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31.
我们曾报道,单独的外周神经的C类纤维传入能在猫的体感皮层(SI)诱发一个特异的C类纤维皮层诱发电位(C-CEP),它可被镇痛药度冷丁和吗啡所抑制;电刺激大脑皮层前外侧回联合区(ALA)能对C-CEP产生明显的抑作用。本实验拟静脉注射阿片受体拮抗剂纳洛酮,观察对C-CEP和电刺激ALA抑制C-CEP作用的影响,以便探讨内源性阿片样物质在此过程中的可能作用。 实验方法 实验用猫10只,体重1.5~2.5公斤,雌雄不拘。手术在氯醛糖麻醉和三碘季铵酚制动下进行。切开头皮,开颅,暴露右侧大脑皮层后乙状回(SI区)和前外侧回联合区。分离左侧隐神经,结扎并剪断其外周端。在近中端分别放置刺激电极、银一氯化银阻断电极和记录电极,以便分别作电刺激隐神经、阻滞隐神经A类纤维传导和记录隐神经动作电位之用。电刺激ALA用两极同心圆电极。实验过程的其他处理步 相似文献
32.
星形胶质细胞胞质[Ca~(2+)]i振荡的研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
胶质细胞通过自发产生钙离子振荡 ,继而引起Ca2 + 浓度在时空上的波浪式变化形成 [Ca2 + ]i振荡。本文从星形胶质细胞内的Ca2 + 信号通路、神经元———星形胶质细胞之间双向的信息交流和星形胶质细胞自发的 [Ca2 + ]i波等三方面综述了 [Ca2 + ]i振荡在星形胶质细胞功能上的可能作用和研究进展。 相似文献
33.
Survivin在PC12细胞对抗化学性缺氧损伤中的作用 总被引:2,自引:0,他引:2
目的探讨存活素(survivin)在PC12细胞对抗氯化钴(CoCl2)诱导损伤中的作用。方法应用不同浓度的CoCl2处理PC12细胞不同时间,建立化学性缺氧诱导PC12细胞损伤的实验模型。应用CCK-8比色法检测细胞存活率;Western-blot法检测CoCl2诱导缺氧与survivin表达间的量效(200~1000μmol·L-1)和时效(0~48h)关系。结果CoCl2可明显抑制PC12细胞的存活率,且呈浓度和时间依赖性。应用不同浓度CoCl2处理PC12细胞24h,在200~600μmol·L-1浓度范围内,呈浓度依赖性地促进survivin表达,600μmol·L-1CoCl2诱导survivin表达达高峰,超过此浓度,则随着CoCl2浓度的增加,survivin表达逐渐下降,CoCl2浓度达1000μmol·L-1时,survivin基本不表达;应用600μmol·L-1CoCl2处理PC12细胞,在0~36h时间范围内,呈时间依赖性地促进PC12细胞survivin的表达,但随着处理时间的延长,survivin的表达逐渐下降;加入2μmol·L-1Hsp90抑制剂17-丙烯胺基-17-去甲氧基格尔德霉素(17-AAG),不仅可以降低600μmol·L-1 CoCl2诱导的survivin高表达,而且加重了600μmol·L-1 CoCl2对PC12细胞的损伤作用,使细胞存活率降低。结论survivin表达上调可能是PC12细胞对抗化学性缺氧损伤的内在防御机制之一。 相似文献
34.
目的探讨谷氨酸转运体-1(GLT-1)在硫化氢(H2S)保护PC12细胞对抗化学性低氧损伤中的作用。方法应用化学性低氧模拟剂氯化钴(CoCl2)处理PC12细胞建立化学性低氧损伤模型作为研究对象。实验分为6组,正常对照组:未经任何药物处理的PC12细胞;CoCl2处理组:PC12细胞用600μmol/L的CoCl2处理24h或48h;H2S单独处理组;H2S预处理组:400μmol/L NaHS(H2S的供体)提前30min作用PC12细胞,然后与CoCl2一起再作用24h或48h;DHK(一种GLT-1抑制剂)单独处理组;DHK阻断组:在NaHS预处理前30min,给以400μmol/L DHK,然后按H2S预处理组继续处理。应用蛋白免疫印迹法(Western bolt)检测GLT-1蛋白表达;CCK-8比色法测定细胞存活率;Hoechst33258核染色法检测细胞凋亡的形态学改变及数量改变;罗丹明123(Rh123)染色及荧光显微镜照相测定线粒体膜电位(MMP)。结果 600μmol/L CoCl2处理PC12细胞24h可使GLT-1表达明显减少;在CoCl2处理PC12细胞前应用400μmol/L NaHS预处理30min能明显地阻断CoCl2对GLT-1表达的抑制作用;400μmol/L的GLT-1抑制剂DHK能阻断H2S保护PC12细胞对抗CoCl2诱导的损伤作用,使细胞存活率降低,凋亡细胞数量及MMP丢失增多。结论上调GLT-1表达可能是H2S保护PC12细胞对抗CoCl2损伤的作用机制之一。 相似文献
35.
