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1.
铁基体中渗硅是生成高硅钢材料的主要方法,但现有的硅扩散过程分析往往只考虑整体的扩散效果,忽略了微观晶粒间与晶粒内的扩散差异。为了研究晶界对于扩散的影响,本文基于Voronoi图建立三维微观模型模拟了晶粒间与晶粒内的硅扩散行为。通过化学气相沉积实验、扫描电镜以及能谱元素分析测量计算得到材料微观结构参数和晶粒内的体扩散系数Dg。通过实验得到晶界宽度、晶粒尺寸等材料微观结构,在此基础上用有限元计算获得微观体积元中晶界的扩散系数Dgb。实验与模拟结果均表明硅在铁晶粒与晶界内的扩散存在明显差异,晶界扩散速率为3.3×10-3 mm2/s,大致是体扩散速率的103~104倍,通过晶界扩散入基体的硅通量达到总通量的近三分之一,因此增大晶界体积分数对提高CVD渗硅效率和渗硅量有着重要作用。  相似文献   
2.
提出了一种用于化学气相沉积法制备6.5%硅钢(wSi=6.5%)的缝式喷嘴结构。利用数值仿真方法模拟了不同结构参数下喷嘴出口处SiCl4气体速度分布情况。基于试验设计方法分析了结构参数对喷嘴出口处速度场分布的影响,以及各影响因素的重要程度。通过软件进行优化分析得到了最优的结构参数。通过实验对仿真结果进行了验证。  相似文献   
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