鱼石脂软膏治疗早期压疮1例

早期压疮是指受压后局部组织出现红肿、热、痛、变硬、麻木或有触痛但未破溃的Ⅰ、Ⅱ期压疮。我院2003年10月至2004年7月外科手术后发生早期压疮3例，内科卧床病人发生早期压疮6例，均采用鱼石脂软膏治疗、局部红肿、尤其是变硬的部位明显变软、红肿范围缩小。     

中药配合耳穴贴压治疗乳腺增生病66例

1998～2002年,笔者自拟乳增饮合耳穴贴压治疗乳腺增生病66例疗效满意,现报告如下。1临床资料66例均为女性,年龄20～30岁8例,31～40岁40例,41～50岁18例;病程最短3个月,最长8年,平均4年;双侧乳房肿胀53例,单侧乳房肿胀13例;乳房肿块最小0.5cm×0.8cm,最大5cm×4.1cm。诊断标准参照1987年中华全国中医外科学会制定的诊断标准[1]。①乳房肿块,且多数伴有乳房疼痛等症状,连续3个月不能自行缓解;②排除生理性乳房胀痛,如经前乳房胀痛、青春期乳痛等;③红外线乳房扫描、钼钯片、乳房血流图等检测作辅助诊断,排除乳腺炎症、乳腺纤维瘤等其他疾病。2…     

两种不同方法测定低水平压力支持通气时气道阻断压与自主呼吸时常规方法测定值的相关性分析

目的 拟比较以两种不同方法测定低水平压力支持通气（pressure support ventilation，PSV）病人的气道阻断压（P0．1）与自主呼吸时常规方法测定值的相关性。方法 12例机械通气病人，断开呼吸机自主呼吸时以常规方法测定P0．1得到P0．1-SB：在PSV水平为5cmH20，以常规方法和按压呼气末暂停键测定P0．1分别得到P0．1-PSV5和P0．1-PSV5eeo．分析后二者与前者之间的相关性。结果 P0．1-SB与P0．1-PSV5之间差异无显著性，P0．1-PSV5ee0分别小于P0．1-SB与P0．1-PSV5，差异有显著性；P0．1-PSV5eeo与P0．1-PSV5和P0．1-SB之间的相关系数均为0．97。结论 按压呼气末暂停键测定PSV水平为5cmH2O的P0．1值与常规方法测定的PSV水平为5cmH2O以及自主呼吸时的测定值相比，其值偏小,但前者与后二者之间具有良好的相关性。     

综合疗法治疗乳腺增生62例

我科于2005年6月～2006年12月用乳癖消结合逍遥丸内服、耳穴埋压治疗乳腺增生62例，获得满意疗效，现介绍如下。     

原发性低颅压综合征6例误诊分析

原发性低颅压综合征 (PIH)也称自发性低颅压综合征 ,是指颅压低于 6 .86kPa(51 .45mmHg) ,以起立时剧烈头痛、伴呕吐、颈项强直为表现的一组临床综合征。由于本病相对较少见 ,基层医生尤其是非专科医生对本病认识不足 ,常常造成误诊误治。现将笔者近年来遇到的误诊误治的 6例PIH患者资料分析报道如下。1　临床资料1 1　一般资料　本组 6例均为住院患者 ,其中男 2例 ,女 4例 ;年龄 2 1～ 64岁。有高血压病史者 1例 ,有神经性头痛史者 1例。临床表现 :急性起病 4例 ,亚急性起病 2例 ,病前有呼吸道感染者 2例 ,患急性胃肠炎者 1例。5例有…     

颅压监护下非手术治疗外伤性颅内血肿(附38例临床分析)

颅内血肿的治疗方法历来是采用手术治疗，近年来有作者提出了非手术治疗的观点和方法。为进一步研究非手术治疗的适应症及手术指征，本文作者在近二年内对38例不同类型的外伤性颅内血肿采取硬股外法持续依压监护下中西药物保守治疗。结果证明，部份外伤性颅内血肿在颅压监测下通过中西药物治疗完全可以自行吸收，同时对确需手术治疗的外伤性颅内血肿如何恰当掌握指征及时机提出了见解。     

糖尿病性肾病患者血小板参数测定及临床意义

用QBC血球计数仪对52例糖尿病性肾病患者进行了血小板计数（PLT）、血小板平均体积（MPV）、血小板压积（PCT）、血小板分布宽度（PDW）测定，现将结果报告如下。－：材料：经临床确诊，尿蛋白＞0．3g／L，（排除尿路感染）的Ⅱ型糖尿病患者52例（男30例，女22例）。正常健康人对照45例（男27例、女18例）。所有受试者均未应用抗血小板聚集药物或血液制品。二：方法：取受试者未稍血，按常规程序，以QBC血球计数仪测定。全套试剂由美国B．D公司提供。所测各项参数用统计学处理。三：结果与讨论：结果见附表。从表中可以看出：糖尿…     

固态硅压阻压力传感器及其在医疗仪器中的应用

压力传感器是一种将物理量的压力转换成电压或电流的转换器，在现代测量、控制和工业生产自动化及医疗仪器等领域得到广泛应用。压力传感器种类很多，随着半导体工艺技术的发展，一种利用半导体扩散技术制造的新型固态硅压阻压力传感器，由于具有体积小、重量轻、灵敏度高、测量精度高、滞后和蠕变小，适于动态测量等优点而成为压力传感器中的新秀。1固态硅压阻压力传感器的原理固态硅压阻压力传感器的原理是基于半导体的压阻效应，利用半导体扩散技术在硅基片上选择性地扩散制成应变区，区内电阻值随晶体内的应力而变化，而变化的极性依赖…