电针减轻脑缺血再灌注损伤的机制研究进展

脑缺血再灌注损伤是脑梗死闭塞血管再通后出现的主要并发症,电针治疗可有效减轻脑缺血再灌注损伤,该疗法广泛应用于临床且疗效显著,相关机制研究日渐深入。通过检索总结近几年相关机制研究发现,电针减轻脑缺血再灌注损伤的作用途径如下：1）通过调控相关蛋白、信号转导通路减少细胞程序性死亡;2）降低兴奋性氨基酸毒性;3）调节细胞内钙稳态;4）通过增强氧化防预系统,减少自由基生成;5）通过减少细胞焦亡、调控小胶质细胞活化、调控炎性因子表达等方式抑制炎症反应的过度激活。后续可从各作用靶点、各作用途径之间的交叉影响入手进行更深入的探讨。     

电针对大鼠脑缺血-再灌注损伤的防护

目的　观察电针治疗缺血性脑病的可能机制。方法　采用结扎大鼠双侧颈总动脉造成的脑缺血 -再灌注损伤模型 ,测定不同时间电针前后海马内 MDA含量和 SOD、GSH -Px活性并计数断头后大鼠喘息次数和持续时间。每日电针“百会”、“风池”、“大钟”及“足三里”穴 30 min共 14 d,取疏 -密波 ,频率 :2 -2 0 H z,强度 :2 .0 A。结果　电针能显著延长大鼠脑缺血 -再灌注后的存活时间 ;降低缺血 -再灌注后大鼠海马的 MDA含量 (d7:2 .5 7± 0 .62 nmol/mg,d14 :1.18± 0 .47nm ol/m g)及提高SOD(d7:5 .18± 1.82 u/m g,d14 :6.91± 2 .47u/mg)及 GSH-Px(d7:9.5 0± 1.0 9u/mg,d14 :11.65± 1.72 u/m g)的活性。结论　电针能提高大鼠抵抗脑缺血 -再灌注的损伤能力 ,其作用机制可能与电针提高动物体内氧化酶活性、抑制自由基生成有关     

标本配穴电针预处理抗脑缺血再灌注大鼠炎性损伤的研究

目的从SIRT1/NF-κB炎性通路途径,探讨电针预处理抗脑缺血再灌注损伤的可能作用机制。方法将SD雄性大鼠随机分为假手术组(S组)、缺血组(I/R组)和电针预处理组(EA组),每组各20只。I/R组采用改良的MCAO线栓法缺血2 h后行再灌注3 h,制备大鼠右侧局灶性脑缺血再灌注损伤模型。S组仅分离右侧颈总动脉,不给予其它处理。EA组造模前取"百会""肾俞""三阴交"电针仪预处理,疏密波,频率2/100 Hz,强度1 m A,每15 min为一刺激单元(通电10 min,留针5 min),连续重复4次,共计1 h。各组再灌注3 h后进行神经行为学评分; HE染色法观察海马神经元形态; ELISA法检测肿瘤坏死因子-α(TNF-α)、白细胞介素-1β(IL-1β)和白细胞介素-6(IL-6)等炎性因子浓度; Western-blot方法检测SIRT1和NF-κB蛋白表达。结果电针预处理后,EA组行为学评分、IL-1β、IL-6、TNF-α炎性因子浓度和NF-κB蛋白表达均较模型组降低(P <0. 01),SIRT1蛋白表达较模型组升高(P <0. 01),神经元形态结构损伤较模型组明显减轻。结论电针预处理可能通过上调内源性脑SIRT1表达,进而抑制NF-κB表达,减轻炎性反应,从而抗脑缺血再灌注损伤。     

