电针对脑缺血再灌注大鼠缺血区皮质神经细胞凋亡和NF-κB表达的影响

目的通过观察电针对脑缺血再灌注大鼠缺血区皮质神经细胞凋亡和NF-κB蛋白表达的影响,研究电针对缺血性脑损伤的保护机制。方法采用大脑中动脉线栓法制作模型,电针大鼠的水沟、内关,运用TUNEL法观察各组大鼠皮质神经细胞凋亡,免疫组化法观察各组大鼠缺血区皮质NF-κB蛋白表达。结果电针组缺血皮质中神经细胞凋亡和NF-κB蛋白表达与模型组相比均降低。结论电针通过抑制NF-κB蛋白表达减少神经细胞凋亡来对抗缺血再灌注脑组织神经损伤。     

电针对脑缺血再灌注大鼠缺血区P53蛋白表达影响

目的:通过观察电针对脑缺血再灌注大鼠缺血区皮质神经细胞形态学变化和P53蛋白表达的影响,研究电针对缺血性脑损伤的保护机制.方法:采用大脑中动脉线栓法制作脑缺血模型,电针大鼠的水沟、内关,运用HE染色观察各组大鼠皮质神经细胞形态学和免疫组化法观察各组大鼠缺血区皮质P53蛋白表达.结果:与模型组相比,电针各组缺血皮质P53蛋白表达均降低,同时电针可明显改善缺血大鼠缺血侧皮层形态学损伤.结论:电针通过抑制P53蛋白表达减轻神经组织损伤来对抗缺血再灌注脑组织神经损伤.     

眼针对急性脑缺血大鼠的脑保护作用

目的 :从神经缺损评分、脑梗塞程度、脑组织形态学变化、细胞凋亡及P5 3蛋白表达方面探讨眼针对急性脑缺血的治疗作用及作用机理。方法 :用线栓法制成SD大鼠大脑中动脉阻塞再灌注模型 ,各组动物分别于脑缺血 2小时、再灌注 2 4小时进行神经缺损评分 ;在阻塞 2小时 ,再灌注 2 4小时后 ,应用HE染色、TUNEL染色及免疫组织化学法分别对缺血对照组、缺血加眼针组、缺血加督脉电针组及假手术组大鼠脑梗塞程度 ,脑组织神经细胞死亡与凋亡的分布及P5 3免疫反应阳性细胞进行观察。结果 :眼针、督脉电针均可减少神经缺损评分、降低脑梗塞程度、减少缺血所致脑神经细胞的死亡及DNA双链断裂 (TUNEL阳性 ) ,减少梗塞周边区皮层P5 3数量。结论 :眼针、督脉电针对急性脑缺血有较好的治疗作用 ,其作用机理可能与可抑制细胞凋亡有关 ,从而保护脑神经细胞     

川芎嗪对脑缺血再灌注后神经细胞凋亡及其相关蛋白Fas-L表达的影响

目的观察川芎嗪对大鼠局灶性脑缺血再灌注后神经细胞凋亡及Fas-L蛋白表达的影响。方法SD大鼠36只随机分成假手术组、模型组、川芎嗪组。采用TUNEL法检测各组大鼠脑组织神经细胞凋亡;采用免疫组织化学法与医学图像分析结合的方法检测各组大鼠脑组织Fas-L蛋白的表达。结果与假手术组相比,模型组大鼠缺血侧脑组织TUNEL阳性神经细胞及Fas-L阳性细胞表达增多;与模型组相比,川芎嗪组大鼠缺血侧脑组织TUNEL阳性神经细胞及Fas-L阳性细胞表达减少。结论川芎嗪可下调Fas-L蛋白的表达,从而抑制脑缺血再灌注后神经细胞凋亡,这可能是其对脑缺血再灌注损伤起保护作用的分子机制之一。     

