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应用事件相关电位P300评估精神分裂症患者智能状态
引用本文:董瑞兰,孙富根,穆俊林.应用事件相关电位P300评估精神分裂症患者智能状态[J].中国临床康复,2004,8(15):2820-2821.
作者姓名:董瑞兰  孙富根  穆俊林
作者单位:新乡医学院第二附属医院精神科,河南省新乡市453002
摘    要:目的:探讨精神分裂症患者P300电位与智商的变化,判定P300电位在评价此类患者智力方面的作用。方法:对40例精神分裂症患者和38例健康者分别进行了P300电位测定和韦氏成人智力量表(WAIS-RE)评定。结果:精神分裂症患者的P300电位波潜伏期(ms)延长(354.7&;#177;28.9),波幅(μV)降低(2.2&;#177;1.6),与对照组相比差异有显著性意义(t=2.58,P&;lt;0.01),WAIS-RC量表测验发现言语智商、操作智商及总智商均低于对照组,有显著性差异(t=2.65,2.72,3.10,P&;lt;0.01)。相关分析显示P300波潜伏期与各智商呈显著负相关(r=-0.28~-0.33,P&;lt;0.05),波幅与言语智商及总智商呈显著正相关(r=O.29~O.32,P&;lt;0.05)。结论:P300电位在评价精神分裂症患者智能方面具有重要意义,可作为一项客观的电生理学指标应用于临床。

关 键 词:事件相关电位P300  精神分裂症  韦氏成人智力量表  智商
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