电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠TGF-β-Smads信号通路作用机制研究

目的:电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠脑组织TGF-β-Smads信号通路作用及脑组织凋亡细胞影响。方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组和电针预处理组,采用线栓法建立局灶性脑缺血再灌注损伤模型,缺血再灌注后,收集脑组织,进行匀浆,采用酶联免疫法测定各组缺血脑组织中IL-1β与TNFα含量变化。应用western blot法检测各组缺血脑组织中TGF-β、Smad4及Caspase3蛋白表达。流式细胞分析各组细胞凋亡情况。结果:与假手术组比较,模型组脑组织中炎性因子IL-1β和TNFα含量明显增加(P0.05);与模型组比较,提前给予电针预处理能够明显降低脑组织中炎性因子IL-1β和TNFα含量(P0.05)。Western blot结果发现:模型组中TGF-β、Smad4和Caspase3表达明显高于假手术组(P0.05),与模型组比较,电针预处理组中TGF-β、Smad4表达显著提高(P0.05),而Caspase3表达显著降低(P0.05)。流式细胞术检测结果显示与模型组比较电针预处理组可以显著抑制脑组织细胞凋亡。结论:电针预处理对脑缺血再灌注损伤具有保护作用,可以降低炎性因子,激活TGF-β/Smads信号通路,抑制脑组织细胞凋亡,最终对脑缺血再灌注损伤起到保护作用。     

电针对脑缺血再灌注损伤大鼠血清CK LDH的影响

目的:研究电针对实验性脑缺血再灌注损伤大鼠血清中肌酸激酶(CK)和乳酸脱氢酶(LDH)的影响。方法:采用可逆性脑缺血再灌注损伤大鼠模型,通过电针“人中”穴、双侧“中冲”穴及“风府”穴,利用CK及LDH测试盒测试酶活性。结果:缺血再灌注组与空白对照组相比,血清中CK和LDH的含量明显上升,都有显著性的意义(P<0.05,P<0.01)。针刺组与缺血再灌注组比较,血清中CK和LDH的活性有明显下降,有显著性的意义(P<0.05,P<0.01)。结论:电针能明显降低脑缺血再灌注损伤大鼠血清CK和LDH的含量。     

电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠神经元铁死亡的影响

目的：观察电针预处理对脑缺血再灌注损伤（CIRI）大鼠神经元铁死亡的影响,探讨电针预处理对神经元的保护作用机制。方法：将雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组、抑制剂组和诱导剂组,每组20只。采用改良Zea Longa线栓法制备CIRI大鼠模型。造模前,电针组予“百会”“风府”“大椎”电针刺激,每天20 min,连续7 d;抑制剂组腹腔注射铁抑素-1;诱导剂组于电针治疗7 d后腹腔注射埃拉斯汀。各组干预结束2 d后造模。采用改良Zea Longa法进行神经功能缺损评分;TTC染色法评估脑梗死面积并计算梗死面积百分比;透射电镜观察海马组织神经细胞超微结构;生化法检测缺血区脑组织亚铁离子（Fe2+）、丙二醛（MDA）、谷胱甘肽（GSH）及血清活性氧（ROS）的含量;流式细胞仪检测大鼠脑组织线粒体膜电位变化;实时荧光定量PCR法及Western blot法检测缺血区海马组织谷胱甘肽过氧化物酶4(GPX4)、酯酰辅酶A合成酶长链家族成员4(ACSL4)、转铁蛋白受体（TFRC）、15-脂氧合酶（15-LOX）、环氧化酶2(COX-2)的mRNA和蛋白表达水平。结果：与假手术组比较,模型组...     

近5年电针治疗脑缺血再灌注损伤的实验研究进展

脑血管疾病是神经系统常见病和多发病,是目前人类疾病三大死亡原因之一,其中缺血性脑血管病占全部脑血管病的55%⁸0%,严重威胁着人类的健康,而具有整体良性调节作用的针灸疗法对脑血管疾病的治疗效果较好,文章就近5年来电针治疗脑缺血再灌注损伤的实验研究进展综述。     

