电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮生长因子及内皮抑素的影响

目的:观察电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠梗死灶周围血管内皮生长因子(VEGF)及内皮抑素(ES)的影响.方法:40只SD大鼠随机分为正常对照组、假手术组、模型组、电针组各10只,采用局灶性脑缺血再灌注模型,免疫组织化学(SABC)法观察电针对VEGF及ES的表达的影响.结果:电针组VEGF表达明显高于模型组(P＜0.01);ES的表达明显低于模型组(P＜0.01).结论:电针可增强脑缺血大鼠脑内VEGF的表达,降低ES的表达,可能为针刺促进脑梗塞大鼠缺血区血管新生的机制之一.     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑内血管新生的影响

目的探讨电针对局灶性脑缺血再灌注（MCA0）模型大鼠脑内血管新生的影响。方法采用改良Longa动脉线栓法制作MCAO大鼠模型,选用雄性SD大鼠140只,随机分为正常组、假手术组、模型组、电针组,后两组分为缺血30min后再灌注3h、6h、12h、24h、48h、96h六个亚组。运用免疫组化S-P法,光镜下观察各组大鼠缺血脑组织微血管的密度。结果正常组和假手术组大鼠脑组织微血管密度计数（MVD）低于模型组及电针组,电针组各个时相MVD均显著高于相应时相的模型对照组（P〈0．05）。结论电针对局灶性脑缺血再灌注模型大鼠脑损伤有保护作用,其作用机制可能与促血管新生有关。     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层微血管超微结构及血管内皮生长因子表达的影响

目的:探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层的保护作用。方法:SD大鼠随机分为正常组(n=8)、假手术组(n=8)、模型组(n=32)、电针组(n=32),后两组再各分为再灌注后1d、2d、4d、8d4个亚组,每组8只大鼠。采用线栓法制备大鼠大脑中动脉闭塞模型。电针组于脑缺血0.5h再灌注1h后每天行1次电针治疗,取"百会"水沟"足三里"穴。透射电子显微镜下观察各组大鼠右侧大脑皮层微血管内皮的超微结构,逆转录酶-聚合酶链反应法检测各组大鼠右侧大脑皮层血管内皮生长因子(VEGF)mRNA的表达。结果:模型组大鼠的大脑皮层微血管超微结构损害明显,缺血侧大脑皮层VEGF mRNA表达与正常组、假手术组比较明显升高(P<0.05,P<0.01);电针组大脑皮层微血管超微结构明显改善,大脑皮层VEGF mRNA表达水平与相应时相的模型组相比均明显增强(P<0.01)。结论:脑缺血再灌注促使缺血脑区微血管内皮细胞VEGF mRNA合成;电针对脑缺血再灌注大鼠大脑皮层微血管的超微结构形态学损伤具有明显的保护作用,电针治疗可进一步促进缺血脑区微血管内皮细胞VEGF mRNA的表达并调控血管新生,帮助脑内微血管的功能重建是针刺发挥脑保护作用的途径之一。     

和血生络方对大鼠脑缺血再灌注损伤后血管内皮生长因子和血管生成素的影响

目的:研究和血生络方对大鼠脑缺血再灌注损伤的保护作用,并探讨其对血管新生的作用。方法:将Wistar大鼠随机分为正常组、模型组、和血生络方组,后两组制备大鼠大脑中动脉缺血再灌注(MCAO/IR)模型,和血生络方组给予和血生络方灌胃,各组分别于1d、3d、7d、14d、21d时免疫组化法检测血管内皮生长因子(VEGF)和血管生成素-1(Ang-1)的表达。结果:模型组各时间点VEGF的表达较正常组增加(P<0.05),在7d达到高峰,和血生络方组比模型组增加更明显,差异有显著性(P<0.05~0.01)。模型组各时间点Ang-1的表达较正常组增加(P<0.05),14d达到高峰,和血生络方组比模型组增加更明显,差异有显著性(P<0.05~0.01)。结论:和血生络方可能通过增强VEGF、Ang-1的表达来促进大鼠脑缺血再灌注后的血管新生。     

