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| 半导体激光治疗根管充填后疼痛的临床对照观察 | |
| 作者姓名： | 常青 李学祥 |
| 作者单位： | 上海复旦大学附属华山医院口腔科 上海市200040(常青)，上海复旦大学附属华山医院口腔科 上海市200040(李学祥) |
| 摘 要： | 目的:探讨用GaAlAs半导体激光对根管充填后疼痛进行局部照射后的镇痛效应。方法:选择门诊根管治疗术后1周内发生疼痛患者60例,受试牙60颗。采用随机数字表,按单盲原则,将60颗牙随机分为实验组和对照组,每组各30颗。实验组用半导体激光在患牙根尖部进行局部照射,输出功率为200mW,每次照射2min,每天1次,3次为一疗程。对照组采用空白对照,仅将激光照射头置于患牙根尖部,但无激光输出。结果:实验组30颗牙经一疗程治疗后疼痛消失者29颗,有效率为96.7%,对照组30颗牙经一疗程治疗疼痛消失者8颗,有效率为26.7%,两组差异有显著意义(P<0.01)。结论:… |
| 关 键 词： | 半导体激光 根管充填 疼痛 根管治疗 物理疗法 |
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