强啡肽A（1—13）改善局灶性脑缺血后记忆障碍的研究

建立新的大鼠记忆障碍模型，观察强啡肽Ａ（１－１３）对局灶性脑缺血－再灌注后记忆障碍的影响。方法插线法建立大鼠左侧大脑中动脉阻塞（Ｌｅｆｔｍｉｄｄｌｅｃｅｒｅｂｒａｌａｒｔｅｒｙｏｃｃｌｕｓｉｏｎ，ＬＭＣＡＯ）缺血再灌注模型。步入型被动回避（暗环境被动回避）反应研究学习和记忆。学习训练前脑室注射运用不同剂量的κ阿片受体选择性激动剂强啡肽Ａ（１－１３）和κ受体拮抗剂ｎｏｒ－ｂｉｎａｌｔｏｒ－ｐｈｉｍｉｎｅ（ｎｏｒ－ＢＮＩ）研究对记忆的影响。结果暂时性ＬＭＣＡＯ造成了大鼠记忆障碍。０．３μｇ强啡肽Ａ（１－１３）能明显地改善遗忘现象，这一效应被ｎｏｒ－ＢＮＩ所阻断。结论暂时性ＬＭＣＡＯ引起的大鼠记忆障碍模型可靠、稳定。强啡肽Ａ（１－１３）通过κ受体介导作用，能够改善暂时性ＭＣＡＯ后的记忆障碍。     

细胞间粘附分子1、肿瘤坏死因子α转录水平在缺血再灌注大鼠脑皮质中表达的相关性

目的　研究大鼠局灶性脑缺血再灌注期细胞间粘附分子１（ Ｉ Ｃ Ａ Ｍ１） 、肿瘤坏死因子α（ Ｔ Ｎ Ｆα） 在转录水平的表达规律及相关性。方法　用插线法建立大鼠局灶性脑缺血再灌注模型,用逆转录聚合酶链式反应（ Ｒ Ｔ Ｐ Ｃ Ｒ） 测定缺血再灌注期 Ｉ Ｃ Ａ Ｍ１ｍ Ｒ Ｎ Ａ、 Ｔ Ｎ Ｆαｍ Ｒ Ｎ Ａ 的表达变化。结果　缺血侧皮质 Ｔ Ｎ Ｆαｍ Ｒ Ｎ Ａ 在缺血后１ 小时开始显著升高,至缺血再灌注２ 小时达到高峰,持续高表达１ 周; Ｉ Ｃ Ａ Ｍ１ｍ Ｒ Ｎ Ａ 在缺血后２ 小时开始显著升高;至缺血再灌注１０ 小时达到高峰,持续高表达１周。二者具有密切的相关性。结论　 Ｉ Ｃ Ａ Ｍ１ 、 Ｔ Ｎ Ｆα转录水平在脑缺血再灌注早期表达升高, Ｔ Ｎ Ｆαｍ Ｒ Ｎ Ａ、 Ｉ Ｃ Ａ Ｍ１ ｍ Ｒ Ｎ Ａ 的表达具有正相关性。     

插线法制作大鼠大脑中动脉闭塞灶性脑缺血再灌注模型

目的：比较两种大脑中动脉闭塞（middle cerebral artery occlusion,MCAO)局灶性脑缺血再灌注模型,寻找一种更加理想、稳定和可靠的模型。方法：选用Ethicon缝线（直径0.16mm)和Takeno钓鱼线（直径0.20mm）,按Koizumi和Longa插线法制作局灶性脑缺血再灌注模型。缺血2h再灌注4h和22h神经病学评价计算有效率和死亡率。TTC染色计算梗死面积百分比。结果：Koizumi模型再灌注4h有效率和22h梗死面积百分比较Longa法为高,而再灌注4g死亡率较低。结论：大鼠MCAO局灶性脑缺血再灌注模型采用Koizumi法优于Longa法。理想的大鼠插线模型受插线直径、插线头端形态、插入深度和大鼠体重等因素影响。