半导体激光及鼻超声雾化治疗分泌性中耳炎的疗效观察

目的 探讨半导体激光及超声雾化治疗分泌性中耳炎的疗效。方法 将62例临床确诊的分泌性中耳炎患者随机分成联合组（30例）及对照组（32例）。联合组常规治疗同时进行半导体激光及超声雾化治疗，对照组仅采用常规治疗。6天为一疗程。结果 联合组与对照组的有效率分别为97．4％和81．6％，两组治疗前后纯音听阈测试检查结果比较，其差异有显著性意义（P〈0．05）。结论 半导体激光及超声雾化治疗分泌性中耳炎起效快，疗效好，疗程短，无痛苦，有一定临床应用和推广价值。     

半导体激光治疗中重度牙周炎临床观察

目的：评价半导体激光联合牙周刮治术对中重度牙周炎的治疗效果观察。方法门诊随机选取40例中、重度慢性牙周炎患者,将其随机分为器械组和激光组,器械组单纯牙周基础治疗,激光组牙周基础治疗后联合用半导体激光。分别在治疗前、治疗4周后和12周后记录出血指数、牙周袋深度、附着丧失。结果激光组和器械组治疗4周和12周后与治疗前相比龈沟出血指数、牙周袋深度、附着丧失明显降低。激光组牙龈敏感度和治疗时间明显低于器械组。结论牙周基础治疗联合半导体激光可明显改善出血指数、牙周袋深度、附着丧失水平,对慢性牙周炎有较好的治疗效果。     

输卵管结扎术抽芯近端包埋法与普氏改良法的临床效果对比观察

目的：比较输卵管结扎术抽芯近端包埋法与普氏改良法的临床效果差异。方法选取本站收治的146例需行输卵管结扎术的育龄妇女,随机分为对照组和观察组各73例,对照组患者行抽芯近端包埋输卵管结扎术,观察组患者行普氏改良输卵管结扎术。比较两组患者手术时间、术后感染率、并发症发生率、术后妊娠和异位妊娠发生率的差异。结果两组患者术中及术后情况比较：观察组手术时间为（11.72±2.62）min,短于对照组的（16.29±2.75）min,差异有统计学意义（P＜0.05）;观察组并发症发生率1.4%显著低于对照组11.0%（P＜0.05）;观察组患者术后感染率1.4%与对照组2.7%比较差异无统计学意义（P＞0.05）;观察组术后妊娠和异位妊娠发生率分别为16.4%和9.6%,均显著高于对照组的1.4%和0,差异具有统计学意义（P＜0.05）。结论输卵管结扎术是一种安全和有效的节育手术,与抽芯近端包埋法相比,普氏改良法可减少手术时间,降低并发症发生率,但具有较高的术后妊娠和异位妊娠发生率,需引起临床重视。     

超声药导和半导体激光联合常规保守治疗腰椎间盘突出症临床疗效

目的：探讨超声药导和半导体激光联合常规保守治疗腰椎间盘突出症临床疗效。方法：选择2011年7月-2013年9月本科收治腰椎间盘突出症患者97例,依据入院先后顺序分组试验组（49例）和对照组（48例）,试验组常规卧床予消肿止痛药物治疗联合牵引,加用超声药导和半导体激光物理治疗。对照组常规卧床予消肿止痛药物治疗联合牵引。以VAS评分评价腰椎间盘突出症的疼痛缓解程度。结果：试验组治疗后各时间点VAS评分均低于对照组（P〈0.05）。结论：早期腰椎间盘突出症患者应用超声药导加半导体激光可明显缓解疼痛症状,治疗安全有效。     

半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露

目的　探讨低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效。方法　采用JAM Ⅱ型多功能半导体激光治疗仪对 2 2例不同程度的义眼座暴露患者进行激光照射治疗 ,并将结果与既往采用药物及手术治疗的 2 0例义眼座暴露患者对照比较。结果　激光组 2 2例全部愈合(10 0 % ) ;药物及手术组中轻、中、重度的愈合率分别为 83 3%、6 3 6 %和 0。经采用卡方检验之四格表精确检验法处理 ,两组间轻度患者的愈合率差异无显著性意义 (P =0 5 4 5 ) ,而两组间中度和重度患者的愈合率差异有显著性意义 (P =0 0 19,0 0 18)。结论　低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效优于药物及手术方法。也可用于预防义眼座暴露。     

Toxicity of indium arsenide, gallium arsenide, and aluminium gallium arsenide

Gallium arsenide (GaAs), indium arsenide (InAs), and aluminium gallium arsenide (AlGaAs) are semiconductor applications. Although the increased use of these materials has raised concerns about occupational exposure to them, there is little information regarding the adverse health effects to workers arising from exposure to these particles. However, available data indicate these semiconductor materials can be toxic in animals. Although acute and chronic toxicity of the lung, reproductive organs, and kidney are associated with exposure to these semiconductor materials, in particular, chronic toxicity should pay much attention owing to low solubility of these materials. Between InAs, GaAs, and AlGaAs, InAs was the most toxic material to the lung followed by GaAs and AlGaAs when given intratracheally. This was probably due to difference in the toxicity of the counter-element of arsenic in semiconductor materials, such as indium, gallium, or aluminium, and not arsenic itself. It appeared that indium, gallium, or aluminium was toxic when released from the particles, though the physical character of the particles also contributes to toxic effect. Although there is no evidence of the carcinogenicity of InAs or AlGaAs, GaAs and InP, which are semiconductor materials, showed the clear evidence of carcinogenic potential. It is necessary to pay much greater attention to the human exposure of semiconductor materials.     

半导体激光经巩膜睫状体光凝治疗难治性青光眼的应用和护理

目的探讨半导体激光经巩膜睫状体光凝治疗难治性青光眼的作用及有效的护理。方法对32例难治性青光眼进行半导体激光睫状体光凝治疗,能量1.5～2.0W,时间0.5～1s,范围180°～360°,点数12～28点,给予术前、术后的生理、心理及眼部相关的临床护理,使患者以最佳的心态配合手术。结果观察6～10个月,治疗前眼压为6.54±1.29kPa,第一次治疗后眼压为2.67±0.84kPa,最后随诊眼压为2.6±0.96kPa,明显低于术前(P<0.01);24例眼压下降≥30%,手术成功率75%,疼痛缓解率90.6%。结论半导体激光经巩膜睫状体光凝是治疗难治性青光眼的一种降低眼压、疗效确切的方法,该方法可缓解疼痛,并发症少,可重复治疗,尤其适用于年龄较大、全身情况较差的病人及绝对期青光眼病人,同时配合相应的护理措施,帮助他们提高生活质量。     

半导体激光治疗小儿褶烂的临床观察

目的河北省儿童医院,石家庄050031观察用药与否对半导体激光治疗小儿褶烂的临床疗效。方法对照组36例,局部外涂及口服消炎药的基础上加半导体激光照射治疗;单纯半导体激光组36例局部照射。结果经过一周的治疗,对照组有效率为100%;单纯激光组有效率为95.73%,两组痊愈显效率比例差异有统计学意义(P0.05)。结论半导体激光治疗小儿褶烂效果好。