| 电针对局灶性脑缺血/再灌注大鼠大脑皮质胶质瘢痕形成的影响 |
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| 作者姓名： | 胥虹贝 罗勇 |
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| 作者单位： | 贵州医科大学附属医院神经内科,贵阳 550004;重庆医科大学附属第一医院神经内科,重庆 400016;重庆医科大学附属第一医院神经内科,重庆 400016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学青年基金(82001270);;贵州省科技计划基础研究项目(黔科合基础-ZK[2021]一般413);;国家自然科学地区基金(82160242); |
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| 摘 要： | 目的 观察电针对局灶性脑缺血/再灌注(I/R)大鼠大脑皮质胶质瘢痕形成的影响。方法 采用线栓法构建局灶性脑缺血/再灌注模型,选取“百会”穴(GV 20)及左侧“四关”穴(合谷LI 4/太冲LR 3)为电针穴位。78只雄性SD大鼠随机分为假手术组(sham)、局灶性脑缺血/再灌注(I/R)组、局灶性脑缺血/再灌注+电针(I/R+EA)组。再灌注后7 d,采用改良神经功能缺损评分(mNSS)评估神经功能缺损情况,HE染色观察缺血侧大脑皮质损伤情况,免疫荧光标记缺血侧大脑皮质胶质纤维酸性蛋白(GFAP)+/神经蛋白聚糖(neurocan)+、GFAP+/磷酸肌酸蛋白聚糖(phosphacan)+细胞,分析各组GFAP、neurocan及phosphacan平均免疫荧光强度。采用Real-time PCR分析各组缺血侧大脑皮质GFAP、neurocan及phosphacan mRNA含量。结果 与I/R组相比,I/R+EA组大鼠mNSS评分明显降低(P<0.01),脑组织损伤程度明显减轻。Sham组G...
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| 关 键 词： | 局灶性脑缺血/再灌注 胶质瘢痕 电针 实时定量聚合酶链反应 大鼠 |
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