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1.
采用行为测试和亚微结构定量分析相结合的方法,研究了Mg^2+对小鼠分辨学习和记忆巩固的影响,同时测定了海马CA3区及大脑皮层突触界面结构的变化,实验结果表明,慢性给予Mg^2+后,血浆及海马内Mg^2+含量有一定的程度的升高,小鼠分辨学习能力显著下降,记忆巩固受到破坏,并且海马CA3区及大脑皮层的突触后致密物质(post-synapticdensity,PSD)显著变薄,同时,皮层突触活性区长度亦  相似文献   
2.
目的:制成自身免疫性梅尼埃病动物模型,并探讨免疫抑制剂环磷酰胺和强的松对其防治效果。方法:采用同种粗制内耳抗原(crudeinnerearantigen,CIEAg)在已致敏的豚鼠内淋巴囊(endolymphaticsac,ES)局部免疫,并在免疫同时或免疫后使用环磷酰胺或强的松作试验性预防和治疗,观察其疗效。结果:ES局部免疫后的动物出现了针对CIEAg的特异性免疫反应,并造成了与梅尼埃病极其相似的膜迷路水肿等内耳病理改变,以及明显的听觉和前庭功能障碍;而使用免疫抑制剂的各试验组动物的特异性免疫反应受到不同程度的抑制,内耳组织损伤与功能障碍明显减轻。结论:ES局部免疫是一种有效的造成梅尼埃病的方法,部分梅尼埃病患者的发病机制可能与自身免疫因素有关,免疫抑制剂环磷酰胺和强的松对其有良好的防治效果。  相似文献   
3.
脱甘氨酰胺精氨酸加压素引起小鼠脑内突触结构...   总被引:7,自引:0,他引:7  
罗兰  陆汉新 《解剖学报》1991,22(1):93-97
  相似文献   
4.
采用行为测试和亚微结构定量分析相结合的方法,研究了Mg2+对小鼠分辨学习和记忆巩固的影响,同时测定了海马CA3区及大脑皮层突触界面结构参数的变化。实验结果表明:慢性给予Mg2+后,血浆及海马内Mg2+含量有一定程度的升高,小鼠分辨学习能力显著下降,记忆巩固受到破坏,并且海马CA3区及大脑皮层的突触后致密物质(post—synapticdensity,PSD)显著变薄,同时,皮层突触活性区长度亦显著缩短。以上结果提示,脑内Mg2+水平过高造成的学习记忆过程损伤可能与其改变PSD厚度和突触活性区长度密切相关。  相似文献   
5.
本实验对脱甘氨酰胺精氨酸加压素(DGAVP)引起的小鼠脑内Gray Ⅰ型突触界面某些结构的变化进行了定量观察。腹腔注射DGAVP(2μg/0.2ml/只),2小时后处死动物并取脑,按常规方法进行超微结构观察。在放大的透射电镜照片上用微机图像处理系统进行定量分析。结果表明:1.在DGAVP组海马CA_3区与皮层感觉运动区,突触后膜致密物质厚度都显著地大于对照组(P<0.01);2.DGAVP组海马CA_3区的突触间隙宽度比对照组显著下降(P<0.01),突触界面曲率亦显著减小(P<0.05),而皮层感觉运动区的这两个参数无变化;3.两个脑区的突触活性区长度均无显著性变化(P>0.05)。实验结果提示,DGAVP的中枢效应可能与脑内兴奋型突触界面结构的可塑性有关。  相似文献   
6.
目的:制成自身免疫性梅尼埃病动物模型,并探讨免疫抑制剂环磷酰胺和强的松对其防治效果。方法:采用同种粗制内耳抗原(CIEAg)在已致敏的豚鼠内淋巴囊(ES)局部免疫,并在免疫同时或免疫后使用环磷酰胺或强的松作试验性预防和治疗,观察其疗效。结果:ES局部免疫后的动物出现了针对CIEAg的特异性免疫反应,并造成了与梅尼埃病极其相似的膜迷路水肿等内耳病理改变,以及明显的听觉和前庭功能障碍;而使用免疫抑制剂  相似文献   
7.
海马内钙离子水平对小鼠记忆巩固的影响   总被引:20,自引:0,他引:20  
采用一次性被动回避反应模型,观察了海马(双侧)定位注射CaCl2(2.9μg·只-1)和EGTA(1ng·只-1)对记忆巩固过程的影响。电击(0.3mA,5s)后立即注射上述化合物,24h后检测,并运用Ca2+指示剂Fura-2作为细胞内钙离子的荧光探针,采用精密的AR-CM-MIC阳离子测定系统,检测了分离的单个神经细胞内游离钙及其变化。结果表明,与生理盐水对照组相比,海马内注射CaCl2或EGTA都使小鼠的步入潜伏期缩短,说明记忆保持下降。以3H-亮氨酸为标记物进行的高体实验表明:CaCl2或EGTA都使3H-亮氨酸参入海马突触体蛋白质的总量降低,但从SDS-聚丙烯酰胺凝胶电泳条带来看,受这两种化合物影响的突触体蛋白质分子量范围不完全一致。提示海马内游离Ca2+水平过高或过低都能损害记忆巩固过程,其作用机理与Ca2+影响突触体蛋白质合成有关。  相似文献   
8.
小鼠记忆保持能力与海马CA3区突触界面结构的相关性   总被引:16,自引:0,他引:16  
本实验对记忆保持(retention)良好组和低劣组小鼠海马CA3区GrayI型突触界面结构进行了定量观察分析,结果表明,记忆保持良好海马CA3区突触后膜致密物质(post-synapticdensity,PSD)极显著地密于记忆保持低劣组(P〈0.01),同时,记忆良好的出现了穿孔性突触(perforatedsynapse)而记忆低劣组没有出现,此外,还测量了突触界面曲率,突触活性区长度和突触间  相似文献   
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