不同时程电针预处理对脑缺血再灌注大鼠血脑屏障基质金属蛋白酶-9、血管内皮生长因子的影响

目的:观察"百会""水沟"穴不同时程电针预处理对脑缺血再灌注大鼠血脑屏障血管内皮生长因子(VEGF)和基质金属蛋白酶-9(MMP-9)表达的影响,探讨电针预处理诱导脑缺血耐受的可能机制。方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针预处理7d组、电针预处理15d组。Zea Longa改良线栓法复制大鼠大脑中动脉栓塞模型。电针预处理7d组和15d组取"百会""水沟"进行电针预处理,分别于预处理7d和15d后进行造模。采用免疫组化法、荧光定量PCR法检测血脑屏障MMP-9阳性细胞、MMP-9mRNA、VEGF mRNA的表达。结果:模型组MMP-9阳性细胞、MMP-9 mRNA、VEGF mRNA表达较假手术组明显增多(P0.001);电针预处理各组MMP-9阳性细胞、MMP-9mRNA、VEGF mRNA表达较模型组明显减少(P0.01),且电针预处理15d组比电针预处理7d组减少更为明显(P0.01,P0.05)。结论:"百会""水沟"穴不同时程电针预处理可抑制脑缺血再灌注大鼠血脑屏障MMP-9阳性细胞及MMP-9mRNA、VEGF mRNA的表达;其效应均以电针预处理15d为佳。电针预处理诱导脑缺血耐受可能是通过调节脑缺血再灌注后血脑屏障MMP-9、VEGF表达实现的。     

养阴通脑颗粒对脑缺血再灌注损伤大鼠海马内质网应激的影响

目的探讨养阴通脑颗粒减轻脑缺血再灌注损伤的可能作用机制。方法将162只SD大鼠随机分为假手术组、模型组、养阴通脑颗粒组,每组54只。模型组和养阴通脑颗粒组通过大脑中动脉局灶性栓塞手术建立脑缺血再灌注损伤模型。养阴通脑颗粒组造模成功后每12 h给予养阴通脑颗粒0.5 g/kg灌胃,假手术组和模型组给予等量生理盐水。于造模后12、24、48、72 h观察大鼠神经功能缺损评分、大脑海马葡萄糖调节蛋白78(GRP78)和蛋白激酶R样内质网激酶(PERK)蛋白及mRNA表达及真核生物翻译起始因子2α(e IF2α)、内质网源性转录因子(chop)、转录激活因子4(ATF4)mRNA表达;并于造模后72 h检测脑梗死体积及脑组织海马区病理变化。结果与假手术比较,模型组大鼠各时间点神经功能缺损评分,GRP78、PERK蛋白及mRNA表达,e IF2α、chop、ATF4 mRNA表达均明显升高,脑梗死体积明显增大(P0.01);与模型组比较,养阴通脑颗粒组各时间点神经功能缺损评分,PERK蛋白及PERK、e IF2α、chop、ATF4 mRNA表达明显降低,GRP78蛋白和mRNA表达均显著升高,脑梗死体积明显缩小(P0.05或P0.01)。结论养阴通脑颗粒可能通过调节海马内质网相关因子表达,抑制内质网应激,从而减轻脑缺血再灌注损伤。     

参芎化瘀胶囊预处理对大鼠脑缺血再灌注损伤后血管内皮生长因子表达的影响

目的:观察参芎化瘀胶囊预处理对大鼠脑缺血再灌注损伤后血管内皮生长因子(vascular endothelial growth factor,VEGF)表达的影响,探讨参芎化瘀胶囊对大鼠急性脑缺血再灌注损伤保护作用的机制.方法:实验大鼠随机分为:假手术组、缺血再灌注组、参芎化瘀胶囊高、中、低剂量预处理组(480,240,120 mg·kg-1).各组又分为缺血2h再灌注后3,6,12,24,48,72 h组,每组6只.ig给药7d,每天1次,第7天ig2 h后线栓法制作大脑中动脉阻断(MCAO)再灌注模型.免疫组化法检测VEGF的表达,同时评价大鼠的神经功能缺失程度.结果:与假手术组比较,缺血再灌注组大鼠出现严重的神经功能缺失症状,各时间点(3,6,12,24,48,72 h)VEGF表达增强(P ＜0.05,P＜0.01);与缺血再灌注组比较,参芎化瘀胶囊预处理组能显著改善大鼠神经功能缺失症状,各时间点(3,6,12,24,48,72 h)VEGF表达均明显增强(P ＜0.05,P＜0.01),其中以高剂量组效果最为显著.结论:参芎化瘀胶囊预处理对脑缺血再灌注损伤具有保护作用,其作用机制可能与增加VEGF的表达有关.     

