电针对局灶性脑缺血大鼠缺血区脑组织神经细胞凋亡及神经生长因子影响的研究

目的 :观察电针督脉经穴“大椎”、“百会”对大鼠缺血区脑组织神经细胞凋亡及NGLF的影响。方法 :用凝闭一侧大脑中动脉的脑缺血大鼠为动物模型 ,采用TUNEL染色法和免疫组化染色S P法进行观察。结果 :缺血 +电针组中 ,大脑皮层梗塞区内TUNEL染色阳性细胞较缺血组显著减少 (P <0 0 1 ) ,NGFR免疫阳性表达在细胞数量上及强度上也均较缺血组及假手术组明显增强 (P <0 0 1 )。结论 :电针能抑制脑缺血后脑内神经细胞的凋亡 ,可增强局灶性脑缺血大鼠脑组织的NGFR的表达 ,对缺血性脑损伤具有一定的保护作用。为临床针灸治疗缺血性脑血管疾病奠定了理论基础     

电针对不同时间段局灶性脑缺血大鼠缺血区皮层BDNF表达的影响浓

目的:探讨针刺对缺血性脑损伤的保护作用的生化机制.方法:采用热凝闭大鼠大脑中动脉致局灶性脑缺血模型,研究缺血2 w和5 w后缺血区皮层BDNF的变化规律和针刺对其影响.结果:假手术组大鼠缺血区的BDNF阳性细胞数量都很少,强度也比较弱;脑缺血2 w及5 w组大鼠缺血区BDNF的免疫阳性细胞数量比假手术组明显增多(P＜0.01);脑缺血2 w组与脑缺血5 w组大鼠缺血区脑片比较显示,BDNF阳性细胞数量并无显著性差异(P＞0.05);缺血 电针2 w组与缺血 电针5 w脑片中免疫阳性细胞的数量明显增加(P＜0.01),但随着时间的推移,此表达呈下降趋势.结论:针刺可以通过提高BDNF在缺血区周围皮层的表达,保护缺血性脑损伤,并可能与大脑可塑性的形成有一定的关系.     

针刺对局灶性脑缺血大鼠缺血区皮层神经生长因子表达的影响

目的:探讨针刺穴位对缺血性脑损伤的保护作用。方法:SD大鼠42只,随机分为假手术组、缺血模型组和针刺组,每组又分为2周和6周两个时间段组;除假手术组外,其他组均采用热凝闭大鼠大脑中动脉法复制局灶性脑缺血模型,采用免疫组化法观察缺血2周和6周后缺血区皮层神经生长因子(NGF)的变化规律以及针刺对其影响。结果:两个假手术组大鼠手术侧皮层只见到很少的NGF免疫阳性细胞;两个缺血组大鼠脑缺血区皮层NGF免疫活性细胞的表达与假手术组比较显著增多,缺血6周组与缺血2周组相比缺血区皮层NGF阳性细胞的数量下降;针刺组在2周时缺血区皮层NGF免疫阳性细胞的表达增高,与缺血2周组、假手术2周组相比差异具有显著性意义;电针6周组大鼠脑缺血区皮层NGF免疫阳性细胞表达虽呈下降趋势,但仍高于同时间段的缺血组大鼠。结论:针刺穴位可以增加大鼠脑缺血区皮层NGF的分泌和表达时程,这可能是其保护缺血性脑损伤的机制之一。     

电针对局灶性脑缺血大鼠脑组织NO及NOS的影响

目的　研究电针对局灶性脑缺血后脑组织 N O含量及 3种亚型 N OS表达的影响。方法　采用改良大脑中动脉线栓法造成大鼠局灶性脑缺血模型 ,电针百会、大椎 ,应用硝酸还原酶法测定 NO含量及免疫组织化学技术检测脑组织 3种亚型NOS(n NOS、i NOS、e NOS)的表达 ,观察局灶性脑缺血后 3种亚型 NOS表达。结果　督脉电针能减少局灶性脑缺血后脑组织中 NO含量 (13.12± 3.15μm ol/L ) ,与缺血组比较 P <0 .0 1;督脉电针组缺血侧脑组织 i N OS、n N OS表达 (13.0 1± 1.32 ,32 .12± 1.5 6)显著低于缺血组 (P<0 .0 1) ,e NOS表达 (2 9.2 1± 3.0 1)显著高于缺血组 (P<0 .0 1)。结论　督脉电针能上调e N OS表达 ,同时下调局灶性脑缺血所致 n NOS、i NOS的异常表达 ,从而减少总 NO的生成量 ,降低缺血引起的毒性作用 ,对脑组织具有一定的保护作用     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮生长因子及内皮抑素的影响

