低剂量放射超敏感性机制研究及临床应用现状

低剂量超敏感性( hypersensitivity,HRS),是指低剂量下(＜ 50 cGy)射线所致细胞存活分数的下降程度较大,剂量再增大时(50 ～ 100 cGy)则出现相对的放射抗拒(increased radiation resistance,IRR)的现象.研究者通过准确地测定低剂量照射时细胞存活,发现在低剂量照射下有些细胞存活与数学模型外推结果不符,而呈超敏感现象[1].该现象自发现以来已成为放射生物学研究中备受关注的一个热点.在此,将其机制及临床应用综述如下.     

WHOⅡ级脑胶质瘤预后影响因素分析

  目的  探讨WHOⅡ级脑胶质瘤的预后影响因素。  方法  回顾性分析江西省肿瘤医院1997年6月至2015年4月收治的146例经病理诊断为WHOⅡ级脑胶质瘤患者的临床资料,其中星形细胞瘤96例,少枝胶质细胞瘤30例,混合性少枝星形细胞瘤20例;手术全切90例,部分切除56例。  结果  中位随访时间88个月;5、10年总生存率（overall survival,OS）和无进展生存率（progression free survival,PFS）分别为75.7%、57.4%和60.0%、37.8%;单因素分析显示切除程度、残留大小、性别、年龄、室管膜下区（subventricular zones,SVZ）受侵、瘤周水肿、病灶大小、是否单发为OS的影响因素（均P < 0.05）;切除程度、残留大小、性别、SVZ受侵、是否单发为PFS的影响因素（均P < 0.05）,手术全切患者术后放疗延长了PFS（P=0.038）;与星形细胞瘤相比,少枝胶质细胞瘤在OS及PFS上均有优势（P=0.040,P=0.049）。多因素分析显示切除程度、瘤周水肿、SVZ受侵为OS的独立影响因素（均P < 0.05）;切除程度、病灶是否单发是PFS的独立影响因素（均P < 0.05）。全组共有60例复发,其中单纯瘤床复发53例,远隔部位复发7例（3例同时伴瘤床复发）。  结论  手术切除程度、瘤周水肿、SVZ受侵为影响WHOⅡ级脑胶质瘤患者OS的独立预后因素;全切患者术后放疗能改善PFS;瘤床复发是主要复发模式。      

室管膜下区受侵对脑胶质瘤预后的影响

  目的  探讨室管膜下区(subventricular zone, SVZ)受侵对脑胶质瘤预后的影响。  方法  回顾性分析江西省肿瘤医院2010年1月至2015年7月收治的175例经病理诊断为脑胶质瘤患者的临床资料, 其中WHOⅡ级59例, Ⅲ级59例, Ⅳ级57例; 根据术前MRI检查病灶与SVZ的位置关系, 分为SVZ受侵组(SVZ+)及SVZ未受侵组(SVZ-), 其中SVZ (+)组75例, SVZ (-)组100例, 比较两组的生存时间及复发模式。  结果  中位随访时间63个月; 5年总生存率(overall survival, OS)及无进展生存率(progression-free survival, PFS)分别为42.2%、37.5%;SVZ (+)组5年OS为20.9%, SVZ (-)组为57.1%(P< 0.001);而5年PFS分别为15.3%、44.1%(P< 0.001)。SVZ (+)组手术全切率更低(P< 0.001), 有更多大病灶(最大径≥ 5.0 cm)及Ⅳ级病例(P < 0.001, P=0.018)。全组共89例复发, SVZ (+)组总复发率为62.7%, SVZ (-)组为42.0%(P=0.007), 而远处复发率分别为21.3%、7.0%(P=0.004)。  结论  SVZ受侵是影响脑胶质瘤OS、PFS的不良预后因素, 且与低的全切率、大病灶及Ⅳ级病变呈正相关; SVZ受侵增加了总复发及远处复发概率。