脑缺血再灌注损伤机制研究进展

脑缺血一定时间恢复血液供应后，其功能不但未能恢复，却出现了更加严重的脑机能障碍，称之为脑缺血再灌注损伤（cerebral ischemia reperfusion injury，CIR）。缺血再灌注损伤涉及极其复杂的病理生理过程，其中各个环节、各种影响因素间的相互作用尚未完全阐明。现对脑缺血再灌注损伤一些重要机制进行简述如下。     

丹参素防治脑缺血-再灌注损伤的机制及研究进展

<正>缺血性脑卒中的发病率逐年上升,具有高致残率、高死亡率,严重危害人类健康~([1～3])。积极静脉溶栓是其临床主要治疗方式,组织型纤溶酶原激活物(tissue-type plasminogen activator,t-PA)是目前较为公认的溶栓剂,但时间窗短、颅内出血风险及过敏反应等副作用限制了临床应用~([4,5]),且易继     

脑缺血再灌注损伤发病机制研究进展

<正>缺血性卒中约占卒中总数的70%～80%^[1],其以高发病率、高复发率和高致残率等特点成为威胁人类健康的主要疾病之一。当发生脑缺血后,首要的目标是改善缺血区域脑组织的血流供应,恢复正常的血流循环,目前临床主要的治疗方法是静脉溶栓、动脉取栓、改善侧支循环,绝大部分患者采取以上措施后临床症状得到改善,但仍有小部分患者出现临床症状加重的现象,此现象称为脑缺血-再灌注损伤(cerebral ischemia-reperfusion injury,     

褪黑素与脑缺血再灌注损伤

脑缺血再灌注损伤是一种全身性反应,其机制包括：氧自由基损伤、兴奋性氨基酸损伤、钙超载、炎性反应和细胞凋亡等方面。而褪黑素作为一种抗氧化剂对神经元损伤具有广泛的保护作用。本文结合脑缺血再灌注损伤的各个机制,对褪黑素的神经元保护作用作以简单的介绍。并对相关实验和研究给予系统性的回顾。     

脑缺血再灌注后免疫损伤分子机制研究进展

<正>随着分子生物学和分子免疫学的发展逐步深入,大量研究表明,急性炎症反应所造成的免疫损伤在继发性脑损伤中起着越来越重要的作用[1]。脑缺血再灌注后,大量免疫细胞会在损伤部位聚集,大量释放细胞分裂素和氧自由基等物质直接损伤内皮细胞,造成内皮结构和功能的受损,引发血小板聚集和免疫细胞相互作用,导致微血管阻塞,引发损伤[2]。这一过程造成神经元损伤、血脑屏障遭到破坏,脑出血和脑     

选择素对脑缺血再灌注损伤作用的研究进展

选择素(selectin)是血管黏附分子大家族中的一类成员,根据表达部位不同可分为3类:E-selectin,L-selectin,P-selectin。选择素参与介导脑缺血再灌注损伤中的炎症反应,导致缺血区脑组织损伤。本文就选择素的分子结构和对脑缺血再灌注损伤的作用研究现状进行探讨。     

脑缺血预处理对缺血再灌注损伤的保护作用

目的　观察缺血预处理对脑缺血再灌注损伤的保护作用。方法　采用四血管阻断法对实验鼠分组进行全脑缺血预处理及缺血后再灌注, 半定量法观察海马区神经元受损情况。结果　实验组四血管阻断３ 分钟（ 预处理） 后海马区神经元受损与对照组无显著差异;３ 天间隔６ 分钟全脑缺血再灌注组神经元受损较其他组明显减轻。结论　缺血预处理对脑缺血再灌注损伤保护作用与全脑缺血预处理时间, 后续全脑缺血再灌注损伤时间及两者间的时间间隔有关。     

血脑屏障与脑缺血再灌注损伤

血脑屏障(b1ood-brain barrier，BBB)是存在于脑组织和血液之间的一个复杂的细胞系统。它能控制血循环中的某些物质向中枢神经组织转运，从而保证中枢神经组织内环境的稳定。血脑屏障破坏是脑缺血再灌注损伤的重要病理生理基础。     