电针足三里、曲池对脑缺血再灌注损伤大鼠β-EP、Glu蛋白表达的影响

目的:研究电针足三里、曲池对脑缺血再灌注损伤大鼠下丘脑β-内啡肽(β-EP)、谷氨酸(Glu)蛋白表达的影响。方法:采用改良线栓法制备大鼠大脑中动脉闭塞(MCAO)再灌注模型,将Wistar大鼠随机分为正常组、假手术组、模型组、电针非经穴组和电针经穴组5组,各组随机分成ld、3d、7d 3个时间点,运用免疫组织化学技术检测下丘脑β-EP、Glu蛋白表达水平。结果:与正常组、假手术组比较,模型组各时间点指标的测定结果均有显著性差异;电针经穴可明显改善大鼠下丘脑β-EP、Glu蛋白表达水平,与电针非经穴组和模型组各时间点比较均有显著性差异。结论:电针经穴对脑缺血再灌注损伤大鼠下丘脑β-EP、Glu蛋白表达的调节具有相对特异性,电针经穴对脑缺血再灌注损伤的保护作用机制可能与其调节下丘脑β-EP、Glu蛋白表达水平有关。     

电针风池穴对脑缺血再灌注大鼠突触素、生长相关蛋白-43的影响

目的观察电针风池穴对脑缺血再灌注大鼠突触素(synaptophysin, SYN)、生长相关蛋白-43(growth associated protein-43, GAP-43)表达变化的影响。方法将32只SD雄性大鼠随机分为正常组、假手术组、模型组、电针组,每组8只。模型组和电针组采用线栓法制作脑缺血再灌注模型。采用电针双侧风池穴对电针组大鼠进行治疗,每日1次,每次30 min,至动物处死。应用免疫组织化学法检测SYN和GAP-43的表达。结果模型组和电针组造模后2 h和造模后6 d Bederson评分与正常组和假手术组比较,差异均有统计学意义(P0.05)。模型组和电针组造模后6 d海马和皮层SYN IOD值和GAP-43 IOD值与正常组和假手术组比较,差异均具有统计学意义(P0.05)。电针组造模后6 d海马和皮层SYN IOD值和GAP-43 IOD值与模型组比较,差异均具有统计学意义(P0.05)。结论电针风池穴可促进脑缺血再灌注模型大鼠的GAP-43和SYN的表达,表明电针可以促进轴突再生,对突触的可塑性具有正向改善作用。     

电针对脑缺血再灌注大鼠脑红蛋白的影响

目的:观察脑缺血再灌注损伤大鼠脑红蛋白(neuroglobin,NgB)的表达以及电针预处理对NgB表达的影响,探索NgB在电针预处理诱导的脑保护效应中的作用。方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组及电针组,每组16只。电针组给予电针刺激"百会",每天30min,持续5d。预处理后采用右侧大脑中动脉阻闭法,缺血120min后行再灌注,制备大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤模型。脑缺血再灌后24h进行神经行为学评分,然后检测脑梗死容积,免疫荧光双标法检测NgB表达水平。另一批SD雄性大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注6、24、72h组,每组6只,分别通过免疫荧光双标法观察缺血半暗带NgB表达水平的变化。结果:电针预处理后电针组较模型组脑梗死容积百分比明显减低(P<0.01),神经行为学评分及NgB含量明显增加(P<0.01)。脑缺血再灌注后6hNgB表达开始上调,24h为表达高峰(P<0.01),并至少可以持续到72h。结论:电针预处理能显著提高脑缺血再灌注大鼠神经行为学评分,降低脑梗死容积,并可进一步上调缺血半暗带NgB表达,诱导脑缺血耐受,从而减轻脑缺血再灌注损伤。     