目的:观察电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠梗死灶周围血管内皮生长因子(VEGF)及内皮抑素(ES)的影响.方法:40只SD大鼠随机分为正常对照组、假手术组、模型组、电针组各10只,采用局灶性脑缺血再灌注模型,免疫组织化学(SABC)法观察电针对VEGF及ES的表达的影响.结果:电针组VEGF表达明显高于模型组(P＜0.01);ES的表达明显低于模型组(P＜0.01).结论:电针可增强脑缺血大鼠脑内VEGF的表达,降低ES的表达,可能为针刺促进脑梗塞大鼠缺血区血管新生的机制之一.     

电针对脑缺血再灌注大鼠海马神经元BCL-2蛋白表达的影响

目的:探讨针刺对脑缺血再灌注损伤后抑制细胞凋亡作用。方法:采用改良线栓法建立大鼠局灶脑缺血再灌注模型(MCAO) ,用免疫组化方法观察凋亡相关蛋白BcL 2在各组MCAO大鼠海马区的表达水平,并用图像分析比较。结果:空白组海马区未见BcL 2蛋白表达;假手术组海马C1区BcL 2蛋白有少量表达;而缺血再灌注2 4小时后,BcL 2蛋白表达至高峰,在2 4小时～4 8小时呈下降趋势,到72小时时仅有少量表达;在相应时间点与缺血再灌注组相比较,电针组BcL 2蛋白阳性细胞数增加(P <0 0 1) ,其中以电针治疗A组最为明显。结论:电针“大椎”、“内关”两穴,对实验性局灶脑缺血再灌注损伤有明确的保护作用,通过上调海马区Bcl 2的蛋白表达,减轻缺血半暗区神经元损害     

电针结合天麻素对局灶性脑缺血大鼠神经功能、额叶皮质勿动蛋白A及其受体表达的影响

目的:观察电针结合天麻素对局灶性脑缺血大鼠神经功能及缺血灶周围区额叶皮质勿动蛋白A(Nogo-A)及受体(NgR)表达的影响,探讨针药结合治疗脑缺血的部分神经再生机制。方法:SD大鼠随机分为正常组、模型组、电针组、天麻素组和电针+天麻素组,每组10只。采用线栓法复制局灶性脑缺血大鼠模型。电针组电针左侧"曲池"穴和"合谷"穴,刺激30min,每天1次,共治疗14d;天麻素组按10mg/kg剂量腹腔注射天麻素注射液,每天1次,共治疗14d;电针+天麻素组给予电针与天麻素治疗,每天1次,共治疗14d。观察大鼠治疗后神经功能恢复情况,免疫组织化学方法检测缺血灶周围区额叶皮质Nogo-A及NgR蛋白的表达。结果:电针组、天麻素组和电针+天麻素组神经功能评分低于模型组(P0.05),电针+天麻素组神经功能评分低于电针组、天麻素组(P0.05)。模型组Nogo-A及NgR的表达较正常组明显增强(P0.05),电针组、天麻素组和电针+天麻素组Nogo-A及NgR的表达较模型组明显减弱(P0.05),电针+天麻素组Nogo-A及NgR的表达较电针组或天麻素组明显减弱(P0.05)。结论:电针与天麻素结合可下调缺血灶周围区额叶皮质Nogo-A及NgR的表达,改善神经功能,其作用优于单独电针或天麻素治疗。     

电针对不同时间段局灶性脑缺血大鼠缺血区皮层突触素P38和GAP-43表达的影响

目的 :探讨针刺对缺血性脑损伤保护作用的生化机制。方法 :采用热凝闭大鼠大脑中动脉致局灶性脑缺血模型 ,研究缺血 2周和 5周后缺血区皮层突触素P3 8和GAP 43的变化规律和针刺对其影响。结果 :脑缺血 2周及 5周组大鼠脑缺血区P3 8表达比假手术组显著下降 (P <0 .0 5) ;缺血 +电针 2周组与缺血 2周组相比突触素P3 8表达并无显著性差异 (P >0 .0 5) ;缺血 +电针 5周组与缺血 +电针 2周组和脑缺血 5周组相比 ,突触素P3 8表达明显增加 (P <0 .0 5) ;但仍明显低于假手术 5周组 (P <0 .0 5)。缺血 2周组大鼠在缺血区周围GAP 43表达与假手术组相比增加明显 (P <0 .0 5) ,而缺血 5周组与假手术组相比无显著性差异 (P >0 .0 5) ;缺血 +电针 2周组大鼠脑片GAP 43表达与假手术组相比显著增加 (P <0 .0 5) ,而与缺血 2周组相比无差异 (P >0 .0 5) ;缺血 +电针 5周组大鼠脑片GAP 43表达与假手术 5周组相比有显著性差异 (P <0 .0 5)。结论 :针刺可以通过提高突触素和GAP 43在缺血中心区周围皮层的表达 ,保护缺血性脑损伤 ,并可能与大脑可塑性的形成有一定的关系     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织bFGF、ES表达的影响

