事件相关电位对短暂性脑缺血发作患者认知功能的评估 |
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作者姓名: | 董艳娟 王荫华 |
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作者单位: | 北京大学医学部第一附属医院神经内科,北京市100034 |
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摘 要: | 目的:对短暂性脑缺血发作患者的事件相关电位进行研究,以发现短暂性脑缺血发作是否对患者的认知功能有影响。方法:2002—12/2003—12解放军北京军区总医院干部病房收治短暂性脑缺血发作患者28例,年龄42~81岁;年龄、性别及受教育程度匹配的对照组28例。应用经典的Oddball刺激模式,对所有受试者进行P300的测试。结果:病例组P300的潜伏期较对照组延长[Fz:(363.6&;#177;39.2)ms,Cz:(355.0&;#177;41.5)ms,Pz:(357.0&;#177;42.0)ms,P&;lt;0.01],波幅降低]Fz:(3.0&;#177;1.7)μV,Cz:(2.8&;#177;1.6)μV,Pz:(3.3&;#177;1.5)μV,P&;lt;0.05]。结论:短暂性脑缺血发作对患者的认知功能是有一定影响的。
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关 键 词: | 脑缺血发作,短暂性 事件相关电位,P300 认知 |
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