脑皮质微血管梗塞模型中的迟发性神经元死亡

目的 :探讨脑皮质微血管梗塞后迟发性神经元死亡的发生机制。方法 :应用光化学反应原理 ,静脉注射光敏染科孟加拉红 ,绿色激光透过颅骨对大鼠脑皮质感觉运动区作定向照射 ,形成脑皮质微血管梗塞模型 ,进行神经功能评分、TTC和HE染色光镜观察、透射电镜观察和原位末端标记。结果 :脑皮质微血管梗塞后 48h ,神经功能缺损发展至高峰 ,神经元和内皮细胞损伤最为严重 ,梗塞灶中心神经元以坏死为主 ,半暗带区凋亡细胞数目显著增加。结论 :光化学法诱导大鼠脑皮质微血管梗塞模型中皮质神经元迟发性死亡呈一定的时间和空间分布特征 ,缺血半暗带神经元凋亡与这种延迟损伤有关     

增强磁共振成像评价脑缺血再灌注后大鼠血脑屏障的通透性

目的：通过增强磁共振成像（MRI）来研究脑缺血再灌注后大鼠血脑屏障（BBB）通透性的改变。方法：采用线栓法制备大鼠局灶性脑缺血再灌注模型。用1．5T超导型MR机进行大鼠脑冠状位扫描，随后经股静脉注入Gd-DTPA,迅速行同层间歇扫描。结果：脑缺血4h，再灌注50min时，缺血侧纹状体增强率与对侧相比差别具有非常显性意义（P＜0．01）。再灌注70min时，缺血铡大脑皮层增强率较对侧增高（P＜0．05）。缺血侧侧脑室在再灌注10min时可见明显强化。结论：纹状体区BBB比大脑皮层更易受到再灌注损伤。血脑脊液屏障较早受到破坏。增强MRI是一种敏感的在活体条件下检测BBB损伤的理想方法。