目的 观察电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠梗死灶周围碱性成纤维细胞因子(bFGF)及内皮抑素(ES)表达的影响.方法 80只SD大鼠随机分为正常组、假手术组、模型组、电针组,每组10只,采用免疫组织化学(SABC)法观察电针对局灶性脑缺血再灌注模型bFGF、ES表达的影响.结果 电针组bFGF表达明显高于模型组(P＜0.01);ES的表达明显低于模型组(P＜0.01).结论 电针可增强脑缺血大鼠脑内bFGF的表达,同时降低ES的表达,可能为电针促进脑缺血大鼠缺血区血管新生的机制之一.     

电针对大鼠脑梗死后内源性神经干细胞增殖迁移的影响

目的:研究电针对大鼠局灶性脑缺血后室下区(SVZ)神经干细胞增殖迁移的影响.方法:采用"线栓法"建立大鼠局灶性脑缺血模型,将大鼠随机分为模型组和电针组,按7、14、21天4个时间点分3个亚组,在梗死区对侧肢体取"曲池"和"足三里"二穴作为刺激部位,用电针治疗仪做连续刺激,每次15min.每天1次.免疫荧光法检测Dil /Brdu /MeuN 细胞和Dil /Brdu /GFAP 细胞的表达.结果:脑缺血后不同时相缺血侧SVZ区均有阳性细胞表达,而电针组在不同时相的阳性细胞数量均较同时相模型组有明显增加.结论:电针能促进缺血后神经干细胞的增殖和迁移,提示这种作用可能是电针治疗脑缺血的重要作用机制之一.     

电针对脑缺血大鼠侧脑室室管膜下区巢蛋白表达的影响

目的观察电针对脑缺血大鼠侧脑室室管膜下区巢蛋白(Nestin)表达的影响,探讨不同针刺处方防治脑缺血作用机制。方法大鼠随机分为假手术组、模型组、电针1组、电针2组。电针1组电针双侧“丰隆”(ST40)(2/100 Hz,1~3 mA),每天1次,每次30分钟,连续治疗7天;第8天,电针1、2组和模型组用50%FeCl 3滤纸贴敷大脑中动脉20分钟造成脑血栓模型,术后电针1、2组电针ST40、“百会”(GV20),每天1次,连续7天。术后1天利用神经功能缺损评分法(neurological deficit score,NDS)进行行为学检测,苏木素伊红染色观察缺血半暗带组织形态,免疫组化法检测缺血侧侧脑室室管膜下区Nestin的表达。结果模型组大鼠NDS升高(P<0.05),缺血半暗带神经细胞水肿明显,神经元核固缩,术后侧脑室室管膜下区Nestin面密度升高,持续至术后7天(P<0.01)。电针治疗后神经功能缺损评分降低(P<0.05),缺血半暗带神经细胞水肿减轻,细胞形态趋于正常,电针1、2组侧脑室背外侧角Nestin表达均增高,从术后1天(电针1组P<0.01,电针2组P<0.05)持续至术后7天(P<0.01),电针组侧脑室外侧壁Nestin表达在术后1天升高(P<0.01),术后7天升高差异没有统计学意义(P>0.05)。电针1、2组之间差异无统计学意义(P>0.05),但趋势上电针1组高于电针2组。结论电针可改善脑缺血后神经功能,减轻缺血性脑损伤,促进侧脑室室管膜下区神经干细胞增殖,促进脑损伤后神经修复,在脑缺血前进行电针治疗效果更佳。     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层一氧化氮的影响

