| 纳米二氧化硅对淋巴管内皮细胞增殖、迁移及管状结构形成的影响 |
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| 引用本文： | 修林青,云璐,潘李,张华.纳米二氧化硅对淋巴管内皮细胞增殖、迁移及管状结构形成的影响[J].中国工业医学杂志,2018,31(6):415-418. |
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| 作者姓名： | 修林青 云璐 潘李 张华 |
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| 作者单位： | (1. 青岛大学, 山东 青岛 266071; 2. 青岛市中心医院药学部, 山东 青岛 266042; 3. 青岛市中心医院职业病科) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目(编号：81773373) |
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| 摘 要： | 目的探究纳米二氧化硅(SiNPs)对淋巴管内皮细胞(HLECs)增殖、迁移及管状结构形成能力的影响及其作用机制。方法采用CCK-8法检测HLECs增殖能力,Transwell迁移小室法和基质胶法检测HLECs迁移和管状结构形成能力,并用ELISA实验检测细胞培养液中血管内皮生长因子-C (VEGF-C)和血管内皮生长因子受体-3 (VEGFR-3)的表达情况。结果在10～40μg/ml浓度范围内,随着SiNPs浓度的增加和作用时间的延长,HLECs的增殖能力受到抑制,细胞培养液中VEGF-C的表达量逐渐降低,与对照组相比差异有统计学意义(P0.05)。不同浓度SiNPs作用后,各组HLECs的迁移能力和管状结构形成能力均增强,细胞培养液中VEGFR-3的表达量逐渐升高,与对照组相比差异有统计学意义(P0.05)。结论 SiNPs可能通过抑制VEGF-C的表达抑制HLECs的增殖,增强VEGFR-3的表达而促进其迁移和管状结构生成。
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| 关 键 词： | 纳米二氧化硅 淋巴管增生 血管内皮生长因子?C (VEGF?C) 血管内皮生长因子受体?3 (VEGFR?3) |
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