硫化氢保护脑缺血再灌注损伤的研究进展

正缺血性脑卒中致残率、病死率高,发生机制十分复杂,包括细胞能量代谢障碍、兴奋毒性、氧化应激反应、炎症反应、神经细胞凋亡以及血脑屏障受损等。当前,治疗缺血性脑卒中最有效的方法是人类重组纤溶蛋白酶激活剂,但是这种方式的治疗时间窗太窄(3~4.5 h),超出此范围之后仍旧会导致缺血再灌注损伤(ischemia/reperfusion injury,I/RI)~([1])。研究表明,硫化氢(H_2S)具有抗氧化应激、抗炎症反     

高压氧预处理可对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤的保护作用

目的研究短期高压氧预处理后是否可减轻大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤。方法选取成年雄性Wister大鼠,采用连续5d,每天1次,3.0ATA,100%O2高压氧(HBO)预处理,每次60min,末次预处理后24h,运用改良的经典线栓法制作MCAO模型,再灌注2h。将实验大鼠分为假手术组、MCAO组、HBO+MCAO组(n=5)。造模后24h观察各组动物的一般精神状态及体重变化情况、用Rogers DC and Hunter AJ描述的神经功能7分评分法对神经功能损伤进行评估,TTC染色测梗死面积,并对脑组织进行石蜡切片,行Nissl、TUNEL染色,利用显微镜对神经细胞进行计数。结果假手术组无神经功能缺失,TTC染色未见梗死灶,镜下观察未见坏死细胞。MCAO组和HBO+MCAO组均有不同程度的神经功能缺损,且HBO+MCAO组神经功能缺失较MCAO组轻;TTC染色MCAO组的梗死面积明显大于HBO+MCAO组;镜下观察,MCAO组梗死区内尼氏小体明显少于HBO+MCAO组。结论短期高压氧预处理后可减轻大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤。     

葛根素预处理对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤的保护作用及机制

目的探讨葛根素预处理对局灶性脑缺血再灌注损伤的保护作用及其可能机制。方法健康成年雄性SD大鼠120只,随机分成5组（n=24）：假手术组（S组）,脑缺血再灌注组（IR组）,Pc-24h100mg组,Pc-24h200mg组,Pc-24h400mg组,其中Pc-24h组于脑缺血前24h给予相应剂量葛根素腹腔注射行单次预处理,采用大脑中动脉线栓法建立局灶性脑缺血再灌注模型,缺血90min,再灌注24h。大鼠清醒后进行神经功能缺陷评分,再灌注24h时处死大鼠,处死后取脑组织,测定脑梗死容积比（BIVP）、脑组织含水量及MDA水平。结果葛根素预处理可以改善大鼠脑缺血再灌注损伤的神经功能缺损评分,降低BIVP、脑组织含水量及MDA水平（P均〈20.01）。其中Pc-24h400mg组减低神经功能缺损评分、BIVP及脑组织含水量明显优于Pc=24h100mg及Pc-24h200mg组（P均〈0.01）,而Pc-24h100mg及Pc-24h200mg组之间无显著差异（P均〉0.05）。结论葛根素预处理可能通过抑制脑水肿及氧化损伤来减轻大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤。葛根素预处理的脑保护作用具有一定的量效关系。     

依达拉奉对脑缺血再灌注损伤的保护作用

目的 探讨依达拉奉对脑缺血神经细胞损伤的保护作用和对凋亡的影响.方法 实验目标为出生24 h内SD乳鼠的脑细胞,培养7 d后进行分组培养,分别检测各组的指标,包括神经细胞存活率、LDH的漏出率、细胞凋亡率等,进行统计学分析.结果 依达拉奉组与正常对照组相比存活率无显著下降（P＞0.05）,正常对照组与其他损伤组细胞存活率比较显著下降（P＜0.05）.细胞凋亡率观察依达拉奉组与正常对照组相比无显著下降（P＞0.05）,药物损伤组、低浓度异丙酚组、中浓度异丙酚组、高浓度异丙酚组与正常对照组比较均较高（P＜0.05）.结论 依达拉奉是一种自由基清除剂,抑制细胞膜过氧化,增强细胞总抗氧化能力,提高细胞稳定性,对脑缺血神经细胞损伤起到保护作用,减少细胞凋亡率,增加细胞存活率.     