基于自噬机制探讨电针预处理干预脑缺血再灌注损伤的研究进展

自噬是一条溶酶体代谢途径,在饥饿、缺氧、营养缺乏等应激条件下被激活,可以清除受损细胞内细胞器和错误折叠的蛋白质,对细胞生存、分化、发育及内环境稳态至关重要。电针预处理主要通过调节自噬的相关通路和蛋白来改善缺血乏氧状态、抗氧化应激、清除线粒体损伤、抗内质网应激、减轻炎症反应,从而干预脑缺血/再灌注损伤(cerebral ischemia/reperfusion injury, CI/RI)。该文回顾了CI/RI中激活自噬的病理因素及自噬对CI/RI的双向调节作用,总结了电针预处理调节自噬干预CI/RI的国内外研究及电针预处理的相关参数,以期为临床推广运用电针预处理治疗缺血性脑卒中提供实验依据。     

中医药抗脑缺血再灌注损伤的作用机制研究

缺血性脑血管疾病（ischemiacerebralvasculardisease，ICVD）作为人类的一种主要疾病，是目前危害人类健康的三大死亡原因之一。ICVD急性期有着复杂的病理生理机制，如缺血缺氧、能量代谢障碍、局部酸中毒、炎性介质释放、自由基损伤、细胞内Ca2＋超载、兴奋性氨基酸的毒性作用以及各种细胞因子在脑缺血后的病理生理机制中发挥着重要的作用。目前用于脑缺血治疗的化学药物包括：抗栓药（溶栓药、抗凝药、降纤、抗血小板聚集）、神经保护剂、自由基清除剂和白细胞黏附抑制剂等，但是这些药物的治疗靶点单一，而且毒副作用较大，单独使用难以达到满意的效果。     

电针抑制脑缺血再灌注损伤大鼠细胞凋亡机制研究

目的:从肌醇依赖性激酶1α(IRE1α)/激活性蛋白激酶C受体1(RACK1)分子开关探讨电针干预脑缺血再灌注损伤(CIRI)大鼠细胞凋亡机制。方法:64只SD大鼠随机分成假手术组、模型组、依达拉奉组、电针组,每组16只。线栓法制备CIRI大鼠模型后,依达拉奉组、电针组每12 h分别予依达拉奉溶液给药和“内关”“百会”穴电针干预,共5次。Longa法评价大鼠神经功能缺损症状;TTC染色法观察大鼠脑组织缺血损伤情况;TUNEL染色法检测细胞凋亡指数;Western blotting法检测RACK1、p-IRE1α、CHOP蛋白表达。结果:与假手术组比较,模型组大鼠神经功能缺损评分、凋亡指数、CHOP表达升高,RACK1表达降低,差异有统计学意义(均P<0.01)。与模型组比较,治疗后电针组、依达拉奉组大鼠神经功能缺损评分、凋亡指数降低,电针组大鼠RACK1、p-IRE1α表达升高,CHOP表达下降,差异有统计学意义(均P<0.01)。治疗后与模型组比较,依达拉奉组大鼠p-IRE1α表达升高,CHOP表达下降,差异有统计学意义(均P<0.01)。依达拉奉组与电针组大鼠神经...     

电针联合跑轮训练对脑缺血再灌注损伤模型大鼠神经及运动功能恢复的影响＊

目的 观察“百会、神庭、水沟”穴电针联合跑轮训练对大脑中动脉闭塞（middle cerebral artery occlusion， MCAO）脑缺血再灌注（cerebral ischemiac reperfusion， CIR）损伤模型大鼠神经及运动功能重建的影响。方法 SPF级雄性SD大鼠50只，取10只体重相近的设为假手术组，将另40只采用Longa线栓法制作CIR模型并选取其中造模成功的32只采用随机数字表法均分模型组、电针组、跑轮组和电针+跑轮组，每组8只。电针组选“百会、神庭、水沟”穴电针治疗；跑轮组进行自主跑轮训练；电针+跑轮组治疗同电针组和跑轮组；治疗5次/周，共4周。采用经皮层电刺激记录运动诱发电位（motor evoked potential， MEP）并结合Zea-Longa神经学评分评价神经传导功能；采用悬吊、Grip test评分及腓肠肌张力实验评估肢体肌力和躯体平衡及运动功能的协调性；大鼠血脑屏障通透性采用伊文思蓝渗透法观察。结果 电针组Zea-Longa评分及MEP各时相点潜伏期低于跑轮组，MEP各时相点波幅峰值高于跑轮组（P<0.05）。跑轮组Grip test评分、悬吊时间和等长收缩肌力均高于电针组，MEP各时相点波幅峰值低于电针组（P<0.05）。而电针+跑轮组Grip test评分、悬吊时间、MEP各时相点波幅峰值及等长收缩肌力均高于电针组和跑轮组，Zea-Longa评分及MEP各时相点潜伏期均低于电针组和跑轮组（P<0.05）。结论 电针有利于神经传导功能重建，跑轮训练可促进CIR模型大鼠骨骼肌重塑和运动功能恢复，在防治脑缺血再灌注损伤时二者具有协同作用。     