芪丹通脉片对脑缺血-再灌注大鼠神经细胞凋亡及Fas-L蛋白表达的影响

目的观察芪丹通脉片对脑缺血-再灌注大鼠神经细胞凋亡及凋亡相关基因Fas-L蛋白表达的影响。方法采用Longa报道的线栓法制备大鼠局灶性脑缺血-再灌注模型。将SD大鼠随机分为假手术组、模型组和芪丹通脉片组,并予相应处理以TUNEL法检测各组大鼠脑组织神经细胞凋亡,以免疫组织化学法与医学图像分析结合的方法检测各组大鼠脑组织Fas-L蛋白的表达。结果与假手术组相比,模型组大鼠缺血侧脑组织TUNEL阳性神经细胞及Fas-L阳性细胞表达增多;与模型组相比,芪丹通脉片组大鼠缺血侧脑组织TUNEL阳性神经细胞及Fas-L阳性细胞表达减少。结论芪丹通脉片可下调Fas-L蛋白的表达,从而抑制脑缺血再灌注后神经细胞凋亡,这可能是芪丹通脉片对脑缺血再灌注损伤起神经保护作用的机制之一。     

电针足三里穴、曲池穴对脑缺血再灌注大鼠Bad及其磷酸化的影响

目的：探讨电针“足三里”、“曲池”对脑缺血再灌注大鼠凋亡相关蛋白Bad及其磷酸化的影响。方法：将雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组,采用ZeaLonga线栓法制备局灶型脑缺血再灌注模型,术后24h开始电针刺激偏瘫侧“足三里”、“曲池”穴。Zealonga 5分法用于模型的筛选及神经功能缺损程度,TUNEL法分析皮质区缺血半暗带神经细胞凋亡情况,采用Western blotting检测脑组织中Bad、p-Bad蛋白表达水平。结果：模型组大鼠缺血皮质区Bad表达增高,P—Bad表达下降。与模型比较,电针组Bad表达下降,p-Bad表达增高。结论：电针治疗可抑制Bad的表达,提高Bad磷酸化,从而右捶拧．脑缺血所种的神经细胎．凋亡的作用．     

电针对局灶性脑缺血大鼠脑源性神经营养因子影响的研究

目的 :研究电针督脉经穴“大椎”、“百会”对局灶性脑缺血大鼠脑源性神经营养因子的影响。方法 :凝闭大鼠一侧大脑中动脉 1 0hr后致局灶性脑缺血 ,采用免疫组化染色S P法进行观察。结果 :电针治疗能增强局灶性脑缺血大鼠脑组织脑源性神经营养因子的表达 ,从而阻止神经细胞内Ca2 +超载 ,稳定细胞内环境。结论 :电针对缺血性脑损伤具有一定的保护作用 ,为临床针灸治疗缺血性脑血管疾病奠定了理论基础。     

大黄苷元对脑缺血大鼠神经细胞凋亡及相关基因表达的影响

目的:从对脑缺血大鼠神经细胞凋亡及相关基因表达的影响方面探讨大黄苷元对脑缺血损伤的保护作用.方法:线拴法制备局灶性脑缺血模型(MCAO),术后4h取材,观察大鼠神经症状评分和脑组织病理学改变,以及大黄苷元对神经细胞凋亡和相关基因表达的影响.结果:①模型组大鼠的神经症状评分较假手术组显著增高(P＜0.01);大黄粉组和尼莫地平组较模型组显著降低(P＜0.01);大黄苷元三个剂量组均较尼莫地平组和大黄粉组显著降低(P＜0.05或P＜0.01).②模型组大鼠脑组织病理损伤明显,每视野正常神经元细胞数目较假手术组显著减少(P＜0.01);大黄苷元各剂量组脑组织病理损伤减轻,正常神经元细胞数目显著增加.③模型组大鼠的TUNEL细胞较假手术组显著增多(P＜0.05),bcl-2基因的表达较假手术组减弱(P＜0.05),Bax基因的表达显著增强;大黄苷元各剂量组TUNEL细胞数目较模型组显著减少,bcl-2基因表达增强,Bax表达减少.结论:大黄苷元对脑缺血损伤具有保护作用,其作用可能是通过影响神经细胞凋亡以及相关基因的表达,使bcl-2表达上调、Bax表达下调,从而干预脑缺血后的神经细胞凋亡.     

