脑结构位移对脑深部电刺激电极移位的影响

目的 探讨脑结构位移对脑深部电刺激(DBS)电极移位的影响及其相关因素。方法 回顾性分析2018年10月—2021年6月北京天坛医院收治的268例接受双侧丘脑底核(STN)DBS和31例接受双侧苍白球内侧部(GPi)DBS的患者。电极定位基于术前磁共振成像(MRI)、术后即刻和长期随访的计算机断层扫描(CT)。进一步，研究者还测量了单侧气颅体积百分比(uPVP)和脑体积百分比，探究其是否会影响电极移位。结果 采用医学图像配准软件(ANTs)和脑结构位移校正可以精确配准。在STN-DBS中，使脑结构位移影响最小化后，电极术后即刻的位置向内(0.29±0.47)mm,向后(0.63±0.55)mm。在GPi-DBS中，得到了不同的结果，向内(0.21±0.66)mm,向后(0.96±0.53)mm,向腹(0.17±0.67)mm。并且uPVP与电极移位显著相关。结论 术后即刻电极位置向内，向后，向腹侧移位，并且与uPVP有关。