本研究在大鼠脑缺血再灌注的模型上,应用改良镉还原法测定大鼠脑内ＮＯ的代谢产物──亚硝酸盐含量的变化,并应用免疫组织化学方法测定大鼠脑内ｃＮＯＳ及 ｉＮＯＳ的免疫活性变化。研究结果显示：①大鼠一侧大脑中动脉栓塞３０分钟再灌注２４小时后,脑内ＮＯ代谢产物亚硝酸盐含量明显高于对照例,差异显著（ Ｐ＜ ０． ０５）,同时免疫组织化学显示 ｉＮＯＳ免疫活性增强;②缺血再灌注大鼠电针处理后,缺血侧亚硝酸盐含量与对照例相比虽有升高,但升幅仅为３３．３％,无显著性差异,其升幅与未电针组大鼠相比低 ３６． ４９％;电针缺血侧ｉＮＯＳ免疫活性细胞数明显减少。结果表明：①大鼠局灶性脑缺血再灌注可使脑内ＮＯ代谢水平升高,在ＮＯ代谢产物含量升高的同时,ｉＮＯＳ的活性也增强;②电针抗脑缺血再灌注损伤的机制之一是通过抑制ＮＯ代谢而实现的。     

EFFECT OF ELECTRO-ACUPUNCTURE ON GLUTAMATE TRANSPORTER mRNA EXPRESSION FOLLOWING FOCAL CEREBRAL ISCHEMIA IN RATS

INTRODUCT1ONGlutamateisconsideredtobethemajorex-citatorytransmitterinthecentralnervoussys-tem-Afterreleasingfrompresynapticterminalsbymeansofca -dependentmanner,glutamateactivatespostsynapticglutamatereceptorsandcausesexcitatorysynaptictransmission.Undern…     

督脉穴位电针对暂时性脑缺血所致神经细胞死亡的影响

目的 :观察电针对神经细胞死亡、DNA损伤及凋亡相关基因蛋白 (Bcl 2、Bax、P53 )表达的影响。方法 :采用短暂脑缺血再灌注 (MCAo)模型 ,应用HE、TUNEL、免疫组织化学等实验技术进行观察。结果 :大脑中动脉阻塞 2hr后 ,随着再灌时间的增加梗塞灶面积进行性发展 ,在不同再灌时间点 ,电针均能减小梗塞面积 ,而且电针可明显减少短暂脑缺血再灌注后细胞坏死和DNA损伤 ,并上调Bcl 2 /Bax比值 ,和减少P53的表达。结论 :电针具有神经保护作用 ,其部分作用可能通过调节凋亡相关基因蛋白的表达而实现     

电针对高血脂合并脑缺血大鼠巢蛋白和增殖细胞核抗原表达的影响

目的:观察电针对高血脂合并脑缺血大鼠侧脑室外侧壁巢蛋白(Nestin)和增殖细胞核抗原(PCNA)表达的影响。方法:41只成年雄性SD大鼠随机分为正常组和高脂饲料喂养组,高脂饲料喂养组大鼠用高脂饲料喂养42 d造成高脂血症模型后,随机分为假手术组、模型组、电针1组、电针2组。电针1组电针“丰隆”,1次/d,连续7 d。第50天,电针组和模型组用FeCl3化学诱导造成脑缺血,术后电针组电针“丰隆”“百会”,1次/d,连续14 d。用神经功能缺损评分评定行为学变化,生物化学法检测血脂四项,HE染色观察缺血半暗带形态学改变,免疫组化检测缺血侧侧脑室外侧壁Nestin和PCNA的表达。结果:术后14 d模型组TC、LDL升高(P<0.01),HDL降低(P<0.01);电针组TC、LDL降低(P<0.05),HDL升高(P<0.05)。模型组神经功能缺损评分增高,HE染色组织形态呈脑缺血改变,Nestin、PCNA阳性细胞个数增多(P<0.05);电针治疗可降低神经功能缺损评分(P<0.05),缺血半暗带细胞形态接近正常,Nestin、PCNA阳性细胞数升高(P<0.05),术后7 d时达到高峰,且电针1组高于电针2组(P<0.05)。结论:电针“丰隆”“百会”可调节血脂,促进缺血侧侧脑室外侧壁Nestin、PCNA的表达,改善神经功能,且在高血脂阶段进行针刺干预效果更佳。     

