首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
缺血半暗带的研究进展   总被引:11,自引:0,他引:11  
缺血性卒中的治疗靶应当是可逆的半暗带部分。PET和MRI技术有助于确认半暗带的存在。缺血半暗带的主要代谢特点是葡萄利用率增高和ATP水平逐渐下降。由兴奋性氨基酸介导的钙积聚,多形核白细胞(PMN)积聚导致的微血管受累,梗死周边去极化以及细胞凋亡是促使半暗带发展的可能机制。这些机制因不同个体具有差异。今后有可能在成像技术的指导下确认半暗带,把握好治疗时间窗,根据不同个体的状况,确定有效的治疗方法。  相似文献   

2.
局灶性脑缺血后脑缺血半暗带可分为内环半暗带和外环半暗带.针对无溶栓条件的病人应积极救治外环半暗带,通过积极的血压管理,利用气血失调的理论,确认半暗带和了解其产生及演变机制,维持缺血脑组织的血流灌注,尽量满足外环半暗带的基本需求,使其外环半暗带的时间窗延长及容积扩大,减少不可逆性损伤部分.对指导临床治疗具有非常重要的意义.  相似文献   

3.
急性脑出血时血肿周围脑组织存在不同程度的低灌注,但是否存在缺血半暗带,目前的临床监测方法还未得出一致的结论。作为能够检测处于功能障碍但仍然存活的脑组织的一种成像技术,乏氧显像有助于确认血肿周围缺血半暗带并指导临床对急性脑出血患者的个体化治疗。  相似文献   

4.
缺血性卒中再灌注治疗近年来取得了重大进展,治疗前快速精准评估缺血半暗带是临床诊治的紧迫需求.目前,影像学是显示缺血半暗带最直观、有效的方法,该方法通过利用组织窗筛选出能够从再灌注治疗中获益的患者,并预估风险和预后.作者介绍了急性脑梗死影像学缺血半暗带的临床评估模式,并对不同发病时间、拟进行再灌注治疗患者的缺血半暗带评价...  相似文献   

5.
脑梗死周围存在缺血半暗带,缺血半暗带是卒中治疗的主要靶点.核素显像能通过对梗死灶周围组织的局部脑血流、代谢变化、11C-氟马西尼受体显像和乏氧显像等方法有效检测缺血半暗带,为脑梗死的个体化治疗提供指导.  相似文献   

6.
卒中的发病率、致残率和死亡率均很高.缺血半暗带评价对于指导临床治疗和评估预后具有非常重要的意义.目前,可采用MRI、CT、正电子发射体层摄影和单光子发射计算机体层摄影等影像学技术评价缺血半暗带.  相似文献   

7.
急性脑出血继发缺血半暗带的研究进展   总被引:16,自引:0,他引:16  
急性脑出血后血肿周边和远隔部位可出现不同程度的局部脑血流下降,其下降程度可能与血肿的大小、部位及出血时间有关。动物实验已证明,血肿周边可出现缺血半暗带,但在临床试验中并未取得一致结论。弥散加权成像和质子磁共振频谱等成像技术有助于显示血肿周边缺血半暗带,以指导临床对急性脑出血患者的个体化治疗。  相似文献   

8.
脑缺血的基因表达和基因治疗   总被引:1,自引:0,他引:1  
卒中后,在梗死区周边存在一可逆的半暗带,利用神经保护因子或通过改变半暗带基因表达可保护半暗带,阻止脑组织缺血性损伤的发生和发展。文章对脑缺血基因治疗的原理、基因表达、实验方法和治疗等进行了综述。  相似文献   

9.
正脑梗死是指各种原因导致的脑内血液供应障碍,引起脑组织缺血、缺氧性坏死。脑血流中断5 min,神经细胞将出现不可逆损害。脑梗死病灶由缺血中心区和周围的缺血半暗带组成。缺血半暗带恰好是局部缺血引起炎症,造成脑损伤的关键部位。半暗带虽然有损伤,但仍然有大量存活的神经元,及时给予正确的治疗,可以逆转脑组织损伤。因此探讨缺血性脑卒中的炎性发生机制,合理利用炎性标志物,对脑卒中的诊断和预后评价尤为重要。阻断炎性通路,减轻神经元损伤,将成为治疗缺血性卒中的重要治疗靶点之一。1脑梗死的炎性细胞反应  相似文献   

10.
目的探讨用较小扫描范围的CT灌注成像检查对急性大脑中动脉供血区脑卒中的诊断效能。方法回顾性分析急诊接治的22例连续脑卒中患者,均在发病1~24 h行CT平扫和CT灌注成像检查。应用Z轴80 mm范围灌注参数,得出脑梗死核心区、半暗带的体积。计算半暗带/(半暗带+梗死核心区)比值。根据Z轴长度80 mm的CT灌注结果的治疗方案为基线,将较小覆盖范围获得的结果制定的治疗方案,计算较小范围灌注评价治疗的敏感性与特异性。结果当半暗带/(半暗带+梗死核心区)比值>0.2时,较小覆盖范围应用40 mm范围的CT灌注检查,可以准确评价梗死核心区与半暗带。结论大脑中动脉供血区脑卒中患者,当半暗带/(半暗带+梗死核心区)>0.2时,40 mm的Z轴覆盖范围CT灌注成像能够对病灶的范围与性质做出诊断。  相似文献   

