灌注大鼠pSTAT3蛋白表达的影响

目的:探讨电针预处理对大鼠脑缺血再灌注损伤后脑组织磷酸化STAT3( pSTAT3)蛋白表达的影响.方法:大鼠随机分为假手术组、模型组和电针预处理组,其中电针预处理组在造模前7天给予治疗,1次/天.局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠模型的制备应用大脑中动脉线栓法,Western blotting检测缺血侧脑组织pSTAT3蛋白表达情况,TTC染色检测脑梗死体积.结果:缺血再灌注损伤24 h,电针预处理治疗组能明显缩小脑梗死体积,减少脑缺血大鼠pSTAT3蛋白的表达,与模型组比较均有显著性差异(P＜0.05).结论:电针预处理能下调大鼠脑缺血再灌注损伤后pSTAT3的表达水平,明显缩小脑梗死体积,具有良好的神经保护作用.     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠神经功能障碍的影响

目的:观察电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠缺血区病理学形态及神经功能障碍的影响。方法:将30只清洁级雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组,每组10只,模型组与电针组大鼠采用线栓法栓塞大脑中动脉60 min后拔出线栓恢复血流,电针组在缺血再灌注2 h后开始电针刺激(百会、水沟、足三里,疏密波,频率2 Hz/15 Hz)30 min,每隔12 h重复刺激1次,假手术组除线拴插入深度不至大脑中动脉外,其余操作同模型组和电针组。再灌注72 h后,采用Zea-Longa评分方法观察电针对缺血再灌注大鼠神经功能障碍的影响以及HE染色观察电针对缺血区病理学形态的影响。结果:电针组大鼠脑组织病理学形态损伤较模型组明显改善;电针组大鼠神经功能障碍明显轻于模型组。结论:电针刺激可明显减轻脑缺血再灌注大鼠脑组织损伤,对脑缺血再灌注大鼠神经功能有良性调节作用。     

《针刺研究》第28卷(2003年)总目次

☆实验研究☆针刺“足三里”对大鼠孤束核P物质的影响刘健华　李江山　严　洁 ,等 ( 1) :5………………………………………督脉穴位电针对暂时性脑缺血所致神经细胞死亡的影响李　荣　郭景春　程介士 ( 1) :10…………………………头皮针对脑缺血大鼠模型碱性成纤维细胞生长因子的影响张海峰　崔　海　唐　强 ( 1) :17………………………针刺对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤的保护作用何学斌　吴　耀　舒　荣 ,等 ( 2 ) :85……………………………大鼠穴位针刺预处理抗脑缺血再灌注损伤作用探讨陈泽斌　王　华 ( 3) :16 5…………………………     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织bFGF、ES表达的影响

目的 观察电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠梗死灶周围碱性成纤维细胞因子(bFGF)及内皮抑素(ES)表达的影响.方法 80只SD大鼠随机分为正常组、假手术组、模型组、电针组,每组10只,采用免疫组织化学(SABC)法观察电针对局灶性脑缺血再灌注模型bFGF、ES表达的影响.结果 电针组bFGF表达明显高于模型组(P＜0.01);ES的表达明显低于模型组(P＜0.01).结论 电针可增强脑缺血大鼠脑内bFGF的表达,同时降低ES的表达,可能为电针促进脑缺血大鼠缺血区血管新生的机制之一.     

电针对脑缺血再灌注损伤大鼠脑组织中自由基及热休克蛋白70表达的影响

目的:探讨电针干预脑缺血再灌注损伤的作用机制。方法:成年Wistar大鼠63只,分为7组,脑缺血2h/再灌注1h组、脑缺血2h/再灌注1h+电针组、脑缺血2h/再灌注3h组、脑缺血2h/再灌注3h+电针组、脑缺血2h/再灌注6h组、脑缺血2h/再灌注6h+电针组和假手术组。建立局灶性脑缺血再灌注动物模型。电针取“水沟”、双侧“中冲”及“风府”穴,疏密波,4-60Hz,强度2mA左右,在大脑中动脉阻断1h后给予电刺激15min。分别用羟胺法和硫巴比妥酸盐反应法检测脑组织中超氧化物歧化酶(SOD)活性和丙二醛(MDA)含量,免疫组化法测定脑组织中热休克蛋白(HSP)70的表达。结果:与假手术组相比,各缺血再灌注组SOD活性明显下降,MDA含量显著增加,HSP70表达增加。与缺血再灌注组比较,各电针组SOD活性明显上升,MDA含量明显下降,HSP70表达进一步增加。结论:电针干预脑缺血再灌注损伤的作用机制与降低大鼠脑组织中自由基含量,增强SOD活性和HSP70表达有关。     

