水沟配合阳经腧穴影响血管性痴呆患者脑葡萄糖代谢的观察

目的:正电子发射型计算机断层显像(PET)技术,研究针刺水沟穴对血管性痴呆(VD)患者不同脑区葡萄糖代谢的影响,从该穴对脑功能成像的变化,分析其作用方向和特点。方法:5例VD病人,在针刺偏瘫的常规穴位(手足三阳经为主)基础上,加用水沟穴进行治疗。每周5次,共治4周。治疗前后,所有病人均接受PET检测。框取VD患者双侧额叶(眶回)、双侧顶叶、双侧颞叶(海马及海马旁回)、双侧枕叶、双侧丘脑、双侧扣带回、双侧尾状核、双侧豆状核和双侧小脑为感兴趣区。分析各区葡萄糖代谢水平,并进行治疗前后的比较。结果:治疗后,健脑额叶、健脑颞叶、患脑豆状核的代谢升高,具有统计学意义。结论:初步表明水沟穴治疗VD的方向性特点,与其改善额叶、豆状核、颞叶的葡萄糖代谢有关。     

针刺百会水沟神门影响血管性痴呆患者18FDG PET脑功能成像10例临床分析

目的 运用正电子发射型计算机断层显像（PET）技术,以^18FDG为显影剂,观察针刺百会、水沟、神门对血管性痴呆（VD）患者不同脑区葡萄糖代谢的影响。方法 将10例VD病人随机均分为2组。对照组治以针对偏瘫的常规穴位（手足三阳经为主）,治疗组加用百会、水沟、神门。治疗前后,所有病人均接受PET检测,框取感兴趣脑区（ROI）,将各脑区所得葡萄糖代谢放射性计数采用半定量方式进行治疗前后比较。结果 加刺百会、神门、水沟三穴,能显著升高双侧额叶、双侧丘脑、健脑颞叶、健脑豆状核的葡萄糖代谢。结 论初步发现百会、水沟、神门治疗VD的机制与其提高脑葡萄糖代谢有关。