11.
抗栓治疗在急性脑梗死治疗中的应用和评价   总被引:3,自引:1,他引:2  
急性缺血性卒中的治疗主要集中在恢复缺血局部的脑血流和保护缺血性神经元上,对于已失去溶栓可能的患者,关键是如何最大限度地挽救缺血半暗带神经元。针对抗栓治疗中抗血小板聚集、降纤和抗凝疗法在治疗急性缺血性卒中中的不同机制,提出了在急性期联合应用3种疗法的可能性。  相似文献   

12.
急性脑出血继发缺血半暗带的研究进展   总被引:66,自引:0,他引:66  
急性脑出血后血肿周边和远隔部位可出现不同程度的局部脑血流下降,其下降程度可能与血肿的大小、部位及出血时间有关。动物实验已证明,血肿周边可出现缺血半暗带,但在临床试验中并未取得一致结论。弥散加权成像和质子磁共振频谱等成像技术有助于显示血肿周边缺血半暗带,以指导临床对急性脑出血患者的个体化治疗。  相似文献   

13.
脑缺血的基因表达和基因治疗   总被引:1,自引:0,他引:1  
卒中后,在梗死区周边存在一可逆的半暗带,利用神经保护因子或通过改变半暗带基因表达可保护半暗带,阻止脑组织缺血性损伤的发生和发展。文章对脑缺血基因治疗的原理、基因表达、实验方法和治疗等进行了综述。  相似文献   

14.
随着诊断技术的进步,凭借多模式影像学评估缺血半暗带,根据组织窗指导临床治疗更有优势的证据越来越多。MR技术被广泛应用于急性缺血性卒中的早期诊断,近年来,依据MR不匹配模式判断缺血半暗带,指导再灌注治疗的安全性和有效性得到证实。该文就多模式MR指导急性缺血性卒中治疗研究进展进行综述。  相似文献   

15.
缺血性脑损伤后的病理改变主要表现为:脑缺血后梗死病灶中心的梗死区、围绕梗死区的半暗带区及外围的周边区域。多年来缺血性脑血管病的治疗策略主要是通过改善血流动力学或其他手段阻断半暗带细胞后续的系列级联病理变化,如能量代谢异常、电解质紊乱、自由基大量生成、核酸内切酶激活等。从而保护或抑制半暗带组织神经元的损伤,改善病情。近年来,随着分子生物学技术的迅猛发展,人们发现缺血性脑损伤后细胞的死亡和功能障碍往往伴随或源自特定基因表达的变化。因此,基因治疗有可能足缺血性脑损伤治疗新途径和新策略的希望所在。  相似文献   

16.
缺血半暗带概念的提出为缺血性卒中的超早期治疗明确了方向,但在如何迅速准确获得半暗带信息,即如何选择半暗带的测量方法时,是采用弥散加权成像/灌注加权成像不匹配,还是采用正电子发射体层摄影尚存争议。文章就此问题做了回顾。  相似文献   

17.
目的 探讨三维伪连续动脉自旋标记(3D pCASL)不同标记后延迟时间(PLD)评估急性缺血性脑卒中(AIS)缺血半暗带体积时相对脑血流量(rCBF)阈值的选择。方法 对42例AIS患者进行磁共振(MRI)常规序列成像、3D pCASL及动态磁敏感对比增强—磁共振灌注成像(DSC-PWI),将磁共振弥散成像、3D pCASL和DSC-PWI影像数据导入F-stroke软件自动分析,生成3D pCASL和DSC-PWI的缺血半暗带体积。以DSC-PWI的缺血半暗带体积作为参考标准,采用组内相关系数(ICC)分析PLD分别为1 525、2 525 ms时,rCBF<30%、<40%、<50%的缺血半暗带体积与DSC-PWI缺血半暗带体积的一致性;比较不同rCBF阈值的缺血半暗带体积与DSC-PWI的缺血半暗带体积的差异。结果 3D pCASL PLD为1 525 ms时,rCBF<40%、<50%的缺血半暗带体积与DSC-PWI的缺血半暗带体积具有一致性(ICC分别为0.595、0.791,P均<0.01);PLD为2 525 ms时,rCBF<5...  相似文献   

18.
由于卒中的治疗受到时间窗的限制,血流灌注情况和半暗带的及时评价对治疗方案的确定至关重要。动态CT灌注成像因其快速、准确等优点在卒中影像学评价中越来越多得到重视。随着多排CT和商业软件的开发,动态CT灌注成像技术日趋成熟。文章就动态CT灌注成像在缺血半暗带评价中的应用进行了综述。  相似文献   

19.
抗栓治疗在急性脑梗死治疗中的应用和评价   总被引:15,自引:0,他引:15  
急性缺血性卒中的治疗主要集中在恢复缺血局部的脑血流和保护缺血性神经元上,对于已失去溶栓可能的患者,关键是如何最大限度地挽救缺血半暗带神经元。针对抗栓治疗中抗血小板聚集、降纤和抗凝疗法在治疗急性缺血性卒中中的不同机制,提出了在急性期联合应用3种疗法的可能性。  相似文献   

20.
缺血性卒中的病理生理学机制与细胞凋亡   总被引:7,自引:0,他引:7  
缺血性卒中的病理生理学机制十分复杂,细胞内外的诸多因素如兴奋性氨基酸、自由基、Ca2 超载、相关凋亡基因的表达及炎症反应等在其中发挥了重要作用。目前认为,缺血后的神经元死亡包括坏死和凋亡2种方式,缺血核心区以坏死为主,而半暗带内的迟发性神经元死亡则以凋亡为主。半暗带已成为当前缺血性卒中的主要治疗靶点。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号