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| 电压门控钠离子通道与药物抗性癫痫 | |
| 引用本文： | 陈子怡,周列民.电压门控钠离子通道与药物抗性癫痫[J].中国神经精神疾病杂志,2008,34(7):446-447. |
| 作者姓名： | 陈子怡 周列民 |
| 作者单位： | 陈子怡 (中山大学附属第一医院神经科,广州,510080)； 周列民 (中山大学附属第一医院神经科,广州,510080)； |
| 摘 要： | 癫痫患者中约三分之一无法以现有抗癫痫药物(anti-epilep-tic drugs,AEDs)有效控制发作,称为药物抗性癫痫(drug-resist-ance epilepsy,DRE).药物抗性癫痫的主要形成机制之一是AEDs的作用靶点发生结构或功能改变,AEDs无法结合预定靶点抑制神经元过度放电,无法控制癫痫发作.电压门控性钠离子通道(voltage-gated sodium channel,VGSC)主要在可兴奋性细胞中表达,其结构和功能异常可引起神经元的膜兴奋性改变,参与癫痫的发病机制. |
| 关 键 词： | 电压门控钠离子通道 药物抗性癫痫 |
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