不同传能线密度射线0~1Gy照射诱发染色体畸变的量-效关系研究

目的 建立0~1Gy范围内⁶⁰Coγ射线、 ²⁵²Cf 中子、单能中子及 ¹²C 重离子诱发染色体畸变剂量-效应曲线,用于评价职业受照或低剂量辐射损伤。方法 采用不同照射装置1Gy以内照射离体人外周血,于培养开始加秋水仙素,培养48h收获,制备染色体标本,Metafer中期细胞自动寻找系统,人机交互计数染色体畸变,最优拟合数据得到相应模型。结果 在低剂量范围内,以双着丝粒体+环(dic+r)为终点,⁶⁰Coγ射线为线性模型, ²⁵²Cf 中子、单能中子及 ¹²C 重离子为线性平方模型;以无着丝粒断片(ace)为终点,⁶⁰Coγ射线和 ¹²C 重离子为线性平方模型, ²⁵²Cf 中子和单能中子为线性模型;以总畸变为终点,4种射线均为线性平方模型。结论 高传能线密度(LET)射线损伤效应高于低LET射线,4种射线损伤效应依次为 ²⁵²Cf 混合中子 >单能中子> ¹²C 重离子> ⁶⁰Co γ射线。在低剂量范围内dic+r指标适用于高LET照射的剂量估算。