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31.
研究了掺硅时间和掺硅量对铁黄形态及结构的影响规律,制得了分布均匀、无枝叉的超细铁黄,其平均长轴为0.2~0.25μm,轴比>9。发现反应开始时硅酸钠的添加量越大,铁黄粒子越小,分布也越均匀,最终铁黄的结构变化也越大。当反应初期合成体系中硅原子与铁原子的摩尔比大于0.015时,反应过程会生成Fe3O4。铁黄合成后期掺硅对铁黄大小和轴比影响不大,但可以有效防止铁黄粒子凝并。  相似文献   
32.
采用热重和差热(DTA)等热分析手段研究了了Zn(CH3COO)2.2H2O热分解过程。结果表明,Zn(CH3COO)2.2H2O在200℃以下脱去两分子结晶水,形成的Zn(CH3COO)2在242℃熔融,370℃完全分解为ZnO。脱水和分解过程失重分别为17.1%和46.7%,与理论值植符。  相似文献   
33.
利用化学气相淀积(CVD)技术,在700~1000℃下合成了AlN超细粒子,研究了操作参数对粒子特性和AlN薄膜生长规律的影响。AlN超细粒子表面形态和反应温度、AlCl_3浓度等有关,其粒度及分布宽度随反应温度的升高、AlCl_3浓度减小和总流量增加而减小,AlN薄膜生长速率随反应温度的减小和总流量的增加而增大。在AlCl_3和NH_3的CVD反应中出现中间产物Al(NH_2)_3和Al_2(NH)_3,它们促使了粒子的形成和薄膜的生长。  相似文献   
34.
对铁黄生长过程进行理论分析,研究了晶种形态、通气量、搅拌转速、滴碱速率等对铁黄形态的影响,考察了酸法磁粉磁性能。发现在铁黄制备过程中,既存在铁黄生长过程,也可能出现二次成核过程。晶种形态直接影响铁黄形态,通气量和搅拌转速的增加或滴碱速率的减小都会改善体系微观混合状态,使铁黄粒子粒度分布均匀,枝叉和孪晶减少。控制晶种制备和铁黄生长条件,可以便热处理所得磁粉矫顽力大于400Oe,比饱和磁化强度大于72emu/g。  相似文献   
35.
研究了掺硅时间和掺硅量对铁黄形态及结构的影响规律,制得了分布均匀、无枝叉的超细铁黄,其平均长轴为0.2 ̄0.25μm,轴比〉9。发现反应开始时硅酸钠的添加量越大,铁黄粒子越小,分布也越均匀,最终铁黄的结构变化也越大。当反应初期合成体系中硅原子与铁原子的摩尔比大于0.015时,反应过程会生成Fe3O4。铁黄合成后期掺硅对铁黄大小和轴比影响不大,但可以有效防止铁黄粒子凝并。  相似文献   
36.
考虑轴向温度分布和浓度分布,建立了热化学气相淀积反应器中描述粒子粒度及分布的一维反应-凝并模型。研究了AlCl_3-NH_3-N_2体系物系参数和操作参数对AlN超细粒子粒度及分布的影响。温度通过改变反应速率、气体粘度和平均分子自由程等影响AlN粒子的合成,并存在最佳温度分布;随停留时间的增加,AlN粒子粒度增大,几何标准方差GSD减小;反应物浓度升高时,AlN粒子粒度增大,但GSD变化不大。模型化研究结果和实验结果相一致。  相似文献   
37.
利用预混合氢氧焰燃烧合成了形态和结构不同的SnO2/TiO2复合纳米颗粒,颗粒呈多面体结构,形貌介于球形和立方方形之间,复合颗粒由同为四方晶系的SnO2和TiO2组成。在SnO2/TiO2复合颗粒中存在Sn—O—Ti键,没有出现相分离现象。复合颗粒表面的Ti:Sn(mol:mol,下同)比大于复合颗粒内部的Ti:Sn,而且复合颗粒内部Ti:Sn接近理论值。  相似文献   
38.
采用不同表面性质的气相法纳米二氧化硅,利用硅橡胶混炼胶界面结合橡胶来研究高温硫化硅橡胶补强作用的影响因素,并结合扫描电镜分析界面的作用形式。结果表明结合橡胶以纳米二氧化硅的网络结构为骨架,纳米二氧化硅粉体的结构性越高,形成的三维立体网络结构结合橡胶体越好,对硅橡胶制品的补强效果越好。气相法纳米二氧化硅粉体填加质量分数为0.26~0.29时,表面羟基个数在1.1~1.4之间,有效补强体积最大,补强效果也最好。  相似文献   
39.
基于化学气相(CVD)合成超细粒子过程的反应、成核、生长和凝并,考虑CVD反应器中的轴向温度分布,建立了CVD反应器中描述超细粒子粒度及分布的一维过程模型。针对AlCl_3-NH_3-N_2体系化学气相合成AlN超细粒子的过程,研究了AlN粒子形成过程特征和操作参数对其粒度及分布的影响。CVD反应器中的轴向温度分布严重影响AlN粒子合成过程中的化学反应速率、成核速率和生长速率;AlN超细粒子的粒度随AlCl_3浓度的减小和总流量的增加而减小,其粒度分布宽度则随总流量的增加而增大。  相似文献   
40.
基于成核生长动力学经验方程,导出了气固反应过程成核生长动力学方程,应用于针形超微粒a-Fe2O3在氢氮气氛中还原过程。利用TPR技术得到还原过程成核生长动力学方程。针形超微粒a-Fe2O3表面氧还原速率随还原程度的增加而增加,体相氧还原速率随还原程度的增加而减小。以制备磁粉为目的的还原最佳温度为360~400°C。  相似文献   
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