电诱发听性脑干反应在人工耳蜗植入中的应用进展

<正>电诱发听性脑干反应(electrically evoked audito-ry brainstem responses,EABR)是以听觉诱发电位(AEP)为基础,当用电刺激听神经末梢后,前10ms内产生的可在头颅表面记录到的一组短潜伏期电位。电诱发听性脑干反应(EABR)是一项客观的电生理测试方法,随着人工耳蜗植入手术的广泛开展,这项技术的临床应用也愈渐受到听力学家和临床医生的     

电诱发听觉脑干反应与听觉脑干植入

听觉脑干植入能够使听神经受损耳聋患重新获得听觉。电诱发听觉脑干反应(electrically brainstem response，EABR)测试用于术中定位耳蜗核位置，具有重要作用。电刺激耳蜗核时出现的EABR波形有两种类型：3波反应型和2波反应型，同时可记录到潜伏期较长的肌反应。手术中最佳的EABR测试参数为双相方波脉冲电流、刺激强度3mA、刺激频率50Hz、植入电极板上间距最大的电极做配对刺激、带通滤波10∽3000Hz。EABR作为探讨电听觉整体效果的指标，将在听觉脑干植入研究中发挥重要作用。本就近年来EABR在听觉脑干植入中的应用做一综述。     

电诱发听觉脑干反应与听觉脑干植入

听觉脑干植入能够使听神经受损耳聋患者重新获得听觉.电诱发听觉脑干反应(electrically brainstem response,EABR)测试用于术中定位耳蜗核位置,具有重要作用.电刺激耳蜗核时出现的EABR波形有两种类型3波反应型和2波反应型,同时可记录到潜伏期较长的肌反应.手术中最佳的EABR测试参数为双相方波脉冲电流、刺激强度3mA、刺激频率50Hz、植入电极板上间距最大的电极做配对刺激、带通滤波10～3 000Hz.EABR作为探讨电听觉整体效果的指标,将在听觉脑干植入研究中发挥重要作用.本文就近年来EABR在听觉脑干植入中的应用做一综述.     

电刺激听性脑干反应（EABR）的临床应用

电刺激听性脑干反应(Electrically Evoked Auditory Brainstem Responses,EABR),是电刺激听神经末梢螺旋神经节,诱发出听神经和脑干产生一系列的电位活动,通过容积导体扩布,应用数字平均技术和叠加原理在头皮记录到一系列的电位变化.是一种客观的神经电生理检测方法,作为一项新的临床应用科学,在耳科学,听力学和神经科学中占有重要位置,有广泛的临床应用前景.     

刺激电极在鼓阶内位置对听神经兴奋性的影响

目的　通过记录电诱发听性脑干反应 (electricallyevokedauditoryresponse ,EABR)阈值变化 ,探讨植入刺激电极在豚鼠耳蜗鼓阶内的位置对听神经兴奋性的影响。方法　在手术显微镜下 ,将标准刺激电极放在靠近蜗轴位置 ,用压碎的肌肉轻轻封住圆窗口 ,记录二次EABR阈值 ,取均值。然后取出刺激电极 ,再次植入电极靠近耳蜗鼓阶的外侧壁 ,再记录二次EABR阈值 ,取均值 ,然后比较前后二次记录到的EABR阈值变化。结果　植入电极在耳蜗鼓阶外侧壁的EABR阈值为 1.14± 0 .4 5mA ,较耳蜗内侧壁EABR阈值 (0 .2 8± 0 .0 9mA)明显升高 ,二者有显著性差异 (P <0 .0 1)。结论　电刺激听神经如果采用间距不宽的双极电极 ,其有效性同电极在耳蜗鼓阶内的位置密切相关 :植入电极越靠近被刺激的听神经成份 ,被检测到的EABR的阈值就越低。此为实验室设计蜗旁多导电极提供了依据     

电诱发听性脑干反应在人工耳蜗植入中的应用

人工耳蜗植入是治疗重度、极重度耳聋的重要手段,其效果依赖于听神经通路的完整性。在对无残余听力耳聋患者的术前评估中,电诱发听性脑干反应（EABR）能直接刺激听神经末梢,较常规的听力学测试更具有优势。本文针对该技术在特殊病例人工耳蜗植入及术后调机中的应用进行综述。     