电针对脑缺血再灌注大鼠大脑皮层超微结构的影响

目的:探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层组织的神经保护作用。方法:将SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组,每组各5只。采用改良Longa线栓大脑中动脉法复制局灶性脑缺血再灌注模型。电针组取穴"百会"及"大椎",采用疏密波刺激30 min,电流强度1~3 mA,频率20 Hz/80 Hz,疏、密波交替时间各为1.5 s。用透射电子显微镜观察受损局灶大脑皮层锥体细胞、星形胶质细胞及血脑屏障等超微结构。结果:假手术组大鼠大脑皮层超微结构未见病理改变;而模型组大鼠脑组织神经元细胞结构严重破坏,线粒体肿胀,嵴断裂,毛细血管内皮肿胀,管腔挛缩,甚至闭塞,胶质细胞足突肿胀;经电针处理后脑组织超微结构损伤变小或基本正常,受损局灶神经元病理结构得到改善。结论:电针通过影响缺血再灌注局灶的神经元超微结构从而改善了缺血病灶区域的能量供应及代谢功能,发挥了对神经功能的保护作用。     

电针对局灶性脑缺血大鼠脑组织NO及NOS的影响

目的　研究电针对局灶性脑缺血后脑组织 N O含量及 3种亚型 N OS表达的影响。方法　采用改良大脑中动脉线栓法造成大鼠局灶性脑缺血模型 ,电针百会、大椎 ,应用硝酸还原酶法测定 NO含量及免疫组织化学技术检测脑组织 3种亚型NOS(n NOS、i NOS、e NOS)的表达 ,观察局灶性脑缺血后 3种亚型 NOS表达。结果　督脉电针能减少局灶性脑缺血后脑组织中 NO含量 (13.12± 3.15μm ol/L ) ,与缺血组比较 P <0 .0 1;督脉电针组缺血侧脑组织 i N OS、n N OS表达 (13.0 1± 1.32 ,32 .12± 1.5 6)显著低于缺血组 (P<0 .0 1) ,e NOS表达 (2 9.2 1± 3.0 1)显著高于缺血组 (P<0 .0 1)。结论　督脉电针能上调e N OS表达 ,同时下调局灶性脑缺血所致 n NOS、i NOS的异常表达 ,从而减少总 NO的生成量 ,降低缺血引起的毒性作用 ,对脑组织具有一定的保护作用     

芪红脑苏汤对局灶性脑缺血再灌注损伤的保护机制研究

目的:研究芪红脑苏汤活血化瘀作用对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠的脑保护作用,并探讨其作用机制。方法:以线栓法复制局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠模型,观察芪红脑苏汤对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠脑组织病理形态改变及脑组织中TNF-α、ICAM-1含量的影响。结果:与模型组比较,芪红脑苏汤31.4g/kg、15.7g/kg、7.9g/kg剂量组均能降低大鼠神经功能缺失评分及其病理评分分值;芪红脑苏汤31.4g/kg剂量组能降低缺血部位TNF-α表达,31.4g/kg、15.7g/kg剂量组能降低缺血部位ICAM-1的表达;芪红脑苏汤31.4g/kg、15.7g/kg、7.9g/kg剂量组均能降低缺血部位TNF-α含量,15.7g/kg、7.9g/kg剂量组能降低缺血部位ICAM-1的含量。结论:芪红脑苏汤的活血化瘀作用对局灶性脑缺血再灌注大鼠的脑损伤具有较好的保护作用,其作用机制可能与降低脑内TNF-α、ICAM-1含量有关。     

丹酚酸A对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠ICAM-1表达的影响

目的:通过对观察丹酚酸A预处理对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠ICAM-1表达的影响,探讨丹酚酸A预处理对缺血再灌注急性期脑损伤的保护作用机制。方法:丹酚酸A预处理3天后采用线拴法建立大鼠脑缺血再灌注模型,不同时间点(0,1,4,12,24h)取脑组织,冰冻切片,荧光免疫组化法检测缺血区脑微血管内皮ICAM-1的表达。以尼莫地平作为阳性对照药。结果:模型组与空白对照组相比ICAM-1表达明显升高(P<0.05)。丹酚酸A各组ICAM-1表达均低于相应时间点模型组(P<0.05)。结论:丹酚酸A预处理可降低局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠ICAM-1表达的影响,提示阻抑粒细胞粘附作用是其脑保护作用机制之一。     

电针对MCAO大鼠ERK蛋白表达的影响

目的:探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠皮层、纹状体ERK蛋白表达的影响.方法:用改良Longa线栓法复制MCAO模型,采用免疫组织化学染色法观察电针对模型大鼠ERK蛋白表达的影响.结果:电针具有上调脑缺血再灌注大鼠ERK的蛋白表达作用.结论:电针对脑缺血再灌注大鼠ERK通路具有保护作用.     