当归补血汤对大鼠永久性局灶性脑缺血后脑源性促红细胞生成素的影响

目的:观察当归补血汤对大鼠永久性局灶性脑缺血的保护作用及对脑源性促红细胞生成素(erythropoie-tin,EPO)表达的影响。方法:将动物随机分为假手术组、模型组和给药组,采用改良线栓法建立大鼠永久性局灶性脑缺血模型,按缺血时间每组分为4h、1d和7d亚组,给药组灌胃当归补血汤。在缺血相应时间后取材,行甲苯胺蓝染色,观察组织病理变化;行TTC染色,计算脑梗死体积百分比;行Fluoro-Jade B(FJB)染色,计算半暗带阳性细胞数;行EPO免疫荧光染色,计算半暗带阳性细胞数。结果:与模型组相比,当归补血汤可以减轻缺血脑组织的病理改变,降低缺血7d亚组脑梗死体积百分比(P<0.05),减少缺血1d、7d亚组半暗带FJB阳性细胞数(P<0.05,P<0.01);给药组缺血1d、7d亚组半暗带EPO阳性细胞数明显多于模型组(P<0.01)。结论:当归补血汤对永久性局灶性脑缺血大鼠具有一定的保护作用,可能与增强脑缺血后脑源性EPO表达有关。     

电针对脑缺血再灌注大鼠脑红蛋白的影响

目的:观察脑缺血再灌注损伤大鼠脑红蛋白(neuroglobin,NgB)的表达以及电针预处理对NgB表达的影响,探索NgB在电针预处理诱导的脑保护效应中的作用。方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组及电针组,每组16只。电针组给予电针刺激"百会",每天30min,持续5d。预处理后采用右侧大脑中动脉阻闭法,缺血120min后行再灌注,制备大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤模型。脑缺血再灌后24h进行神经行为学评分,然后检测脑梗死容积,免疫荧光双标法检测NgB表达水平。另一批SD雄性大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注6、24、72h组,每组6只,分别通过免疫荧光双标法观察缺血半暗带NgB表达水平的变化。结果:电针预处理后电针组较模型组脑梗死容积百分比明显减低(P<0.01),神经行为学评分及NgB含量明显增加(P<0.01)。脑缺血再灌注后6hNgB表达开始上调,24h为表达高峰(P<0.01),并至少可以持续到72h。结论:电针预处理能显著提高脑缺血再灌注大鼠神经行为学评分,降低脑梗死容积,并可进一步上调缺血半暗带NgB表达,诱导脑缺血耐受,从而减轻脑缺血再灌注损伤。     

电针对局灶性脑缺血大鼠脑源性神经营养因子影响的研究

目的 :研究电针督脉经穴“大椎”、“百会”对局灶性脑缺血大鼠脑源性神经营养因子的影响。方法 :凝闭大鼠一侧大脑中动脉 1 0hr后致局灶性脑缺血 ,采用免疫组化染色S P法进行观察。结果 :电针治疗能增强局灶性脑缺血大鼠脑组织脑源性神经营养因子的表达 ,从而阻止神经细胞内Ca2 +超载 ,稳定细胞内环境。结论 :电针对缺血性脑损伤具有一定的保护作用 ,为临床针灸治疗缺血性脑血管疾病奠定了理论基础。     

电针对脑梗死大鼠神经功能及胶质纤维酸性蛋白表达的影响

目的观察电针对高血压基础上形成脑梗死大鼠的不同时间点神经功能评分及灶周胶质纤维酸性蛋白（GFAP）表达的影响,证实电针对星形胶质细胞（AST）变化的影响是其促进脑梗死功能恢复的机制之一。方法双肾双夹法制备RHRSP模型,双侧肾动脉狭窄术后12周,取血压≥l80mmHg大鼠,电凝法制备大脑中动脉闭塞（MCAO）模型,随机分为MCAO假手术组、MCAO组（模型组）、穴位治疗组、非穴位治疗组,后两组行电针刺激。MCAO后各组分别于1d、3d、7d、14d、21d进行神经功能缺损评分,HE染色观察病理形态变化,GFAP免疫荧光染色观察电针对局灶性脑梗死缺血灶周围GFAP的表达。结果假手术组大鼠在各时间点神经功能缺损评分均为0分;各时间点模型组神经功能评分均高于穴位治疗组,1d时两组差异无统计学意义,3d、7d、14d、21d,两组差异有统计学意义（P〈0.05或P〈0.01）。3d时模型组大鼠神经缺损症状最重,而电针组随着时间的延长其神经功能缺损评分在逐渐降低。在各时间点模型组与非穴位组无明显差异。HE染色可见穴位治疗组ASI及组织肿胀较模型组明显减轻。在五个时间点模型组和电针组GFAP表达都明显增高,与假手术组比较（P〈0.01）,电针组GFAP表达均明显低于同时段模型组（P〈0.05）。各时间点模型组GFAP表达与非穴位组比较无显著性差异。结论穴位电针治疗能下调脑缺血后GFAP表达,进而改善神经功能。