尼莫同对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后细胞凋亡的影响及意义

目的探讨大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后早期应用尼莫同对线粒体促凋亡蛋白Smac表达的影响,研究尼莫同对神经细胞的保护作用。方法 36只Wistar大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注组、尼莫同治疗组。采用线栓法制作大鼠局灶性脑缺血再灌注模型,观察尼莫同对大鼠脑缺血再灌注治疗后的神经功能症状评分,病理学HE染色观察组织形态学改变,免疫组化法检测脑组织中Smac蛋白的变化,TUNEL法原位检测凋亡细胞。结果假手术组脑组织中Smac蛋白呈弱阳性表达,缺血再灌注组脑组织中Smac蛋白呈强阳性表达,尼莫同治疗组介于二者之间,三组两两比较有统计学意义（P〈0.05）;假手术组脑组织中可见个别凋亡细胞,而缺血再灌注组凋亡细胞数明显较多,尼莫同治疗组凋亡细胞数介于假手术组和缺血再灌注组之间,三组两两比较有统计学意义（P〈0.05）。结论尼莫同可减少脑缺血再灌注后神经细胞凋亡,可能通过下调线粒体内Smac蛋白的表达发挥保护神经细胞的作用。     

电针对大鼠脑缺血后脑内神经细胞凋亡的影响

本研究运用TUNEL染色法观察电针对大鼠脑缺血后脑内神经细胞凋亡的影响。结果显示：在假手术组和单纯电针组，大鼠脑内未见神经细胞凋亡，脑缺血后12小时，大脑皮层梗塞区内大量的神经细胞凋亡，在缺血十电针组，大脑皮层梗塞区内神经细胞凋亡数目显著减少。结果表明：电针抑制脑缺血后脑内神经细胞凋亡。     

电针对局灶性脑缺血/再灌注大鼠IL-1Ra mRNA表达的调节

目的 :观察电针 (EA)对局灶性脑缺血 /再灌注大鼠IL 1RamRNA表达的调节作用。方法 :采用线栓法制备SD大鼠局灶性大脑中动脉阻塞缺血 /再灌注 (MCAo)模型 ,并应用RT PCR的方法进行观察。结果 :MCAo大鼠缺血侧大脑皮层在再灌注后 1 2hr和 2 4hrIL 1RamRNA表达增加 ;在缺血侧纹状体缺血再灌注后 1 2hrIL 1RamRNA表达明显增加 ,但再灌注后 2 4hr表达明显降低 ,电针可使IL 1RamRNA的表达明显增加。结论 :EA可使内源性IL 1RamRNA表达增加 ,从而使IL 1Ra表达增加 ,对脑缺血起保护作用 ,这也可能是EA抗脑缺血损伤的机制之一。     

电针调节脑缺血再灌注大鼠大脑皮层Bcl-2和Bax mRNA的表达

目的:探讨电针是否通过干预Bax/Bcl-2 mRNA的表达,来调控缺血再灌注大鼠大脑皮层细胞凋亡,发挥电针对脑神经元保护作用。方法:将清洁级健康雄性SD大鼠19只,按随机数字表随机分成假手术组(n=5)和用于造模动物14只,采用改良Longa线栓大脑中动脉法制作局灶性脑缺血再灌注模型。在成功制作出脑缺血再灌注模型并作神经缺损综合评分为2分以上后随机分为模型组、电针组,每组各7只。取电针组大鼠"百会"及"大椎"穴,采用疏密波刺激30min,电流强度1～3mA,频率20Hz/80Hz,疏、密波交替时间各为1.5s。用实时荧光定量聚合酶链反应(RT-PCR)技术分别检测大鼠大脑皮层组织Bcl-2和Bax mRNA的表达。结果:与假手术组相比,模型组Bcl-2、Bax mRNA表达均显著升高,而Bcl-2/Bax比值显著下降;与模型组相比,电针组Bax mRNA表达降低,Bcl-2 mRNA表达虽无统计学差异,但Bcl-2/Bax比值显著上升,形成以Bcl-2占优势的Bcl-2/Bax二聚体。结论:电针可以通过调控内源性凋亡途径,抑制Bax的促凋亡作用,降低缺血再灌注区的细胞凋亡,促进细胞的存活,这可能是电针拮抗局灶性脑缺血再灌注损伤后的神经细胞凋亡,保护脑神经元的分子生物学机制之一。     

