氧化损伤诱导的人晶状体上皮细胞系基因表达谱的差异和表型改变

目的：探讨人晶状体上皮细胞( hulan lens epithelial cells, HLEC)氧化刺激后基因表达谱的差异以及相应的表型改变。
　　方法：培养人晶状体上皮细胞系HLE-B3并给予H2 O2刺激。24 h后,提取细胞总RNA进行基因表达谱芯片检测,并采用生物信息学数据库DAVID对氧化刺激组相比对照组显著上调的基因进行Gene Ontology ( GO )功能富集分析。 RT-qPCR对上调的基因进行验证。通过MTT和流式细胞仪检测细胞凋亡水平。
　　结果：表达谱芯片结果显示,氧化刺激造成HLEC中367个基因上调,GO分析表明这些基因富集于310个功能类别中,主要包括p53信号通路、细胞凋亡通路、细胞程序性死亡通路等。 RT-qPCR结果证实,6个主要参与促凋亡或抗凋亡调节的基因,包括 BCL2 A1、TP53 I3、FAS、ZMAT3、DDB2和BCL2 L1,在氧化刺激后表达水平明显上升。 MTT实验和流式细胞仪检测结果显示,H2 O2刺激后HLEC凋亡逐渐上升,是细胞氧化损伤的主要表现。
　　结论：氧化刺激可同时诱导HLEC中促凋亡基因和抗凋亡基因表达水平上调,但最终仍然导致了细胞凋亡。