硫酸镁对脑缺血再灌注损伤保护作用的实验研究

目的：探讨不同时间、不同剂量硫酸镁对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后神经功能的保护作用。方法：50只雄性SD大鼠被随机分为再灌注前高硫酸镁组、再灌注前低硫酸镁组、再灌注后高硫酸镁组、再灌注后低硫酸镁组和对照组共五组。采用改良的Longa′s法制作脑缺血再灌注模型,术后4h予以再通。术后6h采用胡氏脑组织微量分析法,测定梗死脑组织的Na^ 、K^ 、水含量,术后24h先进行神经病学评分,再断头取脑染色后进行梗死灶体积的测定。结果：硫酸镁治疗组与对照组相比,梗死灶体积缩小,脑水肿减轻,神经功能恢复好。治疗效果高硫酸镁组优于低硫酸镁组,再灌注前组又优于再灌注后组,其中再灌注前高硫酸镁组效果最为显著。结论：硫酸镁对脑缺血后再灌注损伤有明显地神经保护作用,且治疗效果与治疗时间早晚和剂量大小密切相关。     

白细胞介素8单克隆抗体对大鼠脑缺血再灌注损伤的保护作用

脑缺血再灌注损伤与炎症反应关系密切,白细胞介素8(IL8)作为一种中性粒细胞趋化因子,在脑缺血后炎症损伤中有重要作用[1]。我们设想IL8单克隆抗体(简称IL8单抗)可能对脑缺血再灌注损伤具有保护作用,在建立脑缺血再灌注模型基础上,侧脑室注射IL8单抗,通过观察脑梗死表1各组大鼠脑梗死灶体积及TUNEL、Bcl2及Bax阳性细胞数分组鼠数梗死灶体积(mm3)TUNELBcl2Bax生理盐水对照组6210.26±25.5845.82±7.0322.97±5.6470.16±8.54IL8单抗0.5μg组6207.25±28.5944.92±7.1124.46±6.3868.26±8.43IL8单抗1μg组6166.29±31.7338.87±7.1…     

依达拉奉对脑缺血再灌注损伤的保护作用

目的探讨依达拉奉在脑缺血再灌注损伤中的保护作用及机制。方法选取2011-01-2011-05来我院就诊的脑部或心血管疾病中发生脑缺血再灌注损伤的患者40例,按随机分为治疗组和对照组,治疗组患者在使用常规保护的同时使用依达拉奉进行保护,对照组的患者使用0.9%氯化钠进行常规保护,并在治疗后分别对2组患者进行脑组织NO、NOS及SOD含量检测。结果治疗组的患者在经过治疗之后,血清和脑组织中的NO、NOS含量明显上升、SOD含量明显下降,2组比较差异有统计学意义（P〈0.01）。结论在治疗脑缺血再灌注损伤的过程中,使用依达拉奉可以起到明显的保护作用,由于常规保护机制,值得在临床过程总进行推广使用。     

高压氧与脑缺血再灌注损伤中的氧化应激

脑发生缺血性损伤后,尽早地恢复脑血流、脑氧供,是逆转某些脑可逆性功能损伤的关键,然而在缺血后的再灌注过程中可出现脑组织的进一步损伤,其中氧化应激被认为是引起脑缺血再灌注损伤的重要机制之一.高压氧(HBO)治疗脑缺血时,对其是否会引起氧化应激而加重脑缺血缺氧损伤目前的研究存在不同观点,产生这砦差异的可能相关因素有脑缺血损伤的类型、治疗时间窗、剂量(包括压力、时间)等.     