电针干预高血压脑缺血再灌注大鼠血管新生及细胞损伤的研究

目的:探讨电针对易脑卒中型肾血管性高血压大鼠(RHRSP)脑缺血再灌注不同时点促血管生成素-1(Ang-1)及凝血酶敏感蛋白-1(TSP-1)表达及血管新生的影响。方法:用环形银夹钳夹SD大鼠的双侧肾动脉,制成120只RHRSP,随机分为4组:空白组(12只),假手术组(12只)、模型组(48只)和电针组(48只),后两组大鼠再用线栓法制成一侧大脑中动脉闭塞(MACO)模型,电针组给予"百会"、"大椎"穴位电针治疗,1次/d,14d。观察各时间点大鼠行为学评分及超微结构变化;用免疫组织化学法和电镜等技术观察脑缺血2h后再灌注1、7、14、28d大鼠脑内缺血区Ang-1、TSP-1表达及缺血区微血管密度(MVD)的变化。结果:电针组大鼠行为学评分在1、7、28d明显低于模型组(P<0.05);电针组和模型组脑组织含水量在1、7d均明显高于空白组与假手术组(P<0.05),但模型组脑组织含水量在1、7d较电针组升高更明显(P<0.05);与模型组比较,电针组Ang-1的表达在7、14、28d增强(P<0.05),TSP-1的表达在1、7、14d减少(P<0.05),MVD在14、28d增加(P<0.05)。超微结构检查发现电针组各时间点脑组织神经细胞与血管内皮细胞的损伤较模型组减轻。结论:电针对RHRSP脑缺血-再灌注损伤的保护作用,可能与上调Ang-1及下调TSP-1的表达,促进脑缺血区的血管新生有关。     

电针夹脊穴对脊髓损伤大鼠内质网应激相关因子CHOP影响的实验研究

目的:比较电针与甲基强的松龙对脊髓损伤大鼠内质网应激相关蛋白CHOP的基因及蛋白表达水平的影响,并探讨CHOP在脊髓损伤大鼠细胞凋亡中的机制。方法:将132只健康成年雄性SD大鼠随机分为正常组、模型组、甲强龙组、电针组(每组33只);每组再分成8 h、3 d、7 d三个亚组(每亚组11只)。用改良Allen’s法进行脊髓损伤大鼠造模,造模成功后模型组、甲强龙组分别注射等量的生理盐水及甲强龙,夹脊电针组分别给予频率为2 Hz/100 Hz的脉冲重复电流。以图像分析、Western Blot和RT-PCR等方法观察脊髓损伤大鼠的脊神经细胞内CHOP蛋白和mRNA的表达规律。应用计算机图像分析系统、SPSS19.0统计分析软件对所得的图像和数据进行分析。结果:1)Western Blot:各时相点均出现,正常组脊髓神经CHOP蛋白表达水平较低,而模型组、甲强龙组,夹脊电针组均出现明显上调,有极显著性差异(P0.01)。模型组与甲强龙组、电针组比较,有显著性差异(P0.05);甲强龙组明显高于电针组。2)RT-PCR:各时相点均出现,正常组脊髓神经CHOP mRNA表达水平较低,而模型组、甲强龙组、电针组均出现明显上调,有极显著性差异(P0.01)。模型组与甲强龙组、电针组比较,有显著性差异(P0.05);甲强龙组明显高于电针疏波组。结论:电针和甲基强的松龙均能降低脊髓损伤大鼠CHOP的表达水平,对内质网应激介导的细胞凋亡起拮抗作用;电针效果由于甲基强的松龙。     