电诱发听性脑干反应和电诱发镫骨肌反射阈值在内耳畸形儿童人工耳蜗植入术后调机中的运用

目的　探讨内耳畸形小儿人工耳蜗植入手术后,植入体电诱发听性脑干反应（electrically evoked auditory brainstem responses,EABR）、电诱发镫骨肌反射阈值（electrically evoked stapedius reflex threshold,ESRT）的变化特点及规律,以指导术后设备调试。方法　将88例澳大利亚Cochlear Nucleus24型人工耳蜗植入手术患儿分为耳蜗形态正常组与内耳畸形组,测试手术后1年内不同时期EABR和ESRT值,术后1年运用行为测试法检测主观阈值（T值）和最大舒适阈（C值）,分析特点及变化规律。结果  内耳畸形组患儿术后不同时期EABR和ESRT阈值较正常组高（P＜0.05）,两组EABR和ESRT阈值变化趋势相同,总的趋势是低频值较低,高频值较高,术后1年EABR和ESRT阈值逐渐增高;两组EABR与T值显著相关,ESRT与C值显著相关。结论　内耳畸形组人工耳蜗植入手术后EABR和ESRT阈值变化规律及特点与正常组患儿相同,阈值可用于指导内耳畸形人工耳蜗植入者手术后设备的调试。     

人工耳蜗植入者电诱发听性脑干反应阈值与行为测听阈值相关性研究

目的　通过对人工耳蜗植入者行为测听阈值和电诱发听性脑干反应（electrical evoked auditory brainstem response，EABR）阈值相关性比较，探讨用EABR波Ⅴ阈值 进行术后调试的可行性。方法　对19例（20耳）人工耳蜗植入者分别选取第1、6、11、16、22号刺激电极行EABR和行为测听测试，获得阈值。结果　刺激电极EABR波Ⅴ潜伏期为（3.73±0.37）ms；第1、6、11、16、22号电极EABR阈值分别为（145.50±9.85）、（144.75±7.69）、（148.25±11.04）、（146.50±9.20）和（142.25±10.45）CL；行为测听阈值分别为（138.95±7.87）、（138.20±9.04）、（136.50±9.32）、（137.90±10.23）和（134.40±13.43）CL。EABR阈值与行为测听阈值显著相关（r =0.533、0.671、0.580、0.749和0.811，P 均＜0.05）。结论　EABR阈值与行为测听阈值显著相关，EABR为低龄或无法配合行为测听的人工耳蜗植入者术后调机提供一种客观检测手段。     

ECAP检出与否的人工耳蜗植入患者的EABR表现

目的比较分析ECAP检出与否的耳蜗植入患者EABR特点,探讨EABR检测的意义。方法对26例人工耳蜗植入患者分别行神经反应遥测neural response telemetry,NRT）检测评估ECAP,并进行电诱发听洼脑干反应（electrically auditory evoked response,EABR）检测,将第20、10、3号电极均引出ECAP波形的14例患者纳入A组,未检出ECAP波形的12例患者纳入B组。对A、B两组患者的EABR阈值、V波潜伏期进行比较分析。结果A、B两组患者20、10、3号电极EABR阈值之间的差异有统计学意义（P〈0．001）,V波潜伏期之间的差异无统计学意义（P〉0．05）。结论ECAP波形引出与否人工耳蜗植入患者的EABR阈值有显著差异,v波潜伏期无明显差异。     

大前庭水管综合征患者ABR和人工耳蜗术后EABR反应特征分析北大核心CSCD

目的探讨大前庭水管综合征(LVAS)患者的听性脑干反应(ABR)及人工耳蜗植入术后电诱发听性脑干反应(EABR)的特点,为LVAS患者人工耳蜗植入围手术期的电生理监测反应特征提供参考。方法选择2013年1月至2016年3月在我院行人工耳蜗植入的14例大前庭水管综合征患者。记录人工耳蜗植入前ABR反应阈值及潜伏期,观察声诱发短潜伏期负反应(ASNR)的表现,并统计该波的出现概率。记录患者术后EABR波形、V波阈值及III、V波潜伏期,计算III、V波引出率及EABR分级。比较ABR的V波和EABR的V波的潜伏期差异。比较ABR出现与不出现ASNR组的EABR反应阈值和V波潜伏期差异。结果 14例患者中有5例术前ABR可引出ASNR,9例无ASNR,V波潜伏期6.6～8.15ms。人工耳蜗植入后有13例引出有意义的EABR波形,平均EABR阈值为190.8CL,平均III波潜伏期为1.80ms,平均V波潜伏期为3.59ms,有1例EABR未引出反应。根据Gibson EABR分级标准,ASNR组与无ASNR组EABR波形分化无明显差异。ASNR组EABR阈值177.5CL,无AS-NR组阈值196.7CL,二者有统计学差异。ASNR组V波潜伏期4.71ms,无ASNR组V波潜伏期4.68ms,二者无统计学差异。EABR的V波潜伏期比ABR的V波潜伏期短,二者有统计学差异。结论 LVAS患者的ABR反应中出现ASNR波是其听力学特征性表现之一,但EABR记录不到相应的短潜伏期负反应。EABR的V波潜伏期较ABR短。植入前存在ASNR的大前庭水管综合征患者具有较低的植入后EABR反应阈。