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1.
介绍了一种改进旋涂法——DDS涂膜法(Deposit-Dip-Spin-coating),主要用来制备纳米粉体原子力显微镜(AFM)分析样品。DDS法在保证有足够多的纳米颗粒吸附在云母表面的同时,还增大了溶剂的挥发速度,颗粒的运动局限在一个很小的区域,减小了干燥过程中的团聚,纳米颗粒得到很好的分散。采用DDS法制备PbZr0.90Ti0.10O3-Fe0.003(PZT-Fe)纳米粉体样品,得到了清晰的AFM图像。结合扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)分析,对样品均匀性、可调因素和测量准确性进行了探索,表明DDS法制备的样品质量好,AFM图像直观、真实地反映了纳米晶体的粒径分布情况。  相似文献
2.
讨论了反de Sitter时空中的非拓扑孤立子,利用渐近级数展开法,证明了在该时空中,只有势函数满足一定条件的非拓扑孤立子才能存在。  相似文献
3.
对于带变压器拓扑结构的开关电源来说,变压器的电磁兼容性(EMC)设计对整个开关电源的EMC水平影响较大。本文以一款反激式开关电源为例,阐述了其传导共模干扰的产生、传播机理。根据噪声活跃节点平衡的思想,提出了一种新的变压器EMC设计方法。通过实验验证,与传统的设计方法相比,该方法对传导电磁干扰(EMI)的抑制能力更强,且能降低变压器的制作成本和工艺复杂程度。本方法同样适用于其他形式的带变压器拓扑结构的开关电源。  相似文献
4.
以无水A lC l3为催化剂合成了聚苯乙炔(PPA)、用浓H2SO4进行磺化改性,并通过共混制得了PPA/碳纳米管(CNT)及磺化PPA/CNT复合材料;研究了复合材料的导电性及电导率与CNT含量的关系。结果表明:磺化PPA/CNT导电阈值比PPA/CNT的降低了1%,前者达到极限电导率所需CNT的量是后者的10%;X-射线衍射(XRD)测试表明,在CNT界面上的磺化PPA有新的晶型产生。  相似文献
5.
用回流蒸馏溶胶凝胶法(RDSG)制备了掺杂铁PbZr0.90T i0.10O3纳米粉体,粉体平均粒径约30 nm.原子力显微镜(AFM)分析表明溶胶、凝胶中各组分得到了充分而均匀的分散。对凝胶反应机理的研究表明:回流蒸馏过程加速了聚合物活性单体的生成速度和聚合速度,通过缓慢提高活性单体浓度的方法,克服了固相颗粒溶解度随温度升高而增大的不利因素,促进了凝胶化进程,使得凝胶化时间缩短在30 m in之内。RDSG中凝胶干燥采用蒸馏法,大部分溶剂被回收,缩短了合成周期,减小了环境污染。  相似文献
6.
研究了三苯基二胺(TPD)在电致发光中的传输与发光性质。观察到真空积淀的TDP薄膜光谱的达维道夫(Davydov)劈裂,用原子力显微镜(AFM)比较了退火前后TPD薄膜的表面形貌,测定了退火后TPD单层EL器件所发射的光谱,分析了在双层EL器件中TPD的电荷传输作用,从而证明了双层界面上电子空穴的复合得到增强。  相似文献
7.
在de Sitter时空中研究了带有自相互作用势的非拓扑孤立子,推导了描述非拓扑孤立子的场方程,在非拓扑孤立子的边界条件下,通过讨论方程的级数解,证明这些非拓扑孤立子在de Sitter时空中不能存在。  相似文献
8.
研究了HT-7托卡马克装置欧姆放电情况下电子热扩散系数χe的空间分布以及它与等离子体参数如等离子体中心弦平均密度、等离子体电流的关系。χe沿等离子体小半径的分布是逐渐增大,中心最低χe在等离体1/2小半径处的数值随等离子体的中心弦平均密度增大而降低,随等离子体电流的增大而增大。且硼化后的值比硅化后的值稍小一些。χe比INTOR定标小很多,但与欧姆放电情况下的Merezhkin定标以及Coppi-Mazzucato定标数值差不多。  相似文献
9.
采用气体放电活化反应蒸发技术(GDARE),以玻璃为衬底,在较低的温度下沉积纳米ZnO薄膜,用二次蒸镀法克服薄膜生长饱和问题、有效增加膜厚及改善薄膜质量。讨论了GDARE法低温下沉积纳米ZnO薄膜的生长过程及成膜机理。由原子力显微镜(AFM)和X-射线衍射谱(XRD)分析薄膜表面形貌和晶体结构,研究结果表明,二次蒸镀法沉积的双层纳米ZnO薄膜具有更好的结晶质量及长期稳定性,薄膜沿C轴高度取向生长,内应力较小,晶粒尺寸均匀,平均粒径约35nm,表面粗糙度降低。  相似文献
10.
通过自洽迭代求解Hartree方程得到各组态下的轨道波函数。以此构造组态波函数为基矢,对氦Rydberg态1snd组态的^1D—^3D谱项分裂值进行了多体微扰计算,计算结果与实验结果符合得较好。对于由同科电子构成的组态,由于没有相应的^3D谱项,所以由此计算得到的二级以上单态、三重态的能级修正值是不对称的。  相似文献
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