重复经颅磁刺激对精神分裂症患者事件相关电位的影响 |
| |
引用本文: | 王绍昌,劳成明,彭滔,梅仕锋,徐璐,陈兴时.重复经颅磁刺激对精神分裂症患者事件相关电位的影响[J].临床精神医学杂志,2020,30(2):96-99. |
| |
作者姓名: | 王绍昌 劳成明 彭滔 梅仕锋 徐璐 陈兴时 |
| |
作者单位: | 322000 浙江义乌市精神卫生中心精神科;上海市精神卫生中心精神科 |
| |
摘 要: | 目的:探讨重复经颅磁刺激(rTMS)对精神分裂症患者事件相关脑电位(ERPs) N400、P300和失匹配负波(MMN)的影响。方法:给予85例精神分裂症患者(患者组)在原抗精神病药治疗的基础上联合rTMS治疗25次;于rTMS治疗前后进行N400、P300及MMN检测,结果进行自身对照及与76名健康志愿者(正常对照组)比较。结果:与正常对照组比较,患者组额区N400、P300和MMN潜伏期明显延迟、波幅明显降低(P 0.05或P 0.01);治疗后患者额区N400中同音异形异义潜伏期和异音异形异义波幅、额区MMN及P300波幅较治疗前明显提高(P均0.05)。结论:精神分裂症患者ERP指标异常,经rTMS治疗可明显改善N400、P300和MMN。
|
关 键 词: | 重复经颅磁刺激 精神分裂症 认知功能 事件相关电位 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|