电针对脑缺血再灌注大鼠大脑皮层超微结构的影响

目的:探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层组织的神经保护作用。方法:将SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组,每组各5只。采用改良Longa线栓大脑中动脉法复制局灶性脑缺血再灌注模型。电针组取穴"百会"及"大椎",采用疏密波刺激30 min,电流强度1~3 mA,频率20 Hz/80 Hz,疏、密波交替时间各为1.5 s。用透射电子显微镜观察受损局灶大脑皮层锥体细胞、星形胶质细胞及血脑屏障等超微结构。结果:假手术组大鼠大脑皮层超微结构未见病理改变;而模型组大鼠脑组织神经元细胞结构严重破坏,线粒体肿胀,嵴断裂,毛细血管内皮肿胀,管腔挛缩,甚至闭塞,胶质细胞足突肿胀;经电针处理后脑组织超微结构损伤变小或基本正常,受损局灶神经元病理结构得到改善。结论:电针通过影响缺血再灌注局灶的神经元超微结构从而改善了缺血病灶区域的能量供应及代谢功能,发挥了对神经功能的保护作用。     

头皮针对脑缺血模型大鼠神经生长因子的影响

目的 :研究头皮针对脑缺血模型大鼠神经生长因子 (NGF)的影响 ,并与电针组比较。方法 :线栓法制备大鼠脑缺血模型 ,脑组织甲醛固定切片 ,运用免疫组化方法检测各组神经生长因子的变化情况。结果 :术后 6hr与术后 15天组内神经功能评分比较 ,模型组无明显差异 (P >0 .0 5) ,电针组与针刺组有显著性差异 (P <0 .0 1) ;组间 15天时比较 ,电针组与针刺组无明显差异(P >0 .0 5) ,两组与模型组比较均有显著性差异 (P <0 .0 1)。在第 15天时神经生长因子免疫组化染色比较 ,电针组与模型组有明显差异 (P <0 .0 5) ,针刺组与模型组有显著性差异 (P <0 .0 1) ,针刺组与电针组有明显差异 (P <0 .0 5)。结论 :头皮针可促进神经生长因子产生并延长神经生长因子产生时限 ,这可能是头皮针减轻脑缺血损伤并促使肢体功能恢复的机理之一     

电针诱导神经生长因子透血脑屏障效应及其机制分析

目的:观察电针"百会"哑门"诱导外源性神经生长因子(NGF)透过血脑屏障的效应及其促透效应与蛋白激酶C(PKC)信号传导通路的相关性。方法:采用急性反复脑缺血再灌注法制造脑缺血学习记忆障碍大鼠模型,3周后,将动物随机分为模型对照组、NGF组(尾静脉注射NGF)、电针组(电针"百会"哑门")、NGF+电针组(尾静脉注射NGF,同时"百会"哑门"通以电针)、NGF+H7+电针组(尾静脉注射NGF后注射异喹啉磺酰类H7,同时"百会"哑门"通以电针),另设假手术组,每组均8只大鼠。采用ELISA法检测各组大鼠脑组织中NGF含量。结果:NGF组大鼠脑组织中NGF含量与模型对照组比较,差异无统计学意义(P>0.05);NGF+电针组大鼠脑组织中NGF含量与假手术组、模型对照组、NGF组及电针组比较均明显升高,差异均有统计学意义(P<0.01);NGF+H7+电针组与NGF+电针组比较,脑组织中NGF含量有下降趋势,但差异不具统计学意义(P>0.05)。结论:"百会"哑门"电针能诱导NGF透过血脑屏障,使大鼠脑组织中NGF含量明显提高,该促透作用与PKC信号通路相关性不明显。     

电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层微血管超微结构及血管内皮生长因子表达的影响

目的:探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层的保护作用。方法:SD大鼠随机分为正常组(n=8)、假手术组(n=8)、模型组(n=32)、电针组(n=32),后两组再各分为再灌注后1d、2d、4d、8d4个亚组,每组8只大鼠。采用线栓法制备大鼠大脑中动脉闭塞模型。电针组于脑缺血0.5h再灌注1h后每天行1次电针治疗,取"百会"水沟"足三里"穴。透射电子显微镜下观察各组大鼠右侧大脑皮层微血管内皮的超微结构,逆转录酶-聚合酶链反应法检测各组大鼠右侧大脑皮层血管内皮生长因子(VEGF)mRNA的表达。结果:模型组大鼠的大脑皮层微血管超微结构损害明显,缺血侧大脑皮层VEGF mRNA表达与正常组、假手术组比较明显升高(P<0.05,P<0.01);电针组大脑皮层微血管超微结构明显改善,大脑皮层VEGF mRNA表达水平与相应时相的模型组相比均明显增强(P<0.01)。结论:脑缺血再灌注促使缺血脑区微血管内皮细胞VEGF mRNA合成;电针对脑缺血再灌注大鼠大脑皮层微血管的超微结构形态学损伤具有明显的保护作用,电针治疗可进一步促进缺血脑区微血管内皮细胞VEGF mRNA的表达并调控血管新生,帮助脑内微血管的功能重建是针刺发挥脑保护作用的途径之一。     