眼针对脑缺血再灌注损伤大鼠脑组织自噬的影响

目的:观察眼针疗法对脑缺血再灌注损伤大鼠脑血流以及脑组织自噬的影响,探讨眼针对脑缺血再灌注损伤大鼠脑组织产生保护作用的机制。方法:将50只SD大鼠随机分为假手术组、模型组、眼针组、抑制剂组和增强剂组,每组10只。采用改良线栓法制备脑缺血再灌注损伤大鼠模型。眼针组大鼠在造模成功后0.5 h、12 h及24 h给予眼针干预30 min;抑制剂组和增强剂组大鼠在造模前30 min给予侧脑室注射自噬抑制剂3-甲基腺嘌呤和自噬诱导剂雷帕霉素,且抑制剂组和增强剂组给予同眼针组相同的眼针干预。在大鼠脑缺血再灌注后24 h用Longa评分法进行神经功能评分,用激光多普勒血流仪测量大鼠大脑皮层血流量和血流速度,用尼氏染色法观察缺血区脑组织神经元损伤情况,用Western blot法测定缺血区脑组织自噬相关蛋白Beclin-1、微管相关蛋白1轻链3(LC3)、p62的表达。结果:与假手术组比较,模型组大鼠神经功能缺损评分明显升高(P<0.01);大脑皮层血流量和血流速度明显降低(P<0.01);缺血区脑组织尼氏小体数量减少(P<0.01);Beclin-1蛋白表达水平和LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ升高,而p62表达水平降低(P<0.01)。与模型组比较,眼针组和抑制剂组大鼠神经功能缺损评分下降(P<0.01);大脑皮层血流量和血流速度均明显增加(P<0.01);缺血区脑组织尼氏小体的数量增多(P<0.01);Beclin-1蛋白表达水平、LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ明显降低,p62的表达水平明显升高(P<0.01)。增强剂组与模型组比较,上述各指标差异均无统计学意义(P>0.05)。结论:眼针能够改善脑缺血再灌注损伤大鼠的神经功能,其机制可能与增加脑血流量,加快脑血流速度以及抑制缺血区脑组织自噬有关。     

电针对脑缺血大鼠大脑皮层γ-谷氨酰半胱氨酸合成酶蛋白及基因表达的影响

目的:观察电针"百会"大椎"穴对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层γ-谷氨酰半胱氨酸合成酶(GCS)蛋白及其mRNA表达的影响,进一步探讨电针提高脑缺血再灌注大鼠抗氧应激能力的分子生物学机制。方法:SD大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注组(模型组)、缺血再灌注+电针组(电针组),每组10只。用改良Longa线栓法制备脑缺血再灌注模型,电针组取"百会"大椎"穴,电针刺激30min。运用免疫组织化学法和RT-PCR技术分别检测大鼠大脑皮层γ-GCS蛋白及其mRNA的表达。结果:模型组与假手术组相比,大脑皮层锥体细胞层的γ-GCS蛋白阳性细胞数表达差异无统计学意义(P>0.05);而电针组与模型组相比,可见到大量的γ-GCS蛋白阳性细胞表达(P<0.01),且平均吸光度显著升高(P<0.01)。电针组的GCS重亚单位(GCSh)mRNA和GCS轻亚单位(GCSl)mRNA表达量亦明显高于模型组(P<0.05)。结论:电针"百会"大椎"穴可明显增加局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层γ-GCS蛋白及其mRNA表达,提示电针可促进机体谷胱甘肽系统清除受损神经元的氧自由基紊乱,保护大脑神经细胞。     

