| 迷走神经刺激时无癫痫发作的预测因素 |
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| 引用本文： | Janszky J.,Hoppe M.,Behne F.,A. Ebner,胡慧敏.迷走神经刺激时无癫痫发作的预测因素[J].世界核心医学期刊文摘,2005(7). |
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| 作者姓名： | Janszky J. Hoppe M. Behne F. A. Ebner 胡慧敏 |
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| 作者单位： | Epilepsie-Zentrum Bethel Mara Krankenhaus Maraweg 21，Bielefeld 33617 Germany Dr. |
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| 摘 要： | 目的:明确迷走神经刺激(VN S)治疗后无癫痫发作预后的预测因素。方法:在一个医疗中心植入V N S并至少随访1年的47例患者纳入本研究。所有患者都进行完整的术前评估,这些评估包括详细的临床病史、M R I和发作期与发作间期的长期视频EEG记录。植入V NS后,在内科医师的指导下调整刺激参数和相应的抗癫痫药物。结果:患者的年龄为22.7±11.6岁(极差7～53岁)。其中6例(13)患者在植入V NS后无癫痫发作。只有两个变量与无癫痫发作的预后相关:双侧发作间期癫痫样放电(IED)的缺乏和皮质发育畸形(M CD)的存在。癫痫持续时间呈现与预后不显著…
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