电针对VD大鼠脑微血管内皮细胞一氧化氮合酶表达的影响

目的:观察一氧化氮合酶(iNOS)在血管性痴呆(VD)大鼠脑微血管内皮细胞中的表达情况及电针对其的影响。方法:采用夹闭再通大鼠双侧颈总动脉的方法建立缺血再灌注损伤性VD模型,电针组用G-6805电针治疗仪,以疏密波刺激“百会”“大椎”“足三里”“膈俞”,治疗20 min,每日1次,连续治疗7 d。利用SP免疫组织化学染色方法,观察脑微血管内皮细胞iNOS的活性,并与假手术组、模型组做比较。结果:电针组大鼠脑微血管内皮细胞iNOS的活性较模型组减弱,与模型组比较有显著性差异(P<0.01)。结论:电针可抑制VD大鼠脑微血管内皮细胞iNOS的活性,对脑缺血再灌注损伤具有脑保护作用。     

电针对高脂血症合并脑缺血损伤大鼠海马区钙结合蛋白D28K蛋白表达的影响

目的:观察针刺对高脂血症合并脑缺血损伤大鼠大脑海马区细胞凋亡及钙结合蛋白(Calbindin)D28 K(CB)表达的影响。方法:SD雄性大鼠,随机分为正常对照组、模型组、治疗Ⅰ组和治疗Ⅱ组,每组10只。采用经典高脂配方饲料喂养并结合FeCl3化学刺激诱导血栓性闭塞大脑中动脉,造成大鼠高脂血症合并脑缺血模型。其中治疗Ⅰ组先电针"三阴交""丰隆",每日1次,治疗10 d后再造脑缺血模型;治疗Ⅱ组在造模成功后再开始治疗。两治疗组造模完成后均电针"三阴交""丰隆",手针"百会""水沟",每日1次,治疗7 d。应用免疫组化方法观察大鼠海马区CB蛋白表达的变化,原位末端标记染色法观察海马区神经细胞的凋亡情况。结果:高脂血症大鼠局灶性脑缺血后细胞凋亡率较正常组明显增高,CB阳性细胞较正常组明显减少,阳性强度也减弱(P0.05);针刺后各治疗组CB阳性细胞的表达明显增加,其中治疗Ⅰ组较治疗Ⅱ组增加显著(P0.05),同时各治疗组神经细胞凋亡亦明显减少,以治疗Ⅰ组较为明显(P0.05)。结论:针刺可减少高脂血症大鼠海马区神经细胞的凋亡,增加CB的表达,减轻脑缺血损伤程度。     

电针对脑缺血大鼠大脑皮层γ-谷氨酰半胱氨酸合成酶蛋白及基因表达的影响

目的:观察电针"百会"大椎"穴对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层γ-谷氨酰半胱氨酸合成酶(GCS)蛋白及其mRNA表达的影响,进一步探讨电针提高脑缺血再灌注大鼠抗氧应激能力的分子生物学机制。方法:SD大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注组(模型组)、缺血再灌注+电针组(电针组),每组10只。用改良Longa线栓法制备脑缺血再灌注模型,电针组取"百会"大椎"穴,电针刺激30min。运用免疫组织化学法和RT-PCR技术分别检测大鼠大脑皮层γ-GCS蛋白及其mRNA的表达。结果:模型组与假手术组相比,大脑皮层锥体细胞层的γ-GCS蛋白阳性细胞数表达差异无统计学意义(P>0.05);而电针组与模型组相比,可见到大量的γ-GCS蛋白阳性细胞表达(P<0.01),且平均吸光度显著升高(P<0.01)。电针组的GCS重亚单位(GCSh)mRNA和GCS轻亚单位(GCSl)mRNA表达量亦明显高于模型组(P<0.05)。结论:电针"百会"大椎"穴可明显增加局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层γ-GCS蛋白及其mRNA表达,提示电针可促进机体谷胱甘肽系统清除受损神经元的氧自由基紊乱,保护大脑神经细胞。