川芎嗪对心肺复苏后脑缺血再灌注损伤的临床研究

目的：探讨川芎嗪用于治疗心肺复苏后脑缺血再灌注损伤患者的,法床效果。方法：选取院内心脏骤停心肺复苏成功后脑缺血再灌注损伤患者50例,随机分为对照组和观察组。在心肺复苏成功,患者的自主循环恢复后,观察组患者给予川芎嗪葡萄糖静脉滴注,对照组患者给予葡萄糖注射液静滴。检测两组患者治疗前及治疗后10d的SOD、MDA、NO水平,并综合评价,陆床疗效。结果：观察组患者的血中SOD、MDA、NO及总有效率较对照组均有明显优势,差异有统计学意义（P〈0．05）。结论：在心肺复苏成功自主循环恢复后即对患者采用川芎嗪静滴治疗,可以提高心肺复苏后脑缺血再灌注损伤患者的预后质量。     

黄芩苷对大鼠脑缺血再灌注损伤后Bcl-2、Caspase-3表达的影响

目的：观察黄芩苷对脑缺血再灌注损伤后Bcl-2、Caspase．3表达的影响,探讨黄芩苷对脑缺血再灌注损伤后神经细胞的保护作用机制。方法：采用改良线栓法建立大鼠脑缺血再灌注模型,给予黄芩苷治疗后观察Bcl-2、Caspase-3的表达。结果：随着黄芩苷剂量的增加,Bcl-2表达增多,Caspase-3表达减少,差异具有统计学意义（P〈0．05）。结论：黄芩苷能促进神经细胞中Bcl-2的表达,抑制Caspase．3的表达,对脑缺血再灌注损伤有一定的保护作用。     

大鼠穴位针刺预处理抗脑缺血再灌注损伤作用探讨

目的 :探讨穴位针刺预处理抗脑缺血再灌注损伤的作用。方法 :先进行“肾俞”、“百会”穴针刺预处理 ,再采用颈动脉引流法脑缺血再灌注造模 ,石蜡包埋切片 ,HE染色 ,观察脑片缺血性病理变化 ,进行顶皮质Ⅰ区Ⅴ层幸存神经元记数。结果 :在不同再灌时间段 ,E0 .5hr组幸存神经密度显著高于D组、E1 .5hr组和E3hr组 (P <0 0 5) ,E3hr组与D组无差异 (P >0 0 5)。结论 :穴位针刺预处理具有抗脑缺血再灌注损伤作用 ,该作用以穴位针刺预处理后 0 5hr效果最佳     

环维黄杨星-D对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤的影响

目的：观察环维黄杨星-D(CVB-D)对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤的保护作用,并探讨其作用机制。方法：取大鼠120只,随机分为6组,即CVB-D高、中、低剂量组(2,1,0.5 mg·kg^-1),尼莫地平组(2 mg·kg^-1),模型对照组和假手术组,每组20只。采用线栓法建立大鼠大脑中动脉阻断再灌注模型,观察CVB-D对模型大鼠神经损伤症状、脑梗死范围、脑组织超氧化物岐化酶(SOD)活性、丙二醛(MDA)含量、脑细胞内钙离子(Ca²⁺)浓度及脑组织病理变化的影响。结果：CVB-D高、中剂量能显著改善局灶性脑缺血大鼠神经症状,提高脑组织SOD活性；CVB-D高剂量能降低脑组织梗死范围、MDA含量及脑细胞内Ca²⁺浓度；CVB-D各剂量组均能减轻脑组织病理变化。结论：CVB-D对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤具有保护作用。     