目的:探讨ERK1/2-STAT3通路在H2O2预处理导致的适应性细胞保护中的作用。方法:在PC12细胞建立H2O2预处理对抗氧化应激(300 μmol/L H2O2)损伤细胞的模型。应用Hoechst33258核染色法观察细胞调亡的形态学改变;应用碘化丙啶(PI)染色流式细胞术检测细胞凋亡率;免疫印记法(Western blotting) 测定p-ERK1/2和p-STAT3的表达水平。结果:100 μmol/L H2O2预处理PC12细胞90 min可明显抑制300 μmol/L H2O2作用12 h引起的细胞凋亡,并激活ERK1/2和STAT3;ERK1/2抑制剂UO126和JAK2抑制剂AG-490(10 μmol/L)均可明显地阻断H2O2预处理引起的细胞保护作用;UO126(10 μmol/L)亦能明显地抑制H2O2预处理对STAT3的上调作用。结论:H2O2预处理能激活PC12细胞的ERK1/2-STAT3信号转导旁路,这可能是预处理的细胞保护机制之一。 相似文献
36.
目的探讨核因子-κB(NF—κB)亚基P65磷酸化是否参与化学性缺氧模拟剂氯化钴(CoCl2)诱导的永生化人皮肤角质形成细胞(HaCaT)毒性作用及炎症反应。方法用2mmol/LCoCl2处理HaCaT细胞,建立化学性缺氧诱导HaCaT细胞损伤的体外模型。RNA干扰法下调NF—κB亚基P65的表达。细胞计数试剂盒-8比色法检测细胞存活率;ELISA法检测培养基中IL-6和IL-8的含量;Western印迹法检测总量P65及磷酸化P65的蛋白表达。结果CoCl2处理HaCaT细胞0~4h,可促进NF—κB亚基P65的磷酸化,在0.5h时P65亚基开始磷酸化,1.5h时P65亚基的磷酸化水平达到高峰,约为对照组的6.6倍,而4h基本恢复到正常水平。CoCl2处理HaCaT细胞0~6h,可时间依赖性地降低细胞活力,2.4和6h的细胞存活率与对照组比较,P值分别〈0.05、〈0.01及〈0.01。CoCl2处理6h,还引起IL-6和IL-8的释放显著增加。RNA干扰法下调P65的表达后,CoCl2处理引起的HaCaT细胞毒性作用被明显减弱,即使细胞存活率升高了11%左右,下调P65表达还明显抑制了CoCl2处理引起的IL-6和IL-8释放增多。结论磷酸化NF—KB亚基P65介导CoCl2诱导的HaCaT细胞毒性及炎症反应。 相似文献
37.
目的研究脊髓NMDA受体在吗啡耐受过程中的变化,旨在探讨NMDA受体在吗啡耐受机制中的作用,为进一步阐明吗啡耐受的受体机制提供实验材料.方法建立慢性吗啡耐受大鼠模型,用MK-801进行干预,用免疫组织化学方法测定脊髓后角NMDA受体在吗啡耐受过程中的变化,MK-801抗吗啡耐受过程中是否对NMDA受体数量有影响.结果吗啡耐受形成过程中NMDA受体数量增加;MK-801与吗啡合用有抗吗啡耐受作用,MK-801可以阻断吗啡耐受过程中NMDA受体数量的增加.结论吗啡耐受的机制可能涉及NMDA受体的上调,MK-801可能通过抑制NMDA受体上调而具有部分抗吗啡耐受作用. 相似文献
38.
目的: 探讨一氧化氮合酶(NOS)抑制剂-非对称性二甲基精氨酸(ADMA)对谷氨酸(Glu)兴奋性毒性损伤PC12细胞的影响及其机制。方法: 用不同浓度的谷氨酸处理PC12 细胞,建立谷氨酸兴奋性神经毒性损伤细胞的实验模型;应用四甲基偶氮唑蓝(MTT)比色法检测细胞存活率;乳酸脱氢酶(LDH)释放试验评价细胞的损伤程度;双氢罗丹明123(DHR)染色后流式细胞仪(FCM)检测细胞内活性氧(ROS)水平;应用试剂盒及分光光度计测定NOS活性和NO水平。结果: 谷氨酸(1-6 mmol/L)处理PC12细胞24 h,可呈剂量依赖性地降低PC12细胞的存活率;在谷氨酸作用PC12 细胞前30min 给予ADMA,可明显地抑制谷氨酸引起的细胞存活率降低及LDH释放增加,减少谷氨酸引起的细胞内ROS堆积,抑制谷氨酸过度激活 NOS和增加NO的生成。结论: ADMA能显著地减弱谷氨酸对PC12细胞的兴奋性毒性损伤作用;其作用机制可能与抑制NOS活性,减少NO生成,进而减轻细胞内ROS的堆积有关。 相似文献
39.
目的 研究极低频弱电磁场短期及长期照射对大鼠学习记忆的影响。方法 用Helmholtz线圈产生50Hz,强度连续可调的均匀弱电磁场(0.1、1.2、1.6 mT),分别对青龄(2~3月)及大龄(18个月)SD大鼠照射10d~8个月,通过Morris水迷宫实验检测电磁场照射后大鼠逃避潜伏期和穿环系数以反应定位航行和空间探索行为功能的变化。结果 青龄大鼠照射10d,0.1、1.2、1.6 mT组的逃避潜伏期缩短,穿环系数增大,1.2、1.6 mT组与对照组差异有显著性;1.6 mT组停止照射30d后逃避潜伏期和穿环系数与对照组差异无显著性;1.2 mT组连续照射90d,潜伏期延长,穿环系数减少,与对照组差异有显著性。大龄大鼠0.1 mT组照射10d,潜伏期变化不显著;照射4个月后潜伏期延长,照射8个月后潜伏期延长更显著。结论 50Hz弱电磁场对青龄大鼠短期电磁场照射可以暂时促进学习记忆,但长期照射则抑制学习记忆;对大龄大鼠长期弱照射明显抑制学习记忆能力。 相似文献
40.