左卡尼汀对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠ATP酶活性的影响

目的研究左卡尼汀对局灶性脑缺血再灌注损伤的保护作用。方法采用线栓法制备局灶性脑缺血（MCAO）再灌注损伤大鼠模型,观察左卡尼汀对大鼠脑组织ATPase活性的影响。结果左卡尼汀各剂量组均能提高缺血再灌注大鼠脑组织ATPase的活性。结论左卡尼汀对局灶性脑缺血再灌注损伤的保护机制可能与其促进脑能量代谢．提高脑组织ATP酶活性,维持钠泵、钙泵的稳定有关。     

电针对脑缺血再灌注损伤大鼠炎症反应的影响

目的:研究电针对脑缺血再灌注损伤的保护作用。方法:在双肾双夹法复制易卒中型肾血管性高血压模型的基础上,应用栓线法制备大鼠局灶性脑缺血再灌注模型,观察电针对实验性脑缺血再灌注大鼠脑组织MPO、TNF-α的影响。结果:电针可显著改善脑缺血再灌注大鼠神经缺损行为体征,同时明显降低脑组织MPO、TNF-α的含量。结论:电针水沟、内关、足三里对脑缺血再灌注损伤有显著的保护作用,其机制可能与调节脑组织MPO、TNF-α水平,遏止炎症反应,减轻缺血再灌注继发性神经元损伤有关。     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠神经血管单元的保护作用

目的:观察电针对大脑中动脉缺血再灌注(MCAO/R)模型大鼠神经行为学及脑组织血管内皮生长因子(VEGF)、神经生长相关蛋白-43(GAP-43)、突触囊泡蛋白(SYN)、髓鞘碱性蛋白(MBP)、勿动蛋白A(Nogo-A)表达的影响,探讨电针对MCAO/R模型大鼠神经血管单元的保护作用及其机制。方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组和电针组,每组20只。采用线栓法制作大鼠MCAO/R模型。电针刺激在造模成功90min后进行,针刺双侧"内关"水沟"三阴交"及"百会"穴,留针30min,每天针刺1次,共14d。各组大鼠在7、14d两个时间点各取10只进行神经功能评估并行免疫组化SP法检测缺血脑组织VEGF、GAP-43、SYN、MBP、Nogo-A的表达。结果:模型组出现明显神经功能缺损症状,14d电针组大鼠神经功能恢复明显优于模型组(P<0.05)。与假手术组比较,模型组7、14d缺血组织VEGF、GAP-43、Nogo-A的表达增多,SYN在两个时间点的表达均减少(P<0.01,P<0.05);与模型组比较,电针组7、14d缺血组织VEGF、GAP-43、SYN、MBP阳性表达均增多(P<0.01,P<0.05),Nogo-A的表达减少(P<0.01)。结论:①电针能有效改善局灶性脑缺血再灌注大鼠的神经功能;②电针能通过上调各时间点局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织内VEGF、GAP-43、SYN、MBP的表达,下调Nogo-A的表达,促进血管、神经元、神经胶质细胞的恢复,从而保护脑缺血再灌注大鼠的神经血管单元。     

《针刺研究》第29卷(2004年)总目次

实验研究☆下丘脑 β EP及POMCmRNA的表达在针刺镇痛后效应中的作用 陈　瑾　刘光谱　周春阳 (1 ) :5………………中缝大核内催产素在电针镇痛中的作用刘文彦　白　波　王　宏 ,等 (3 ) :1 65………………………………………针刺对局灶性脑缺血大鼠脑细胞凋亡及Bcl 2蛋白表达的     

电针任脉联合bFGF对脑缺血大鼠ERK通路的调节作用

目的:研究电针任脉联合碱性成纤维细胞生长因子(bFGF)对局灶性脑缺血细胞外信号调节激酶(ERK)通路的调节作用。方法:线栓法制作大鼠大脑中动脉栓塞(MCAO)模型。通过Western blot方法研究各组ERK1/2表达和磷酸化的活性特征。结果:MCAO电针联合bFGF治疗后14d,ERK1/2表达在局灶缺血大鼠脑组织中即开始显著升高,ERK1/2磷酸化水平在MCAO后7d开始提高。结论:电针任脉联合bFGF对大鼠局灶性脑缺血的ERK通路起着重要的调节作用,电针任脉联合bFGF治疗对缺血性脑损伤有一定保护作用。     

电针对脑缺血再灌注大鼠海马GDNF表达的影响

目的 观察电针对脑缺血再灌注损伤大鼠胶质细胞源性神经营养因子(GDNF)表达的影响,探讨针刺抗局灶性脑缺血再灌注损伤的神经保护机制.方法 按随机数字表将SD大鼠分为正常组,假手术24h组、假手术48h组、假手术72h组,模型24h组、模型48h组、模型72h组,电针24h组、电针48h组、电针72h组.采用改良线栓法制备局灶型脑缺血再灌注大鼠模型(MCAO),电针,选用2Hz,ImA,连续波,穴取大椎、内关穴,运用免疫组化(SABC)法观察各组大鼠海马GDNF的表达.结果 模型各组大鼠缺血侧海马GDNF的表达显著低于电针相应各组( P<0.05,P<0.01).结论 电针可能通过提高局灶性脑缺血再灌注海马GDNF的表达发挥神经保护作用.