| Nb2O5掺杂对SrTiO3陶瓷显微结构和微波介电损耗的影响 |
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| 引用本文： | 韩蕊,李蔚,汪霖,严嵩.Nb2O5掺杂对SrTiO3陶瓷显微结构和微波介电损耗的影响[J].医学教育探索,2017,43(6):800-805. |
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| 作者姓名： | 韩蕊 李蔚 汪霖 严嵩 |
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| 作者单位： | 华东理工大学材料科学与工程学院, 上海 200237,华东理工大学材料科学与工程学院, 上海 200237,昆山特乃博先进材料技术有限公司, 江苏昆山 215321,华东理工大学材料科学与工程学院, 上海 200237 |
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| 摘 要： | 采用无压烧结工艺制备了Nb2O5掺杂SrTiO3陶瓷，研究了Nb2O5掺杂量对SrTiO3陶瓷相组成、显微结构和微波介电损耗的影响。结果表明：Nb2O5掺杂对SrTiO3陶瓷的相结构没有产生明显的影响，但会在一定程度上阻碍样品的致密化，同时促进晶粒的生长。随着Nb2O5掺杂量的增加，SrTiO3陶瓷的介电常数从296逐渐下降至230左右，温度系数从1.714×10-3℃-1逐渐下降至1.629×10-3℃-1，Q×f值则先急剧升高，之后又慢慢下降。当Nb2O5掺杂量为0.15%（质量分数，下同）时，SrTiO3陶瓷样品的介电损耗最低，Q×f可达6 281 GHz，大约是纯SrTiO3（1 145 GHz）陶瓷样品的5.5倍（此时介电常数约为270，温度系数约为1.684×10-3℃-1）。此外，对材料显微结构、介电常数、温度系数特别是介电损耗变化的原因进行了分析。
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| 关 键 词： | 钛酸锶 Nb2O5掺杂 显微结构 微波介电损耗 |
| 收稿时间： | 2017/2/21 0:00:00 |
Effect of Nb2O5 Doping on Microstructures and Microwave Dielectric Loss of SrTiO3 Ceramics |
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| HAN Rui,LI Wei,WANG Lin and YAN Song.Effect of Nb2O5 Doping on Microstructures and Microwave Dielectric Loss of SrTiO3 Ceramics[J].Researches in Medical Education,2017,43(6):800-805. |
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| Authors: | HAN Rui LI Wei WANG Lin and YAN Song |
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| Institution: | School of Materials Science and Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai 200237, China,School of Materials Science and Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai 200237, China,Kunshan TNiB Advanced Materials Co. Ltd, Kunshan 215321, Jiangsu, China and School of Materials Science and Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai 200237, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SrTiO3 Nb2O5 doping microstructures microwave dielectric loss |
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