基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计

通过对三值静态随机存储器（Static Random Access Memory,SRAM）单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管（Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET）的研究,提出了基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计方案。首先利用CNFET阈值可调特性和开关信号理论设计三值缓冲器,采用反馈控制连接技术实现三值SRAM存储;然后结合三值SRAM单元和三值逻辑原理设计三值内容寻址存储器单元;最后实验验证,所设计的三值内容寻址存储器单元具有正确的逻辑功能,且与三态内容寻址存储器单元相比功耗延时积（Power-Delay Product,PDP）降低约83%。     

基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计

通过对碳纳米场效应晶体管（Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET）和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器;其次结合输入输出信号分离方法,提高放大差分信号速度;然后利用使能信号控制电路状态,降低三值灵敏放大器功耗。采用32 nm CNFET标准模型库进行HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确;芯片成品率高达96.48%,具有较强的稳定性,且与利用CMOS设计的二值灵敏放大器相比工作速度提高64%,功耗降低83.4%。