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目的 探讨半导体激光机在深龋治疗中的止痛和降低继发龋的作用.方法 选择年龄30～50岁,全身健康状况良好,90位患者的96颗深龋患牙.分成2组,每组48颗患牙.实验组使用半导体激光照射,对照组使用局部麻醉,比较2组的止痛效果;并于治疗后1年、2年、3年后分别复查其继发龋的发生情况,对比两组治疗时的止痛效果以及继发龋的发生率.结果 实验组止痛有效的患牙有35颗、对照组有36颗,2组之间的差异无统计学意义（P＞0.05）;治疗后1年、2年、3年复查,实验组继发龋发生率分别为7.3％、10.3％和16.2％,对照组分别为23.7％、30.6％和37.1％.2组继发龋发生率在统计学上有显著性差异（P＜0.05）.所有复查牙齿均未出现牙髓炎症状.结论 半导体激光仪照射深龋牙后,有止痛效果;并能有效提高牙齿防龋能力,降低继发龋. 相似文献
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