电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠神经元铁死亡的影响

目的：观察电针预处理对脑缺血再灌注损伤（CIRI）大鼠神经元铁死亡的影响,探讨电针预处理对神经元的保护作用机制。方法：将雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组、抑制剂组和诱导剂组,每组20只。采用改良Zea Longa线栓法制备CIRI大鼠模型。造模前,电针组予“百会”“风府”“大椎”电针刺激,每天20 min,连续7 d;抑制剂组腹腔注射铁抑素-1;诱导剂组于电针治疗7 d后腹腔注射埃拉斯汀。各组干预结束2 d后造模。采用改良Zea Longa法进行神经功能缺损评分;TTC染色法评估脑梗死面积并计算梗死面积百分比;透射电镜观察海马组织神经细胞超微结构;生化法检测缺血区脑组织亚铁离子（Fe2+）、丙二醛（MDA）、谷胱甘肽（GSH）及血清活性氧（ROS）的含量;流式细胞仪检测大鼠脑组织线粒体膜电位变化;实时荧光定量PCR法及Western blot法检测缺血区海马组织谷胱甘肽过氧化物酶4(GPX4)、酯酰辅酶A合成酶长链家族成员4(ACSL4)、转铁蛋白受体（TFRC）、15-脂氧合酶（15-LOX）、环氧化酶2(COX-2)的mRNA和蛋白表达水平。结果：与假手术组比较,模型组...     

电针预处理对大鼠脑缺血再灌注损伤后细胞凋亡的影响

目的:研究电针对大鼠脑缺血再灌注损伤后细胞凋亡的影响。方法:将SD雄性大鼠40只,SPF级,随机分为两组:造模组(30只)以及假手术组(10只)。采用线栓阻塞脑中动脉法建立脑缺血再灌注损伤模型,脑缺血再灌注损伤后,造模组大鼠随机分为模型组、电针组,每组15只。实验采用改良神经评分法(m NSS)来评价大鼠的神经功能,使用电针干预七天后,分别采用Western Blot和Real-time PCR法检测Caspase-3、Bcl-2、Bax蛋白及mRNA表达的相对含量。结果:电针干预7 d后,与模型组相比,在第5、7天电针组可显著提高大鼠神经行为功能(P0.05,P0.01)。电针干预7 d后,与模型组相比,电针组Bcl-2表达上调,Caspase-3、Bax表达下调。结论:电针可提高Bcl-2的表达、降低Caspase-3、Bax的表达,从而抑制脑缺血再灌注损伤大鼠脑组织细胞的凋亡。     

脑泰方提取物对局灶性脑缺血大鼠血管内皮生长因子表达的影响

目的:探讨脑泰方提取物对大鼠局灶性脑缺血后血管内皮生长因子(VEGF)及VEGF mRNA的影响。方法:30只SD大鼠随机分为假手术组、模型组、脑复康组、脑泰方低、中、高剂量组。通过月桂酸钠损伤血管内皮细胞来复制局灶性脑缺血模型,采用免疫组化和RT-PCR法检测各组大鼠脑内VEGF阳性细胞数和VEGF mRNA的表达,同时评价大鼠神经功能。结果:脑缺血后,药物组神经功能症状得到改善,尤以脑泰方中剂量组变化最显著(P<0.01);假手术组大鼠脑内有少量VEGF阳性细胞,脑缺血后VEGF阳性细胞表达增加,与模型组比较,脑泰方中剂量组VEGF阳性细胞数明显增多(P<0.01),而且VEGF mRNA的表达也显著加强(P<0.01)。结论:脑泰方提取物增强大鼠局灶性脑缺血后VEGF及VEGF mRNA的表达,可能是其抗脑缺血的作用机制之一。     

电针水沟穴对脑缺血再灌注大鼠自噬相关蛋白p62表达的影响

目的:探讨电针水沟穴对大鼠脑缺血再灌注(MCAO/R)损伤的保护作用及与自噬相关蛋白p62的关系。方法:线栓法复制大鼠局造性脑缺血再灌注模型。采用Bederson神经功能缺损体征评分法对MCAO/R大鼠进行神经功能评分;Western blot检测MCAO/R大鼠自噬相关蛋白p62的表达。结果:与假手术组比较,模型组大鼠有明显神经功能缺损体征,自噬相关蛋白p62的表达明显下调;与模型组相比针刺治疗组大鼠神经功能缺损体征明显减轻,自噬相关蛋白p62的表达明显上调。结论:电针水沟穴可能是通过拮抗自噬相关蛋白p62表达的下调减轻脑缺血再灌注损伤。     