粘附分子在脑缺血再灌注损伤中的作用

随着对脑缺血再灌注损伤中白细胞作用的重视 ,人们从各个方面加强了对白细胞功能的研究。早期的动物试验表明 ,如能在脑卒中前使白细胞减少可改善缺血灶内的血流量。这一实验结果支持了减少缺血后白细胞粘附能阻止缺血部位的低灌注状态[1] 。1　粘附分子的分类与特性粘附分子 (ａｄｈｅｓｉｏｎｍｏｌｅｃｕｌｅ ,ＡＭ )是一类介导细胞与细胞、细胞与细胞外基质间粘附作用的膜表面糖蛋白。粘附分子主要分五大类 :即选择素家族 (ｓｅ ｌｅｃｔｉｎｆａｍｉｌｙ)、粘蛋白样家族 (ｍｕｃｉｎ ｌｉｋｅｆａｍｉｌｙ)、整合素家族 (ｉｎｔｅｇｒ…     

VEGF治疗脑缺血再灌注损伤的分子机制研究

目的 通过检测血管内皮生长因子（VEGF）治疗兔脑缺血再灌注损伤的有关分子表达情况,探讨其分子机制.方法 采用兔大脑中动脉阻塞（MCAO）2h再灌注72h模型,在再灌注即刻,应用微量进样器将VEGF立体定向导入梗死灶周,于再灌注72h断头取脑,应用免疫组化方法检测缺血半暗带区caspase-3和细胞外信号调节激酶1（estracellular signal-regulated kinase,ERK1）的表达情况.结果 VEGF治疗后缺血半暗带区caspase-3和ERK1表达明显减低.结论 VEGF可能通过抑制caspase-3和ERK1表达发挥治疗作用.     

不同剂量硫酸镁对大鼠局灶脑缺血再灌注损伤的保护作用

Mg^2 是天然的钙离子拮抗剂，同时作为一种非竞争性兴奋性氨基酸(EAA)受体拈抗剂，具有阻断NMDA受体，减轻兴奋性毒性损伤的作用。本研究以不同剂量的MgSO4，对大鼠大脑中动脉缺血再灌注后的神经功能和梗死体积的影响，探讨MgSO4的脑保护作用。     

白藜芦醇对大鼠脑缺血再灌注损伤的作用

目的探讨白藜芦醇(Res)预处理对脑缺血再灌注大鼠神经功能损伤的作用及其机制。方法将80只成年雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组、Res组、Res+PI3K抑制剂组,每组20只。以线栓法建立大脑中动脉阻塞后缺血再灌注模型。造模前6 d,Res组和Res+PI3K抑制剂组腹腔注射Res(15μg/g,1次/d),假手术组和模型组腹腔注射等体积生理盐水;造模前30 min,Res组和Res+PI3K抑制剂组先腹腔注射Res(15μg/g),然后,Res+PI3K组用微量注射器向右侧脑室注射PI3K抑制剂3-MA 5μl(50μg),假手术组和模型组右侧脑室注射等体积生理盐水。造模后24 h处死大鼠采用TTC染色法评估大鼠脑梗死面积,取材前行神经功能评分;以尼氏染色以及透射电镜观察神经细胞尼氏体和自噬体数量;通过Q-PCR法检测脑组织自噬基因mRNA水平,免疫印迹法检测脑组织PI3K/Akt/mTOR信号通路相关蛋白及磷酸化表达水平。结果与假手术组相比,模型组神经功能评分明显增高(P<0.05),脑梗死体积明显增大(P<0.05),损伤脑组织尼氏体明显减少(P<0.05),自噬相关基因Beclin1 mRNA水平明显升高(P<0.05),PI3K、mTOR和Akt蛋白表达水平无显著变化(P>0.05),而各自蛋白磷酸化水平均显著降低(P<0.05)。相比于模型组,Res组上述变化明显改善(P<0.05),而PI3K抑制剂明显抑制Res的作用(P<0.05)。结论Res能有效减轻缺血再灌注模型大鼠脑组织造成的神经功能损伤,可能与抑制PI3K/AKT/mTOR信号通路促进细胞自噬有关。