电针对局灶性脑缺血大鼠大脑皮层缺血灶周围区星形胶质细胞的影响

目的:观察电针对局灶性脑缺血大鼠皮层缺血灶周围区不同时间段星形胶质细胞反应性变化的影响,进一步揭示电针治疗脑缺血疾病的作用机制。方法:随机将90只Wistar大鼠分为假手术组、模型组和电针组,每组又分为1h、1d、3d、7d和21d5个时间段小组,每小组6只。采用热凝闭大脑中动脉建立局灶性脑缺血模型。电针组取"百会"大椎"穴,留针30min,每天治疗1次。分别于治疗1h、1d、3d、7d和21d后取材,用透射电镜观察不同时段各组大鼠脑皮层缺血灶周围区星形胶质细胞的超微结构,用激光共聚焦显微镜观测星形胶质细胞胶质纤维酸性蛋白(GFAP)免疫活性反应的变化。结果:星形胶质细胞在缺血性脑损伤后肿胀、增多,电针组的星形胶质细胞肿胀程度较模型组减轻。模型组和电针组GFAP的平均荧光强度在1h时与假手术组比较,差异无统计学意义(P>0.05);在1、3、7、21d时,模型组和电针组高于假手术组(P<0.01),尤其是在7d时表达最强;而电针组在各时段均低于模型组(P<0.01,P<0.05)。结论:电针可减轻缺血引起的星形胶质细胞结构性损伤,下调胶质细胞内GFAP的过度表达。电针改善脑缺血的作用可能与其干预星形胶质细胞的活化状态有关。     

电针对脑缺血再灌注大鼠大脑皮层超微结构的影响

目的:探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层组织的神经保护作用。方法:将SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组,每组各5只。采用改良Longa线栓大脑中动脉法复制局灶性脑缺血再灌注模型。电针组取穴"百会"及"大椎",采用疏密波刺激30 min,电流强度1~3 mA,频率20 Hz/80 Hz,疏、密波交替时间各为1.5 s。用透射电子显微镜观察受损局灶大脑皮层锥体细胞、星形胶质细胞及血脑屏障等超微结构。结果:假手术组大鼠大脑皮层超微结构未见病理改变;而模型组大鼠脑组织神经元细胞结构严重破坏,线粒体肿胀,嵴断裂,毛细血管内皮肿胀,管腔挛缩,甚至闭塞,胶质细胞足突肿胀;经电针处理后脑组织超微结构损伤变小或基本正常,受损局灶神经元病理结构得到改善。结论:电针通过影响缺血再灌注局灶的神经元超微结构从而改善了缺血病灶区域的能量供应及代谢功能,发挥了对神经功能的保护作用。     

电针对脑缺血再灌注大鼠脑红蛋白的影响

目的:观察脑缺血再灌注损伤大鼠脑红蛋白(neuroglobin,NgB)的表达以及电针预处理对NgB表达的影响,探索NgB在电针预处理诱导的脑保护效应中的作用。方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组及电针组,每组16只。电针组给予电针刺激"百会",每天30min,持续5d。预处理后采用右侧大脑中动脉阻闭法,缺血120min后行再灌注,制备大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤模型。脑缺血再灌后24h进行神经行为学评分,然后检测脑梗死容积,免疫荧光双标法检测NgB表达水平。另一批SD雄性大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注6、24、72h组,每组6只,分别通过免疫荧光双标法观察缺血半暗带NgB表达水平的变化。结果:电针预处理后电针组较模型组脑梗死容积百分比明显减低(P<0.01),神经行为学评分及NgB含量明显增加(P<0.01)。脑缺血再灌注后6hNgB表达开始上调,24h为表达高峰(P<0.01),并至少可以持续到72h。结论:电针预处理能显著提高脑缺血再灌注大鼠神经行为学评分,降低脑梗死容积,并可进一步上调缺血半暗带NgB表达,诱导脑缺血耐受,从而减轻脑缺血再灌注损伤。