葛根素对大鼠脑缺血再灌注后凋亡相关蛋白的影响

目的：探讨葛根素对脑缺血再灌注损伤的作用机制。方法：构建动物模型，采用SP法测定葛根素对大鼠脑缺血干预后bcl-2蛋白、c-fos蛋白、caspase-3蛋白表达的变化。结果：葛根素能下调c-fos蛋白、caspase-3蛋白和上调bcl-2蛋白表达。结论：葛根素有神经保护作用。     

丹参水溶性成分对脑缺血再灌注损伤大鼠脑内氨基酸类神经递质的影响

目的:观察丹参水溶性成分对脑缺血再灌注损伤大鼠脑内谷氨酸(Glu)和γ-氨基丁酸(GABA)的动态变化过程的影响,探讨丹参水溶性成分对脑缺血再灌注损伤大鼠脑内氨基酸类神经递质的调节作用及对脑缺血再灌注损伤大鼠的脑保护作用。方法:SD大鼠随机分为假手术组,模型组,治疗组(即丹参水溶性成分治疗组),线栓法制作大鼠大脑中动脉局灶性栓塞(MCAO)模型,采用脑微透析技术采集脑脊液、HPLC测定氨基酸含量,观察各组在手术15～180 min内不同时间的脑脊液中Glu和GABA的含量动态变化过程,并观察各组损伤大鼠24 h后的神经功能和脑含水量。结果:MCAO大鼠脑脊液中Glu和GABA的含量分别在脑缺血15 min至再灌注后105 min、2 h内均显著升高(P0.05或P0.01),丹参水溶性成分治疗组均能明显地降低各时间段的Glu和GABA的含量;且丹参水溶性成分治疗组能明显减轻模型大鼠的神经功能缺损症状,促进神经功能缺损症状的恢复,显著降低MCAO大鼠脑指数和脑含水量。结论:丹参水溶性成分可影响脑缺血再灌注损伤过程中神经递质的合成和释放,促进兴奋性和抑制性氨基酸动态平衡的恢复,抑制脑水肿,阻止神经元受损,发挥脑保护作用。     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层HSP70蛋白的影响

目的：探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层HSP70蛋白表达的影响,进一步验证电针抗脑缺血损伤的机理与HSP70的关系。方法：采用线栓法制备大鼠大脑中动脉闭塞模型（MCAO）,随机分组,经免疫组化（SABC法）、He染色、神经功能缺陷评分,观察大鼠缺血侧大脑皮层HSP70蛋白表达阳性细胞数,组织学损伤分级及神经功能缺陷评分的变化。结果：脑缺血再灌注电针组较对照组HSP70阳性细胞数多,组织学损伤分级低,神经功能缺陷评分低,且具有显著性差异（P〈0.01）。结论：电针可以提高局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层HSP70蛋白的表达,针刺治疗脑缺血的机制可能与HSP70蛋白增加有关,为临床针刺治疗脑缺血疾病提供又一新的理论依据。     

扎里奴思方对脑缺血再灌注损伤后大鼠脑内NGF表达的影响

目的：观察扎里奴思方对脑缺血再灌注损伤后大鼠脑内神经生长因子（NGF）表达的影响。方法：线栓法制备局灶性脑缺血再灌注大鼠模型。实验动物随机分为假手术组、模型组、扎里奴思方组、尼莫地平组。取材前进行神经功能评分。术后各组分别在1,3,7,14 d各个时间点取材,HE染色法观察大鼠脑组织病理学改变;免疫组织化学法测定大鼠脑内NGF 的表达。结果：模型组大鼠神经功能评分降低,神经元数量减少,大小不均,病理损伤显著;与模型组比较,尼莫地平和扎里奴思方组神经评分增高,神经元数量增多,脑组织病理损伤减轻明显,NGF表达增高（P<0.01,P<0.05）;与尼莫地平组比较,扎里奴思方14 d组神经功能评分和NGF表达明显升高（P<0.05）。结论：扎里奴思方可对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织神经元起保护作用,扎里奴思方14天组的脑保护作用更强,其脑保护作用机制可能与调节大鼠脑组织 NGF 表达有关。